退火对ZnO薄膜质量的影响

用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在蓝宝石（0001）衬底上制备了c轴取向的高质量的ZnO薄膜,通过在生长温度下氧气和氮气中退火处理的比较,研究了退火对ZnO薄膜结构和发光特性的影响。通过X射线衍射测量得知,经过氮气和氧气退火都可以使其002峰增强,且在氧退火中表现得尤为明显。光致发光测量发现氮气中退火的ZnO薄膜的紫外发光峰明显增强,而深能级发光峰明显减弱;而氧气中退火的ZnO薄膜的紫外发光峰略有减弱,而深能级峰显著增强。     

选择离子储存技术用于分析气溶胶中的多环芳烃

探讨了气质联用结合选择离子储存技术 (GC/MS/SIS)对大气气溶胶中的多环芳烃 (PAHs)进行定性定量分析的可行性。采集的气溶胶样品经索氏提取、吹氮浓缩后进行 GC/MS/SIS分析 ,结果表明完全满足定性及定量分析要求。该法简化了预处理步骤 ,提高了复杂基体中 PAHs分析的灵敏度。     

蒙成药如达多糖的研究

从蒙成药如达中提取水溶性多糖,硫酸-苯酚法测定其含量。平均回收率为99.8%,RSD为0.94%。GC测定了水溶性多糖的组成为葡萄糖、半乳糖和甘露糖。其摩尔比为:6.33:3.25:1.59。     

肉豆蔻化学成分的GC-MS研究

用气相色谱-质谱联用技术对肉豆蔻的化学成分进行了研究。共鉴定出41种成分,占总分离成分的78.85%,其中4-甲氧基-6-(2-丙烯基)-1,3-苯并二恶茂含量最高,占总分离成分的20.72%。     

人血浆中氯雷他定浓度的LC-MS测定

建立了LC-MS法测定人血浆中氯雷他定浓度的方法。血浆在碱性条件下用乙醚-二氯甲烷(2.5∶1,V/V)提取,以罗哌卡因为内标,采用ZORBAX Eclipse XDB-C8柱,API-ES质谱检测器,正离子模式,采集方式为SIM。流动相为乙腈-水(0.2%NH4Ac,0.1%HAc)。氯雷他定在0.2—50ng/mL范围内线性关系良好,相对回收率为88.0%—98.6%,RSD小于10%,定量下限为0.2ng/mL。     

氢原子谱线与高质量金刚石薄膜

采用蒙特卡罗方法,对以CH₄/H₂混合气体为源气体的电子助进热丝化学气相沉积(EACVD)中的氢原子发射过程进行了模拟。在模拟中考虑了电子与H₂的弹性碰撞及振动激发、分解、电子激发(包括H_α, H_β, H_γ谱线的激发)、电离及分解电离等非弹性碰撞过程;与CH₄的碰撞考虑了弹性动量传输及振动激发、分解、电子激发、分解激发(包括H_α, H_β, H_γ谱线的激发)、电离及分解电离等非弹性碰撞过程。研究了不同实验条件下产生的H, CH₃的数目与氢原子谱线相对强度的关系,给出了一种利用氢原子谱线来获得最佳成膜实验条件的方法。对于有效控制工艺条件,生长出高质量的金刚石薄膜具有重要意义。     

SPME-GC-MS快速分析炼油厂废水中痕量VOCs

采用固相微萃取-气相色谱-质谱联用(SPME-GC-MS)对炼油厂废水中痕量挥发性有机化合物(VOCs)进行了定性分析,简化了预处理过程,总分析时间为1h左右.对比处理前后的废水样品的MS定性结果,为废水处理工艺的评价以及有机物降解机理提供了依据.     

AC发泡剂中一种助发泡剂的鉴定

目前国内外通过在AC发泡剂中添加各种促进剂进而获得改性AC的方法已成为一种趋势。添加何种改性剂无疑是研究改性AC的关键。因此定性分析AC中的改性剂,对改性AC的研发将有极大的帮助。文章应用由作者在Vibrational Spectroscopy上首次提出的薄层色谱显微傅里叶红外联用的方法,鉴定出某改性AC中一种罕见添加剂的官能团,结合元素分析及化学物性分析等,推测出此添加剂的结构。通过对推测物质碎裂机理的解释和未知添加剂质谱图的分析,进一部验证了该添加剂为所推测的物质。这种鉴定方法同样适用于AC中其他无标准图谱的改性剂分析。     

CHBr薄膜制备的初步研究

碳氢（cH）及其掺杂材料常被用作ICF实验靶丸烧蚀层材料。制备CH薄膜及其掺杂材料的方法有很多，诸如：离子束辅助沉积、离子溅射沉积、低压等离子体化学气相沉积（LPPCVD）等。近年来，详细研究了LPPCVD法制备CH薄膜的制备方法与工艺，形成了比较成熟的技术路线与工艺路线，并为“神光”实验提供了一系列实验靶丸。     

Improvement of Properties of p-GaN by Mg Delta Doping

The Mg-delta-doped GaN structure has been grown by low-pressure metalorganic chemical vapour deposition.The Hall-effect measurements reveal that the electrical properties are enhanced. The hole concentration is enhanced twice and hole mobility is enhanced three times by Mg-delta doping. Both the etch pit density data and the x-ray diffraction data demonstrate that Mg-delta doping can reduce the threading dislocation density of p-type GaN epilayer.