4,7-二(2-溴代噻吩-5-基)-2,1,3-苯并噻二唑-N-(1-辛基壬烷基)咔唑在ZnS(100)表面吸附的理论研究

采用密度泛函理论中的广义梯度近似(DFT/GGA)方法, 在PW91/DNP水平上研究了4,7-二(2-溴代噻吩-5-基)-2,1,3-苯并噻二唑-N-(1-辛基壬烷基)咔唑(简称PC-DTBT)的低聚合物(PC-DTBT)n(n=1-5)的稳定性和化学活性. 结果表明: 随着聚合度增加, (PC-DTBT)n的稳定性降低, 化学活性增强. 采用密度泛函理论与周期性平板模型相结合的方法, 研究了PC-DTBT单体在ZnS(100)表面的吸附, 通过吸附前后化合物PC-DTBT的Mulliken charge和前线轨道分析表明: 当PC-DTBT吸附在ZnS (100)表面时, ZnS(100)表面向PC-DTBT转移0.200 e电荷, 前线轨道能隙变窄. 理论预测的结果与实验值吻合.     

硅纳米线和聚3-十二烷基噻吩混合薄膜在场效应晶体管中的应用研究

为了提高聚3-十二烷基噻吩的场效应迁移率, 将硅纳米线混入聚3-十二烷基噻吩的溶液中制成薄膜. 退火后的聚3-十二烷基噻吩能够自组装成有序的微晶结构, 有利于电子传输. 聚3-十二烷基噻吩薄膜在场效应晶体管中能够获得0.015 cm²·V^-1·s^-1的迁移率, 而混合薄膜能够获得高达0.68 cm²·V^-1·s^-1的迁移率. 这是因为硅纳米线优异的电子传输性能使得电子通过硅纳米线就像通过快速通道一样, 从而能够缩短电子在场效应晶体管中的传输时间, 提高传输速度. 此外, 使用离子胶作为介电层也能够提升场效应晶体管的性能, 混合薄膜能够获得高达6.2 cm²·V^-1·s^-1的迁移率.     

含有S,S-二氧-二苯并噻吩和芴酮单元的白光电致发光聚合物的合成与性能

通过Suzuki缩聚反应将发橙红光的2,7-二(2-噻吩基)-9-芴酮(DFT)引入聚芴主链,实现了两元光单分子聚合物白光发射,该聚合物作为发光层的电致发光器件ITO/PEDOT:PSS/PVK/发光层/CsF/Al的最大流明效率为1.0cd/A,色坐标为(0.41,0.36)。再将S,S-二氧-二苯并噻吩(SO)引入聚合物主链中,其电致发光器件的最大流明效率为3.5cd/A,色坐标为(0.34,0.32);此白光器件表现出优异的光谱稳定性。通过将DFT和SO单元引入聚芴主链,可获得有望应用于固态发光与显示的白光电致发光材料。更多还原     

哌啶并噻吩并嘧啶酮衍生物结构和活性的密度泛函理论研究北大核心CSCD

采用密度泛函理论中的广义梯度近似(DFT/GGA)方法,在PW91/DNP水平上研究了七种哌啶并噻吩并嘧啶酮衍生物的结构,化学活性和前线轨道.结果表明:含有卤素化合物的前线轨道能隙(Eg)降低,7b,8b,9b的能隙比7a,8a,9a分别低0.053,0.063,0.010eV.含有卤素的化合物中,Eg越小,对水稻纹枯菌(Rhizoctonia solani bacteria)的抑制率越高,而不含卤素的化合物中,Eg越大,对苹果轮纹菌(Dothiorella gregaria bacteria)的抑制率越高.     

法国研究人员开发出由单个分子构成的LED

正为了挑战LED最小化极限,法国史特拉斯堡大学、法国第六大学以及法国国家科学研究院的研究人员合作已经开发出由单个分子构成的LED。该LED是由一根聚噻吩(polythiophene)线放置在扫描隧道显微镜和黄金表面之间而形成。它只有当电流通过时才会沿某一方向发光。这个实验绝妙地揭示了电-光之间转化设备的最小尺度。此外,它也代表了创建未来分子计算机组件向前     

噻吩并嘧啶酮衍生物的合成及其抑菌活性

利用三组分氮杂Wittig反应,以磷亚胺2、对氯苯基异氰酸酯和酚,合成了16个未见文献报道的2-芳氧基-3-对氯苯基-3,5,6,7-四氢-4H-环戊二烯并[4,5]噻吩并[2,3-d]-嘧啶-4-酮衍生物,产率52～74%。通过IR、1H NMR、MS和元素分析对目标化合物的结构进行了表征。初步探讨了所合成化合物的抑菌活性,结果显示所合成的化合物对真菌的抑制活性优于对细菌的抑制活性,对桔青霉菌的抑制活性在65.2%以上,其中5n的抑菌率最高,达到89.1%。在化合物对细菌的抑制活性中,对绿脓杆菌的抑菌率较好,在52.8～73.0%之间,对金黄色葡萄球菌的抑制活性最低,在43.3～65.5%之间。     

