首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   17988篇
  免费   5883篇
  国内免费   8748篇
化学   11974篇
晶体学   782篇
力学   3666篇
综合类   639篇
数学   2413篇
物理学   13145篇
  2024年   206篇
  2023年   636篇
  2022年   829篇
  2021年   842篇
  2020年   680篇
  2019年   656篇
  2018年   528篇
  2017年   703篇
  2016年   749篇
  2015年   822篇
  2014年   1727篇
  2013年   1345篇
  2012年   1367篇
  2011年   1470篇
  2010年   1354篇
  2009年   1468篇
  2008年   1586篇
  2007年   1210篇
  2006年   1295篇
  2005年   1476篇
  2004年   1242篇
  2003年   1496篇
  2002年   1197篇
  2001年   1172篇
  2000年   932篇
  1999年   636篇
  1998年   605篇
  1997年   529篇
  1996年   548篇
  1995年   558篇
  1994年   544篇
  1993年   401篇
  1992年   414篇
  1991年   376篇
  1990年   408篇
  1989年   331篇
  1988年   83篇
  1987年   70篇
  1986年   45篇
  1985年   29篇
  1984年   13篇
  1983年   16篇
  1982年   18篇
  1981年   1篇
  1980年   1篇
  1979年   4篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
101.
Na2CO3调质钙基脱硫剂硫化机理实验研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
对经Na2CO3溶液调质石灰石煅烧产物CaO的物理结构及硫化特性进行了研究,发现同等条件下调质后石灰石煅烧产物CaO(M-CaO)比未经调质的CaO(N-CaO)具有更高的钙转化率.利用XRD技术对CaO晶体结构进行了测定,通过比较二者的晶胞参数和晶格畸变度等并结合其孔特性,证实M-CaO之所以比N-CaO具有更高的钙转化率,是由于M-CaO比N-CaO具有更高的晶体缺陷浓度,使得在硫化反应过程中通过产物层的扩散具有更高的离子扩散率.  相似文献   
102.
通过考虑同类核子相干对间的四极相互作用,在IBM2中对Ce偶-偶同位素^128Ce-^138Ce的低激发态能谱和E2跃迁几率及分支比进行了理论分析,计算结果有效地改善了IBM中这些核的γ带能谱的Staggering现象描述,与实验观察到的低激发态结果基本一致。  相似文献   
103.
104.
105.
动态模糊随机信息处理的数学方法   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文系统地概述了我们近年来提出的动态模糊随机信息处理的数学方法,内容包括模糊随机变量、模糊随机过程和模糊随机微分方程的基本解法等方面的基本概念、基本定义和某些重要的定理,以及动态系统的模糊随机响应与可靠性分析的方法等。这些方法是为我们研究工程实际问题的需要逐步发展起来的,对于处理某些类型的问题简便实用。  相似文献   
106.
1H-NMR谱和13C双自旋回波的APT脉冲序列测定文献中尚未曾发表的化合物HC≡C-CH2-O-CCH3-O-CH2文中计算了峰强度与脉冲间隔时间的关系,讨论了各谱线的相位并区分出-CH3、-CH2、-CH和季碳。  相似文献   
107.
利用弹簧模型描述了有限元节点的中介状态,以平面刚架为例推导了公式,进而导出了隶属度与弹簧刚度的映射关系。建立了考虑节点中介性的结构优化模型,采用笔者提出的二阶梯度投影单纯形法求解。算例表明,具有节点中介状态的优化设计之煎量有增加的趋势,可见本文的思想对于避免设计偏于危险,使优化模型更趋合理是颇有意义的。  相似文献   
108.
介绍了电感储能功率调节装置的小型化结构设计,以及装置在高电压大电流条件下绝缘性能的优化设计。在以电容器(2μF、充电电压62kV)为初始能源条件下,在80Ω电阻负载上获得电压大于700kV、脉宽大于100ns、前沿小于50ns的脉冲输出,性能稳定可靠。  相似文献   
109.
110.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号