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对氧碘化学激光器的单重态氧发生器(SOG)进行了改进,采用横向射流方式,并对该横向射流式单重态氧发生器的性能进行了检测。实验中过氧化氢碱溶液温度控制在-16℃左右,氯气流量为530mmol/s,He与氯气的流量比为3;采用PS法测量单重态氧分子的产率,吸收法测量氯气的利用率和相对水含量。得出如下结论:在不使用冷阱和分离器的情况下,最高单重态氧分子产率达到58%, 氯气利用率在80%以上,相对水含量小于等于0.5;气体达到最大流量时,发生器仍然能稳定地工作。 相似文献
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著名电化学家、中国科学院资深院士吴浩青教授今年迎来他的九秩华诞.在半个多世纪来,吴老以他广博的学识和勤奋的精神为我国电化学事业作出了突出的贡献. 相似文献
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本文给出了 n阶 r-不可分矩阵的本原指数的上界 ,即任 n阶 r—不可分矩阵 A的本原指数 (A)≤n+(r- ) 2r (1≤ r相似文献
75.
在这篇文章中,我们讨论了李双代数胚之间的态射,得到了一些李双代数胚之间态射的性质.研究了泊松群胚在泊松流形上的泊松作用,以及这个泊松作用与被作用流形的切李双代数胚到作用泊松群胚的切李双代数胚之间的态射的关系,得到了一些有用的结论。 相似文献
76.
We propose a scheme for light amplification in an asymmetric double quantum well, where two excited states are coupled by resonant tunnelling through a thin barrier in a three-level system of electronic subbands. By applying a single driving laser, the steady state gain can be obtained. The calculated gain spectrum for an asymmetric GaAs/AlGaAs double quantum well structure was presented. 相似文献
77.
Multi-Partite EPR Entangled State Representation for Continuous Variables and Its Application in Squeezing Theory 下载免费PDF全文
By extending the Einstein-Podolsky-Rosen (EPR) bipartite entanglement to an n-partite case, we construct the common eigenstate of the n-partite total coordinate and relative momenta for the continuous variables. The entanglement property of the state is shown. The classical dilation transform of variables in such a state induces a new n-mode squeezing operator related to an n-mode bosonic operator realization of SU(1,1) Lie algebra. 相似文献
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Structure and Photoluminescence of Nano-ZnO Films Grown on a Si (100) Substrate by Oxygen- and Argon-Plasma-Assisted Thermal Evaporation of Metallic Zn 下载免费PDF全文
Nano-ZnO thin films were prepared by oxygen- and argon-plasma-assisted thermal evaporation of metallic Zn at low temperature, followed by low-temperature annealing at 300℃ to 500℃ in oxygen ambient. X-ray diffraction patterns indicate that the nano-ZnO films have a polycrystalline hexagonal wurtzite structure. Raman scattering spectra demonstrate the existence of interface layers between Zn and ZnO. Upon annealing at 400℃ for i h, the interface mode disappears, and photoluminescence spectra show a very strong ultraviolet emission peak around 381 nm. The temperature-dependent PL spectra indicate that the UV band is due to free-exciton emission. 相似文献
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