一氧化碳血红蛋白的一阶导数光谱测定法

研究血液中碳氧血红蛋白浓度在连二亚硫酸钠还原前后导数光谱的变化,建立血液中碳氧血红蛋白的565nm一阶导数光谱定量测定方法。方法在0—100%范围内线性关系良好,不同浓度的平均回收率99.9%。结果表明,本方法准确快速、结果令人满意。     

硫在Fe(111)面吸附的密度泛函研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统研究了不同覆盖度下硫在Fe(111)表面的吸附构型和吸附特性,计算并分析了硫在Fe(111)表面的吸附能、电荷密度、分波态密度、电荷布局、电子局域化函数等数据.研究结果表明:S在Fe(111)面的H位吸附最稳定,并且吸附能随着覆盖度的增加而增加.另外,电子态密度、电子局域化函数和布局分析表明Fe、S之间呈较弱的共价键,这种作用力主要是Fe的3d轨道和S的3p轨道杂化所贡献,而随着覆盖度的增加,Fe、S之间的作用力逐渐减弱,这可能是由于S原子之间的排斥力减弱了Fe、S之间的作用.S在Fe(111)、Fe(110)和Fe(100)这三个晶面上吸附情况的对比分析发现,S与Fe(111)表面的相互作用最强,Fe(100)面次之,而Fe(110)面最弱.     

氢离子对血红蛋白-氧亲和力影响的拉曼光谱研究

静脉采血,分离并制备血红蛋白溶液,用拉曼光谱方法观察不同pH时H+对血红蛋白-氧结合状态与能力的影响。结果显示:在514.5nm激光的激发下,当pH为7.4时,随着氧分压降低,血红蛋白在1 375,1 562,1 585和1 638cm-1峰强均逐渐减弱,其中以1 375和1 638cm-1峰渐变最明显且相关性显著。以氧分压为横坐标,拉曼峰强为纵坐标,对pH为5.7,7.4和8.0时的血红蛋白在1 375和1 638cm-1峰的强度及其氧分压进行线性拟合,结果显示2处的拟合效果均良好,拉曼峰强度/氧分压的斜率关系表现为K8.0>K7.4>K5.7,表明pH越低血红蛋白的氧亲和力越低,越有利于向组织释放氧气。研究表明,应用拉曼光谱技术可检测血红蛋白与氧的亲和力,通过对血红蛋白-氧亲和力的量化检测,可以观察pH对血氧结合状态的影响,为血氧分压的监测以及氢离子和二氧化碳等血氧亲和力调节因子调节能力的研究提供新的研究方法与理论基础。     

氢氧化铁共沉淀-活性炭吸附化学光谱法测定柴达木盆地西部油田卤水中的痕量金

采用氢氧化铁共沉淀,分离卤水中大量盐类,用盐酸溶解沉淀,在微酸性溶液中,直接以活性炭吸附卤水中微量金,然后对富集物进行光谱测定。该方法灵敏度高,测定结果可靠,可满足卤水中痕量金的批量检测。     

ATRP法制备纤维素-g-甲基丙烯酸甲酯共聚物

以纤维素为原料,甲基丙烯酸甲酯（MMA）为单体,离子液体（AMIMCl）为反应介质采用原子转移自由基聚合法（ATRP）制备了纤维素-g-甲基丙烯酸甲酯共聚物。通过FT-IR,1HNMR和GPC对聚合物进行了表征,考察了聚合反应的活性特征,反应温度、纤维素大分子引发剂取代度、催化体系以及单体用量对聚合物分子量及分子量分布的影响。通过紫外分光光度计测试了聚合物对有机酚类物质的吸附性能。结果表明,反应转化率随时间呈线性增加,反应过程活性可控,所得接枝共聚物对2,4-二氯苯酚有较好的吸附性能。     

饱和吸附H原子的Si（100）表面的光学二次谐波研究

测量了Ｓｉ（１００）（２×１）－Ｈ表面和Ｓｉ（１００）（３×１）－Ｈ表面的反射二次谐波强度随温度的变化关系，并与清洁的Ｓｉ（１００）（２×１）表面进行了比较。Ｓｉ（１００）（２×１）表面和Ｓｉ（１００）（３×１）－Ｈ表面的二次谐波强度随温度的上升而单调地减小，Ｓｉ（１００）（２×１）－Ｈ表面二次谐波强度随温度的变化不是单调的，约在４７０Ｋ时信号最大。可以根据二次谐波信号的强度及其随温度的变化关系来确定样品温度和表面结构。     

单重态氧发生器出口气流中水汽含量的光谱测量法

水汽的含量是化学法单重态氧发生器（ＳＯＧ）的重要性能参数之一，因为它不仅对Ｏ＿２（￣１△）有猝灭作用，而且在氧碘化学激光器（ＣＯＩＬ）光腔中对Ｉ￣＊也有严重猝灭作用。因此测控ＳＯＧ出口处的水汽含量有重要意义。本实验采用光谱强度比较法测量ＳＯＧ中的水汽含量，利用ＯＭＡ－３的二维扫描积累功能，可对不同测点的光谱进行同时扫描积累，从而可以对ＳＯＧ的数个测点同时进行水汽含量测定。测试精度可达±１０％。     

fcc结构过渡金属(100)表面上杂质与吸附原子的相互作用

用Allan的晶体表面模型,导出了紧束缚固体fcc(100)表面格林函数的解析表达式。用格林函数方法,讨论了fcc(100)表面上原子的化学吸附能以及替代杂质与吸附原子相互作用的一般性质。定性地预言了Ni,Pd,Pt(100)表面上过渡金属杂质对吸附H,O影响的趋势。 关键词：     

Role of Oxygen Vacancy Arrangement on the Formation of a Conductive Filament in a ZnO Thin Film

We perform first-principles calculations for ZnO thin films with oxygen vacancy defects. The densities of states, partial atomic densities of states, charge density differences and atomic populations are presented. We show that the SET process, i.e., from a high resistive state to a low resistive state, is attributable to the aggregation and regular arrangement of the oxygen vacancies, which causes the formation of conductive filaments and leads to the low resistive state of the system.