全文获取类型
收费全文 | 5535篇 |
免费 | 1149篇 |
国内免费 | 3361篇 |
专业分类
化学 | 6823篇 |
晶体学 | 168篇 |
力学 | 209篇 |
综合类 | 175篇 |
数学 | 154篇 |
物理学 | 2516篇 |
出版年
2024年 | 28篇 |
2023年 | 128篇 |
2022年 | 166篇 |
2021年 | 205篇 |
2020年 | 143篇 |
2019年 | 149篇 |
2018年 | 109篇 |
2017年 | 164篇 |
2016年 | 199篇 |
2015年 | 236篇 |
2014年 | 429篇 |
2013年 | 397篇 |
2012年 | 337篇 |
2011年 | 350篇 |
2010年 | 356篇 |
2009年 | 424篇 |
2008年 | 448篇 |
2007年 | 390篇 |
2006年 | 380篇 |
2005年 | 412篇 |
2004年 | 416篇 |
2003年 | 387篇 |
2002年 | 361篇 |
2001年 | 326篇 |
2000年 | 292篇 |
1999年 | 286篇 |
1998年 | 306篇 |
1997年 | 340篇 |
1996年 | 291篇 |
1995年 | 272篇 |
1994年 | 261篇 |
1993年 | 211篇 |
1992年 | 221篇 |
1991年 | 192篇 |
1990年 | 168篇 |
1989年 | 153篇 |
1988年 | 50篇 |
1987年 | 23篇 |
1986年 | 15篇 |
1985年 | 6篇 |
1984年 | 9篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 2篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 804 毫秒
51.
52.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献
53.
Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved. 相似文献
54.
应用等效原理,通过引入口面上等效磁流将含腔导电目标电磁散射简化为腔内、外两个等效 问题. 腔内问题分段求解并应用级联法获得口面等效导纳矩阵;腔内外的耦合关系应用近似 边界元方法描述并由此获得口面等效磁流;最后,这一具有混合源的腔体内外一体化散射问 题则应用所提出的广义混合场积分方程方法建立电磁模型,并用多层快速多极子方法实现高 效数值求解. 实例计算结果与测试结果具有很好的一致性.
关键词:
含腔目标
电磁散射
混合场积分方程
数值分析 相似文献
55.
运用舍时密度泛函理论和局域密度近似方法,计算了水分子H2O在速度为12.5a0/fs的重离子C^+和C^2+作用下产生的各种电荷态的水分子离子的几率,平均逃逸电子敷和偶极矩的变化随时间的演化,计算结果表明,在重离子势最大时,电偶极矩的变化最大;重离子远离分子时,重离子的电荷态越高,产生高电荷态分子的几率反而越小。 相似文献
56.
57.
58.
掺Eu3+硅基材料的发光性质 总被引:9,自引:5,他引:4
通过溶胶-凝胶技术制备了掺Eu^3 的硅基材料并测试了其三维荧光光谱、激光谱和发射光谱,结果显示,最佳激发波波长为350nm,最强荧光波长为620nm;在350nm光激发下的发射光谱显示Eu^3 的特征发射光谱,产生4条谱带,分别是577nm(^5D0-^7F0),588nm(^5D0-^7F1),596nm(^5D0-^7F1)和610nm(^5D0-^7F2)。 相似文献
59.
在平均场理论架构下, 以含时金兹堡-朗道和Glauber动力学这两类动态模型为基础,研究 了受外场和温度共同驱动的Ising自旋体系的非平衡动态相变.确定了界定动态无序(动态顺 磁相P)和动态有序(动态铁磁相F)转变的动态相界.并根据动态序参量Q和Binder参数U随系统 温度t(r0)、驱动外场频率ω和振幅h0的变化规律,就上述两类模 型的动态相界上是否存在区分连续动态转变和非连续动态转变的三临界点这一引发争议的问 题做出了进一步分析说明.
关键词:
Ising自旋体系
非平衡动态相变
含时金兹堡-朗道模型
Glauber 动力学模型 相似文献
60.