荧光光谱法研究一种噻吩并[2,3-d]嘧啶-4(3H)-酮衍生物与牛血清白蛋白的相互作用

用荧光光谱法研究了在生理条件下,3-对氯苯基-2-(4-叔丁基苯氧基)-3’-氧环己烷并噻吩并[2,3-d]嘧啶-4(3H)-酮(PTP)与牛血清白蛋白(BSA)的相互作用。实验表明,PTP主要以静态猝灭方式使BSA荧光强度显著降低。计算了不同温度下二者的结合常数和结合位点数,并根据热力学参数确定了PTP与BSA之间的作用力主要为氢键或范德华力。根据Frster非辐射能量转移机理,测定了PTP与BSA相互结合时的作用距离,并用同步荧光技术讨论了其衍生物对BSA构象的影响。     

新型3,4-二烷基取代聚噻吩的合成、光学及电化学性能

通过Heck偶联法制备了一种新型聚噻吩衍生物——2,5-二乙烯基-3,4-二辛基噻吩-共-2,5-二苯基-1,3,4-(口恶)二唑(PO2TV-OXD),用核磁共振氢谱(1H NMR)及凝胶色谱(GPC)对其结构进行分析和表征.用紫外-可见光谱(UV-Vis)、荧光光谱(PL)及电化学分析研究其光学和电化学性能,并与3,4-二辛基噻吩均聚物(PO2T)进行了对比研究.研究表明:主链上引入吸电子能力较强的1,3,4-(口恶)二唑基团,明显增加了聚合物的能隙,提高了聚合物的荧光量子效率.     

Synthesis and Characterization of Three Vanadium（Ⅴ） Complexes Incorporating Tridentate Hydrazone Ligands of Thiophene-2-carboxylic Hydrazide and 2-Furoic Acid Hydrazide

Divanadium(Ⅴ) complex [VO(aptch)(μ-OCH3)]2(1) and two monovanadium(Ⅴ) complexes [VO(apfah))(OEt)](2a and 2b,H2aptch = 2-hydroxyacetophenone thiophene-2-car-boxylic hydrazone,H2apfah = 2-hydroxyacetophenone 2-furoic acid hydrazone) have been synthesized and characterized.Single-crystal X-ray diffraction studies reveal that 1 is a cen-trosymmetric dimer bridged by two methoxido O-atoms.Complex 1 crystallizes in the monoclinic crystal system,space groups P21/c with a = 7.4825(4),b = 17.0928(11),c = 11.6961(7) ,β = 98.172(4)o,Z = 2,F(000) = 728,μ = 0.829 mm-1,the final R = 0.0457 and wR = 0.1137 for 2654 observed reflections with I > 2(I).The vanadium(V) is coordinated to the tridentate ligand,ethanol molecule to form a distorted square-pyramidal geometry,complexes 2a and 2b.Although 2a and 2b have the same asymmetric unit,they belong to different space groups.Complex 2a crystallizes in the monoclinic crystal system,space groups P21/n with a = 10.2293(2),b = 15.6660(3),c = 10.6298(2) ,β = 116.259(1)o,Z = 4,μ = 0.676 mm-1;complex 2b crystallizes in the triclinic crystal system,space groups P with a = 8.2808(4),b = 9.4704(5),c = 10.0819(5) ,α = 86.133(3),= 81.956(3),γ = 80.248(3)o,Z = 2 and μ = 0.670 mm-1.The hydrogen bonds are found to exist in 2b only.The crystal structure is stabilized by intermolecular hydrogen bonds of C-H···O.     

聚乙撑二氧噻吩导电聚合物上吗啡的电化学检测

在水相中电沉积制备得到了聚乙撑二氧噻吩（PEDOT）导电聚合物膜,研究了沉积电量、沉积电位等因素对聚合物膜的电化学活性及其在水溶液中检测吗啡的电化学响应的影-向．结果表明．沉积电量为20～40mC,沉积电位为1．2V（相对于Ag／AgCl电极）时所得的聚合物膜对吗啡具有最高的电化学响应．在此基础上,研究了PEDOT膜修饰电极在不同浓度的吗啡水溶液中的电化学检测,发现在0．05～6mmol·L^-1浓度范围内具有很好的线性响应．最低检测限为0．05mmol·L^-1,相关系数达0．995．