含噻吩单元的硅芴共聚物的合成及其蓝色电致发光性能

将少量(摩尔分数为1%—3％)含噻吩的窄带隙单体和宽带隙硅芴单体进行共聚, 合成了聚{9,9-二己基-3,6-硅芴-co-[2,5-二(2-甲基苯撑-4-基)-噻吩]}和聚{9,9-二己基-3,6-硅芴-co-[2,5-二(2-苯撑-4-基)-噻吩]}两类硅芴共聚物, 通过紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱, 并制作聚合物发光二极管器件测试电致发光光谱等手段, 系统表征了两类硅芴共聚物材料的性能. 实验结果表明, 噻吩的加入形成了新的蓝色发光中心, 并且实现了从硅芴链段到含噻吩发光中心的有效能量转移. 通过增加发光中心结构的空间位阻来减小其共轭程度, 可以使聚合物的PL和EL光谱发生较大蓝移. 最终得到了效率为0.46%和色坐标(CIE)为(0.19, 0.16)的蓝光LED器件.     

Fe(ClO_4)_3氧化合成聚乙撑二氧-三噻吩

分别以Fe(Cl O4)3、FeCl3、Fe2(SO4)3作为氧化剂,对3′,4′-乙撑二氧-2,2′∶5′,2″-三噻吩(TET)进行了化学氧化聚合,并研究了聚合条件对聚合物结构和电化学性能的影响。利用红外光谱、紫外光谱、X射线衍射对聚合物进行了表征,采用循环伏安、恒电流充放电等电化学方法研究了聚合物的电化学性能。结果表明:当TET与Fe(Cl O4)3的摩尔比为1∶4,反应温度为18℃,反应时间为12 h时,聚3′,4′-乙撑二氧-2,2′∶5′,2″-三噻吩(PTET)具有更好的共轭结构和电化学性能,导电率可达1.47 S/m,比电容可达133 F/g。     

顺序一锅法合成5,6,8-三氢-吡喃并[3’,4’:4,5]噻吩并[2,3-d]嘧啶-4(3H)-酮衍生物

采用顺序一锅法,以4,5,7-三氢-吡喃并[4,3-d]噻吩基三苯基膦亚胺、芳基异氰酸酯和胺类化合物为原料,合成了19个结构新颖的5,6,8-三氢-吡喃并[3’,4’:4,5]噻吩并[2,3-d]嘧啶-4(3H)-酮衍生物.该方法具有条件温和、操作简便、收率高等特点.所得化合物的结构用1H NMR,IR和MS等手段进行了表征,此外还通过X射线单晶衍射分析法进一步确证了化合物3-(4-氯苯基)-2-二乙胺基-5,6,8-三氢-吡喃并[3’,4’:4,5]噻吩并[2,3-d]嘧啶-4(3H)-酮(4a)的结构.     

2,5-二甲基噻吩硫氧化物与C60的Diels-Alder反应研究

通过2,5-二甲基噻吩硫单氧化物(亚砜)和2,5-二甲基噻吩硫二氧化物(砜)与C60的Diels-Alder环加成反应,分离获得了稳定加成产物。     

分子堆叠和器件性能:基于苯并二噻吩及其衍生物的高效小分子给体研究进展（英文）

有机全小分子太阳能电池由于具备结构精确和批次差异小的特点,有广阔的应用前景,近年来该领域的发展备受关注.本文回顾了基于苯并二噻吩(BDT)及其衍生物的小分子给体的发展.基于分子结构、堆叠特性和器件性能之间的关系,分析了小分子BDT系列的成功案例,旨在阐明分子结构、分子聚集和器件性能之间的联系,为未来高效分子的设计提供参考.     

An efficient one-pot three-component synthesis and antimicrobial evaluation of tetra substituted thiophene derivatives

A convenient one-pot three-component method for the preparation of tetra-substituted thiophene derivatives has been developed. Reaction of acetyl acetone 1, phenyl isothiocynate 2 and 2-chloromethyl derivatives 3a–3c in the presence of potassium carbonate afforded the target compounds, namely ethyl2-(4-acetyl-3-methyl-5-(phenylamino)thiophen-2-yl)-2-oxoacetate derivatives 4a–4e, ethyl 3-(4-acetyl-3-methyl-5-(phenylamino)thiophen-2-yl)-3-oxopropanoate derivatives 4f–4i, di((4-acetyl-3-methyl-5-phenylamino)thiophen-2-yl)ketone derivatives 4j–4n in reasonable overall yields. The synthesized compounds were screened for antimicrobial activity. The detailed synthesis, spectroscopic data and antimicrobial activities of synthesized compounds were reported.     

