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171.
172.
Electrochemical Synthesis of Polythiophene in an Ionic Liquid 总被引:6,自引:0,他引:6
Polythiophene(PTh) was prepared by the direct electrochemical synthesis in an ionic liquid ([BMIM]PF6) containing 0.1mol/L thiophene by cyclic voltammetry,constant potential and constant current techniques. It is found that smooth and blue-green PTh films can be obtained at a potential of ca. 1.75V(vs. Ag/AgCl) or a current of ca. 1.5mA cm^-2 in the ionic liquid. 相似文献
173.
174.
175.
以带磺酸基团的π共轭聚电解质为模板,采用化学氧化还原方法制备了在水相中稳定分散的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)与聚电解质的复合物,并用作聚合物太阳能电池的空穴传输层.通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)、紫外可见光谱(UV-Vis)、紫外光电子能谱(UPS)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)和接触角等对聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)和复合物薄膜的形貌和光电性能进行测试与表征.结果表明,相比于PEDOT:PSS,PEDOT:聚电解质复合物作为空穴传输层,具有合适的能级结构、高达95%的透光率(30 nm)、更疏水的表面形貌以及更高的空穴迁移率,有利于与活性层形成欧姆接触并提高空穴的注入和收集效率,进而提高器件的光伏性能. 相似文献
176.
177.
钯配合物促进的Suzuki-Miyaura交叉偶联反应为构建碳-碳骨架的重要方法,主要用于药物化学、天然产物、材料学及超分子配体等领域。以2-噻吩甲醛、脂肪族/芳香族伯胺、取代肼及羟胺等为原料,合成了9种2-噻吩甲醛亚胺类N,S-双齿配体(3a~3i),其结构经1H NMR, 13C NMR和HR-MS(APCI)表征。并以N-环己基-2-噻吩甲亚胺(3b)为例,研究了配体对钯促进的Suzuki-Miyaura交叉偶联反应的催化性能。结果表明:在反应体系Pd(OAc)2/3b/Cs2CO3/DMF中,苯硼酸与芳溴的交叉偶联反应的分离产率达到95%。 相似文献
178.
利用电喷雾质谱(ESI-MS)对2,2'-联吡啶-4,4'-二羧酸乙酯与过渡金属铼的 系列配合物[(4,4'-(OOEt)_2-bpy)Re(CO)_3RPF_6] [其中bpy = 2,2'-联吡啶,R = 吡啶、4-甲基吡啶、4-羟基吡啶、4-氨基吡啶、10-(4-甲基吡啶基)吩噻嗪( py-PTZ)进行分析,研究了配合物及其配体在不同源内CID(in-source collision induced dissociation, in-source CID)的相对稳定性。结果表明,随着源内 CID电压的升高,配合物中的配体R容易脱落并形成稳定的联吡啶三羰配位离子[(4, 4'(COOEt)_2-bpy)Re(CO)_3]~+。配体脱落从易到难的顺序为:吡啶 > 4-甲基吡啶 >-甲基吡啶>4-羟基吡啶>4-氨基吡啶>py-PTZ。 相似文献
179.
Tie Jun WANG Ping CHEN Xiu Jie HU Shu Yun ZHOU 《中国化学快报》2006,17(10):1391-1393
Dispersion polymerization method of preparing colloidal dispersions has been developed to tackle the solubility problem in the area of conducting polymers1. The general method to prepare colloidal dispersions of conducting polymers such as polypyrrole and… 相似文献
180.
以聚3-己基噻吩(P3HT)为给体材料,富勒烯衍生物(PC61BM)为受体材料,制备了一系列结构为ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PC61BM/C60/Al的体异质结光电探测器.研究了120、160、180与200 nm不同光敏层厚度,100、120、130、140与150℃不同退火温度等条件对器件性能的影响,并采用原子力显微镜(AFM)对光敏层形貌进行了分析.研究发现,基于180 nm厚光敏层、150℃退火处理的器件,在-2 V的偏压下550 nm处有最大响应度,为268 mA/W,并且在470~610 nm范围内响应度都超过了200 mA/W;基于180 nm厚光敏层、120℃退火处理的器件有最大线性动态范围,为95 dB.研究表明,适当厚度的光敏层有利于提高光吸收效率与器件的光伏性能;退火处理,可以使光敏层形成均匀的互穿网络结构,进而减小空穴与电子的复合概率,提高器件的光伏性能. 相似文献