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61.
p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应. 相似文献
62.
文章合成了N,N'-二正丁基苝四羧酸二酰亚胺,并纯化、调晶,进行了IR、元素分析、X射线等测定.分析该化合物在DMF中的紫外光谱(最大吸收波长524.80 nm)、荧光光谱(最大发射波长539.0 nm)、Stokes位移(数值15 nm)等光谱性质.在400~700 nm范围内,α晶型薄膜紫外-可见吸收出现很强的吸收峰,且由β型变为α型,最大吸收波长有明显的红移(545 nm变为580 nm).X射线粉末衍射也反映出α晶型的2θ在26.0°处衍射峰CPS为2 508,β型在25.2°为1 891.α,β晶型作为电荷产生材料制得的功能分离型有机光导体,在光源滤波波长λ=532 nm曝光下,测得含α,β感光体达到饱和电位的时间分别为46,93.98 s,光衰电位(5.3千伏电压负充电电晕,1~2 s后的表面电位)分别为727和525 V,半衰曝光量分别为4.32,4.34μJ·cm-2,残余电位分别为30和45 V等光导性能数值. 相似文献
63.
分析了一个新的复杂的四维混沌系统的基本特性,该系统每个方程中包含一个三次交叉乘积项,共有9个平衡点,它们相对于原点和坐标轴具有完美的对称性,并且相对于线性特性和不变流形具有很好的相似性.描述了两个同时共存的对称双翼吸引子.最后,设计了一个模拟电路来实现这个新的四维混沌系统,表明数值仿真和电路实现具有很好的一致性,同时说明在应用上由于频率不同导致的仿真与物理实现之间的重要区别.
关键词:
四维混沌系统
Lyapunov 指数
共存双翼吸引子
电路实现 相似文献
64.
65.
Laves相贮氢合金是目前贮氢材料研究与开发的热点之一。本文概述了Laves相合金的结构、贮氢机理、贮氢性能以及它在Ni/MH电池应用中的最新进展。 相似文献
66.
采用热处理方法提高MEH-PPV单层聚合物有机发光二极管发光性能的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
对以MEH-PPV为发光层的单层聚合物有机发光二极管(OLED)器件在最佳条件下进行真空热处理,并用金相显微镜观察施加电压后器件的阴极表面形貌。发现处理后的器件阴极表面的气泡及黑斑明显减少。器件的发光性能显著提高。与未经处理的器件相比,最大相对发光强度提高了一个数量级、启亮电压降低了2.0V,半寿命提高了12.7倍。初步分析表明热处理方法提高器件发光性能的主要原因在于有效地减少了器件在工作过程中由于焦耳热产生的某些气体,从而减少阴极表面气泡及黑斑的出现,另一方面,热处理方法也增强了有机发光层与阴极接触界面的结合力,提高电子注入水平。 相似文献
67.
R_FN(O )R_F和R_FNO的F113溶液在室温下与一系列的对位取代苯甲醛反应,得到稳定的对位取代苯甲酰基全氟烷基氮氧自由基。由△a_N和△a_F~β的σ单参数相关以及△a_N与σ和σ 双参数相关表明:极性效应是影响氟烷基酰基氮氧自由基中氮原子自旋密度变化的主要因素,而自旋离域效应的影响是很小的。 相似文献
69.
N—烃氧丙酰基四氢噻唑—2—硫酮的合成 总被引:1,自引:0,他引:1
在三聚氯氰存在下由烃氧丙酸与四氢噻唑-2-硫酮反应得到N-烃氧丙酰四氢噻哇-2-硫酮(2a-i),由2a,c-h与格氏试剂反应得到烃氧乙基苯基酮(3a,c-h).产物2a-i未见报道. 相似文献
70.