红外光谱法对熔铁催化剂结构及掺稀土后变化的研究

红外光谱法对催化剂的表面态、吸附特性等已有不少研究工作.但对熔铁催化剂的组成分析尚未见报道。近年来,Mossbauer效应、X光衍射等研究提供了熔铁催化剂的组成、性能、特别是催化活性的重要信息.但由于熔铁催化剂化学组成复杂,掺稀土元素对催化剂组成及活性影响较大,是制备高活性催化剂的重要途径,有必要对其组成及各种物质的存在形式作深入研究.本文将对不同催化剂样品在相同条件下测其红外谱图,进行对比分析,确定结构组成,并说明不同稀土氧化物及掺入量的变化对催化剂结构的影响.     

La掺杂Bi-2201单晶中宏观相分离迹象的发现及研究

在对系列Ｌａ 掺杂的Ｂｉ２Ｓｒ２ － ｘＬａｘＣｕＯ６ ＋ δ单晶的研究中,我们发现在极度Ｌａ 掺杂（ 空穴极度欠掺杂） 的样品中有高达３６Ｋ 的超导相出现．Ｘ 射线衍射图（ＸＲＤ） 和电镜照片都表明这种极度空穴欠掺的样品有很好的单相性,从而排除了样品化学不纯的可能．另外,对这种样品进行脱氧处理后,此超导电性相应消失,说明了这种高Ｔｃ 的超导电性是由活动性空穴掺杂引起的．虽然对相应样品在正常态的磁测量没有测出反铁磁峰（Ｎｅｅｌ 峰） ,但对系列样品的拉曼散射研究发现样品随着Ｌａ 含量的增多,其反铁磁交换作用明显加强．所以,我们认为这种高Ｔｃ 超导电性的出现是在Ｂｉ２２０１ 体系中存在宏观相分离的明显迹象     

Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1—xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率？…

系统地研究了Ｇｄ掺杂对Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＧｄｘＣｕ２Ｏｙ单晶超导电性及各向异性电阻率的影响。Ｔｃ满足Ｔｃ／Ｔｃ,ｍａｘ＝１－８２．６（ａｘ＋ｂ）＾２,并随Ｇｄ含量的增加而下降,这是由于Ｇｄ掺杂引起载流子浓度减小所导致。在ｘ≥０．１９时,ρａｂ（Ｔ）在Ｔｃ随近有类半导体行为,ｄρａｂ／ｄＴ随Ｇｄ含量的增大而增大。ρｃ（Ｔ）呈半导体行为,并可用唯象公式ρｃ（Ｔ）＝（ａ／Ｔ）ｅｘｐ（△／Ｔ）＋ｂＴ＋     

Yb：YAG晶体中的荧光浓度猝灭现象

在Ｙｂ：ＹＡＧ晶体中发现浓度猝灭现象,对猝灭机制进行了分析研究,指出退火前晶体的荧光浓度猝灭现象主要由Ｙｂ＾２＋、色心和由此产生的晶格畸变所致高掺杂浓度时痕量稀土杂质离子的存在也将导致浓度猝灭,确定了Ｙｂ：ＹＡＧ晶体中Ｙｂ＾３＋的理想掺杂浓度。     

掺Sb对PbWO_4晶体发光性能的改善

首次报道了ＰｂＷＯ４：Ｓｂ的光谱特性,包括透射谱和Ｘｅ灯光源激发的发射谱与激发谱．掺Ｓｂ具有增强绿光带、抑制红光带并大幅度提高光产额的效果．通过与空气退火ＰＷＯ发光的比较,对绿光带的起因、Ｓｂ掺杂的作用也进行了简要的讨论．     

掺Yb双包层光纤激光器波长调谐输出

采用调节腔损耗以调节阈值的方法实现了掺Yb双包层石英光纤激光器的波长调谐输出 调谐范围达50nm 、步长约2nm 当损耗增大阈值升高时,激射波长向短波方向漂移.利用石英中Yb³⁺的能级结构和光谱特性对以上规律进行了定性解释.     

高性能碳材料在HL—1M边缘等离子体中的辐照实验

碳材料尤其是掺杂改性的石墨和C／C复合材料仍是面对等离子体壁材料（PFM）的首选之一。近年来,我们用热压方法研制了一系列的硼（B）、钛（Ti)、硅（Si)掺杂石墨和B4C掺杂C／C复合材料。化学溅射和氢滞留与解吸实验研究表明,一定量的B杂质能够有效地减少化学溅射产额,降低氢和甲烷的解吸温度和减少甲烷的解吸产额。然而单项的模拟实验对于检验材料的综合性能是不够的,为此,有必要将材料引入Tokamak进行材料的边缘等离子体辐照实验,以研究材料的综合性能和协同效应机制,从而为材料的研制提供第一手的数据。     

双金属复合氧化物的结构与紫外阻隔性能

双金属复合氧化物（ＣＬＤＨ）是一类发展迅速的无机层状材料的煅烧产物,在催化、吸附等领域已获长足进展［１］,但作为紫外阻隔材料的性能研究尚鲜见报道．本文研究了不同双金属复合氧化物的紫外阻隔性能,结果发现二价金属离子为锌离子的ＣＬＤＨ具有良好的紫外阻隔性能．实验所用试剂均为分析纯．ＣＬＤＨ由ＮａＯＨ,Ｎａ２ＣＯ３,ＭｇＳＯ４·７Ｈ２Ｏ,ＺｎＳＯ４·７Ｈ２Ｏ,Ａｌ２（ＳＯ４）３·１８Ｈ２Ｏ为原料,按文献［２］方法制备．ＺｎＯ＋Ａｌ２Ｏ３复配物是按一定比例机械混合后,研磨,并在与ＣＬＤＨ相同的条件下煅烧…     

立方Gd2O3∶Eu纳米晶及光谱性质

用透射电镜拍摄球形ＣＧｄ２Ｏ３∶Ｅｕ纳米晶,并研究了室温下它的激发和发射光谱。结果表明,９００℃制备的体材料和相应的纳米晶相比,其激发光谱存在明显差异。前者以基质激发带为主导,电荷转移带（ＣＴＢ）很弱,而后者以ＣＴＢ为主。在绝缘体稀土氧化物中,可以忽略纳米效应对Ｅｕ３＋离子的４ｆ４ｆ能级跃迁的激发和发射光谱峰位的影响     

钐对不同氧空位SnO2气敏性能的影响

用Ｓｍ对不同氧空位浓度的ＳｎＯ２－ｘ气敏材料进行掺杂化学改性,并进行ＸＲＤ,ＸＰＳ,ＳＥＭ分析和比表面积测定,考察改性后的气敏材料对Ｃ６Ｈ６,Ｃ６Ｈ１２,Ｃ２Ｈ５ＯＨ,ＣＯ,Ｈ２等的气敏性能。