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静电场边值问题的矩量法解 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用修正格林函数积分方程的矩量法数值解技术求解静电场边值问题。这种方法具有较边界积分法积分域小的特点,不仅有高的计算效率和精度,尤其适用于有无限延伸导体边界的边值问题。本文着重讨论与传输线问题等效的边值问题,这是典型的二维静电场问题,对高频和微波技术有重要的实用价值。本文方法也适用于三维静电场问题和交变电磁场问题。 相似文献
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首次用高压高温方法,在3.2~4.0 GPa,1 000~1 300 ℃下,对CeO2-R2O3(R=Eu,Gd),CeO2-Tb4O11,Pr6O11-Tb4O7稀土氧化物进行合成实验,得到具有F型结构的CeEuO3.5,CeGdO3.5,CeTbO3.5;B型结构的CeEuO3,CeGdO3,CeTbO3,PrTbO3和P型结构的PrTbO3。PrTbO3是迄今自然界尚未发现,文献未见报导过的新物质。对上面的产物和NdYbO3、PrTmO3,利用高、低温X射线衍射实验,检测了其结构的稳定性,结果指出:从300 ℃直到1 000 ℃,发生由B型CeROx向F型CeROx(R=Eu,Gd,Tb)、B型PrTbO3向C型PrTbO3的结构转变。F型CeROx属于氧缺位萤石型结构。 相似文献
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采用温度梯度法生长了熔体掺杂Ce浓度为1at%的YAlO3晶体,对于其吸收光谱、荧光光谱和x射线激发发射谱进行了表征分析.根据吸收光谱提出了一个色心模型,从而成功的解释了为什么刚生长出的晶体为粉红色,而分别经氢气和空气在1400℃退火后均能变为无色的现象和退火以后吸收光谱发生的显著变化.温度梯度法生长的Ce:YAP在330nm处存在着一定程度的自吸收和自激发.光致激发发射谱的发射主峰在368nm,而x射线激发发射谱的主发射峰红移至391nm,这表明在x射线激发下,晶体对发射光的自吸收将会减少.另外在x射线激发发射谱上,经H2退火和空气退火后的样品其发射强度比未退火的晶体要强. 相似文献
999.
1000.