氮－14远程核四极共振谱仪

为了满足检测与探头有一定距离的含氮化合物的核四极共振信号，本文研制了一台结构简单，造价低廉的核四极共振操测仪．它利用了脉冲付里叶变换技术，可将获得的核自由感应衰减信号或者回波信号进行相干累加．整个系统分硬件和软件两大部分．前者由射频脉冲放大器（约５００Ｗ脉冲输出功率），探头，接收机，ＭＣＳ－９６型单片机和ＰＣ机构成．后者由单片机上的脉冲序列程序与ＰＣ机上的数值信号处理程序组成．利用这台谱仪，可以在几十秒时间内得到距离探头线圈１０ｃｍ内的典型￣（１４）Ｎ样品的核四极共振谱．     

过渡金属氢化物和聚集双键化合物反应的研究Ⅲ.用ESR方法考察二茂锆氢化物与RNCS的反应机理

本文用ESR方法考察了Cp₂ZrH) Cl与RNCSR=C₆H₅,c-C₆H₁₁,n-C₄H₉)的反应的过程,结果表明,在这类反应过程中,Zr-H键发生均裂,中心金属锆经过+4-→+3-→+4的价态变化,反应通过自由基机理进行.     

原子簇产生的统计规律与结构分析（Ⅲ）

多元原子簇的形成受统计规律所控制。由统计规律描述的原子簇通式为ＡＢｎ或ＡＢｎＣｍ，其中Ｂ，Ｃ为构成原子簇的可变的活性单元，它可能是单个原子，也可以是由几种元素组成的化合物集团，Ａ是同一系列原子簇的核心，由不同的Ａ加减Ｂ，Ｃ所生成的原子簇系列由不贩统计分布曲线来描述，从统计学观点来看，多元原子簇中的所胆ＡＢｎ和大部分（ＡＢｎ）Ｃｍ都可归为一类，具有与二元原子簇相似的规律，还有一些多元簇ＡＢｎＣｍ包含     

固态离子学及其材料与器件

 固态离子学是一门研究固态中离子运动的现象和技术的新学科.它包括从现象和原子尺度上对晶态、非晶态、有机和无机固体中离子迁移过程的理解,这些材料(称为固态离子学的材料)的特性与其它材料的特性之间的关系,对其一般和专门过程的描述,以及日益增长的许多实际应用.近年来在能量的储存和转换、环境保护领域中的许多实际应用大大加速了这一学科的研究和发展.     

最小二乘—红外光谱法定量测定羟基化合物

根据羟基伸缩振动吸收带的特性，用最小二乘法有效消除了溶液中羟基间的缔合作用对测定结果的影响。此方法已用于聚合物中羟基含量的测定。     

Wide-Band Polarization-Insensitive High-Output-Power Semiconductor Optical Amplifier Based on Thin Tensile-Strained Bulk InGaAs

A polarization-insensitive semiconductor optical amplifier (SOA) with a very thin active tensile-strained InGaAs bu/k has been fabricated.The polarization sensitivity of the amplifier gain is less than 1 dB over both the entire range of driving current and the 3dB optical bandwidth of more than 8Onto.For optical signals of 1550nm wavelength,the SOA exhibits a high saturation output power 7.6dBm together with a low noise figure of 7.SdB, fibre-to-fibre gain of 11.5dB,and low polarization sensitivity of 0.5dB.Additionally,at the gain peak 1520nm,the fibre-to-fibre gain is measured to be 14.1 dB.     

Optical and Electronic Properties of InGaN／GaN Multi—Quantum—Wells Near—Ultraviolet Lighting—Emitting—Diodes Grown by Low—Pressure Metalorganic Vapour Phase Epitaxy

The near-ultraviolet lighting-emitting-diodes (UV-LEDs) with the InGaN/GaN multi-quantum-well (MQW) structure were grown by low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy. The double crystal x-ray diffraction revealed a distinct second-order satellite peak. The near-ultraviolet InGaN/GaN MQW LEDs have been successfully fabricated to emit at 401.2nm with narrow FWHM of 14.3nm and the forward voltage of 3.6 V at 20 mA injection current at room temperature. With increasing forward current from l 0 mA to 50 mA, the redshift of the peak wavelength was observed due to the band-gap narrowing caused by heat generation.     

浅谈Wittig-Horner反应及其在有机合成中的应用

对Wittig Horner反应进行了综述 ,并讨论了膦酯类与羰基化合物反应的机理、立体化学 ,并介绍此反应在有机合成上的应用。