Hydrothermal Synthesis and Crystal Structure of a New Three-dimensional Co（II） Coordination Polymer Based on 2,3-Thiophenedicarboxylic Acid

A new Co（ll） polymer [Co（tdc）（l,4-bimb）]n 1 （H2tdc = thiophene-2,3-dicarboxy- lic acid, 1,4-bimb -- 1,4-bis（imidazol-1 ＇-yl）butane） was synthesized under hydrothermal conditions The compound crystallizes in the monoclinic system, space group C2/c with a = 15.643（9）, b = 8.839（5）, c=12.952（7） A, β = 105.964（6）°, V= 1721.8（16） A3, Z = 4, Mr = 419.32, Dc= 1.618 Mg/m3,μ = 1.149 mm-1, F（000） = 860, the final R = 0.0243 and wR =0.0613 for 1460 observed reflections with I 〉 2σ（I）. The compound presents a three-dimensional （3D） network extended by both tdc2- anions and 1,4-bimb ligands in which the tdc2- anions employ a chelating coordination mode. From the topology point of view, the structure could be described as a 3D 4-connected 65.8 CdSO4-type net. Infrared spectroscopy, elemental analyses, thermogravimetric analysis and powder X-ray diffraction properties of 1 are also investigated.     

新型四氢苯并[4',5']噻吩并[3',2'∶5,6]吡啶并[4,3-d]嘧啶类化合物衍生物的合成及抗肿瘤活性

本文以环己酮为原料,通过氮杂Wittig反应合成了一系列结构新颖的取代四氢苯并噻吩并吡啶并嘧啶衍生物,并采用MTT法考察所合成目标化合物对CNE2、KB、MGC-803、MCF-7和PC3这5种肿瘤细胞的抑制活性。初步的生物活性结果表明,目标化合物对5种肿瘤细胞均有抑制活性,尤其是对胃癌MGC-803细胞展现出了更强的抑制活性。其中3-(4-氟苯基)-2-((4-氟苯基)氨基)-5-甲基-8,9,10,11-四氢苯并[4',5']噻吩并[3',2':5,6]吡啶并[4,3-d]嘧啶-4(3H)-酮[化合物8c,IC_(50)=(0. 9±0. 25)μmol·L~(-1)]对MGC-803的活性最强,是5-氟尿嘧啶[IC_(50)=(18. 4±1. 43)μmol·L~(-1)]的20倍;同时,目标化合物对正常的胃黏膜上皮细胞GES-1没有毒性。四氢苯并[4',5']噻吩并[3',2':5,6]吡啶并[4,3-d]嘧啶类化合物具有良好的抗肿瘤活性,值得进一步深入研究。     

氯吡格雷类似物的合成及其抗血小板聚集活性

α-溴代邻氯苯乙酸经酯化反应后再与4,5,6,7-四氢噻吩并[3,2-c]吡啶发生取代反应合成氯吡格雷类似物(4b～4e);2-(2-氯苯基)-2-(4,5,6,7-四氢噻吩并[3,2-c]吡啶-5-基)乙酸(4a)经酯化反应合成4f～4k;4f与AgNO3反应制得4l;4a经酰胺化制得另外两个氯吡格雷类似物(5c和5m).4和5的其结构经1H NMR,IR和MS表征.初步生物活性测试结果表明:4和5均有一定的抗血小板聚集作用,其中4g和4b尤其突出,对大鼠血小板聚集的抑制百分率分别为46.1%和38.2%.     

α-四噻吩薄膜的生长及性能研究

利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)研究了在氧化硅衬底上生长的α-四噻吩(α-4T)薄膜的表面形貌及分子取向。在低温下,获得了大尺寸、高有序的α-4T薄膜,为横向生长模式。衬底温度35 ℃以上转为纵向生长模式。晶体结构分析发现,α-4T薄膜属于单斜晶系,分子c-轴垂直基板排列。强的衍射峰和高有序的衍射峰意味着α-4T薄膜具有高的有序性和结晶性。电性能研究发现,提高衬底温度有利于提高薄膜的迁移率,衬底温度为35 ℃时器件迁移率为3.53×10^-2 cm²·V^-1·s^-1。但衬底温度进一步增加,迁移率反而下降,与原子力分析结果一致。低温退火可以降低器件的亚阈值陡度,从13.27 V·dec^-1降低到3.83 V·dec^-1,使器件的界面缺陷降低,电性能提高。