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992.
993.
研究了Er3+离子掺杂钡镓锗玻璃的吸收光谱、拉曼光谱和上转换光谱.分析了Er3+离子在钡镓锗玻璃中的上转换发光机理.结果表明:玻璃的最大声子能量为828cm-1,紫外截止波长为275nm.采用800nm和980nmLD激发玻璃样品,在室温下观察到强烈的上转换绿光和红光发射.随着Er3+离子浓度的增加,绿光发光强度先增加后减小,而红光发光强度呈单调递增趋势.能量分析表明:800nmLD激发产生的绿光主要源于Er3+离子4I13/2能级的激发态吸收过程;红光发射主要源于Er3+离子4I13/2能级与4I11/2能级之间的能量转移过程.980nmLD激发产生的绿光主要源于Er3+离子4I11/2能级之间的能量转移过程;而红光发射主要源于Er3+离子4I13/2能级与4I11/2能级之间的能量转移过程和4I13/2能级的激发态吸收过程.通过量子效率分析,发现采用800nmLD激发Er3+离子掺杂浓度为1mol% 的样品时,上转换绿光发光效率最高.
关键词:
上转换发光机理
3+离子掺杂')" href="#">Er3+离子掺杂
钡镓锗玻璃 相似文献
994.
借助于Tersoff势函数和分子动力学模拟技术研究了室温下500eV的能量粒子硼(4个)和氮(8个)共掺入金刚石晶体中所引起的损伤区域内晶体微细观结构的变化特征以及后续加热退火晶体结构的演变特征.结果表明:随着掺入原子数目的增加,受影响的区域范围渐渐增大,12个粒子全部注入金刚石晶体后局部影响区域的半径达0.68nm,损伤区域中心的三配位原子数增加而四配位数原子数量减少.加热退火过程中损伤中心区域的原子发生扩散,部分原子的扩散距离达到4个晶格间距.加热退火使损伤区域中心原子间的平均键长趋于金刚石结构的键长.退火后薄膜中注入的杂质原子向表面扩散引起应力分布产生变化,杂质原子经过一系列的扩散过程能够到达空位的位置,减少薄膜中空位数量,减小晶格畸变程度,原子向表面扩散引起应力产生重新分布,薄膜中应力峰值的峰位向薄膜表面发生移动,局部应力集中程度降低.通过不同退火温度的比较发现低温下退火(800℃)更有利于空位的运动和晶格损伤的恢复从而提高晶格质量.
关键词:
金刚石共掺杂
分子动力学
退火 相似文献
995.
运用负值量子条件熵研究了双量子系统一类混合态的纠缠量度.给出了负值量子条件作为条件熵纠缠度的定义,证明了条件熵纠缠满足作为2×2系统一类混合纠缠态量度的四个基本条件.当双量子系统处于纯态时,条件熵纠缠度即为部分熵纠缠度.应用条件熵纠缠度研究了真空腔场中两全同二能级原子之间纯态和一类混合态纠缠的时间演化,比较了相同条件下两全同原子系统concurrence纠缠度的时间演化.结果表明,两纠缠度演化规律完全一致,验证了负值量子条件熵可以作为双量子系统纯态和一类混合态的纠缠量度.
关键词:
双量子系统
负值量子条件熵
条件熵纠缠度
混合态纠缠度 相似文献
996.
采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,其中非掺杂体系的理论值与实验值符合很好. 计算了掺杂InN晶体的结合能,总体态密度、集居数,差分电荷密度,并对此做了细致的分析. 计算结果表明,相对于Zn和Cd,MgIn在InN中的溶解度会更大,并能提供更多的空穴态,非常有利于InN的p型掺杂.
关键词:
氮化铟
p型掺杂
电子结构
第一性原理 相似文献
997.
采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器件性能.研究表明,Si掺杂提高了Sb2Te3薄膜的晶化温度以及薄膜的晶态和非晶态电阻率,使得其非晶态与晶态电阻率之比达到106,提高了器件的电阻开/关比;同Ge2Sb2Te5薄膜相比,16at% Si掺杂Sb2Te3薄膜具有较低的熔点和更高的晶态电阻率,这有利于降低器件的RESET电流.研究还表明,采用16at% Si掺杂Sb2Te3薄膜作为存储介质的存储器器件原型具有记忆开关特性,可以在脉高3V、脉宽500ns的电脉冲下实现SET操作,在脉高4V、脉宽20ns的电脉冲下实现RESET操作,并能实现反复写/擦,而采用Ge2Sb2Te5薄膜的相同结构的器件不能实现RESET操作.
关键词:
相变存储器
硫系化合物
2Te3薄膜')" href="#">Si掺杂Sb2Te3薄膜
SET/RESET转变 相似文献
998.
999.
基于稳定性理论,提出了一种状态反馈控制混沌的方法。介绍了该方法的控制原理以及各个预期的周期轨道反馈系数的选取原则。以Gibbs光学双稳系统为例,验证了该方法的有效性。数值结果表明,通过调节反馈系数,可以将系统控制在所需的目标轨道上。 相似文献
1000.
采用PVA溶胶-凝胶方法,在玻璃衬底上制备了Zn1-xCoxO薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)研究了不同Co含量对其微结构的影响.采用振动样品磁强计(VSM)测量了Zn0.88Co0.12O样品室温下的磁性.采用荧光光谱仪研究了Zn1-xCoxO样品室温下的发光特性,分析掺杂含量对其发光性能的影响,发现随着掺杂含量的增加,蓝光发光峰有一定的红移现象.
关键词:
PVA方法
ZnO
掺杂 相似文献