二元光学反／衍混合Schmidt望远系统光学设计

针对空间光学系统轻型的特点，采用衍射光学元件取代Ｓｃｈｍｉｄｔ校正板来校正系统像差，设计了一个二元光学反／衍混合Ｓｃｈｍｉｄｔ望远系统。光学系统的通光孔径为＝２００ｍｍ，相对孔径Ｆ／＃＝１．９，波长λ＝４．３μｍ，视场２ω＝１０°。光学设计采用ＯＳＬＯｓｉｘ软件。光学设计结果：空间频率ν≤６０ｃｙｃｌｅｓ／ｍｍ时，调制传递函数ＭＴＦ≥０．４。     

VO332＋53爆发时气体流的结构

运用气盘和缓慢加速星风的混合模型，计算了由Ｂｅ星和中子星组成的双星系统的Ｘ射线光度的变化，与ＶＯ３３２＋５３的观测资料作了较好的拟合。     

儿童的铅中毒问题——I．彩色油墨中铅的测定

用能量色散X射线荧光分析法测定了某厂生产的44种彩色油墨纸中的铅含量，结果发现，除5种油墨外，其它39种彩色油墨纸中的铅含量均比对照纸中高9倍以上。其中桔黄色、桔红色树脂胶版油墨高500倍以上，棕色树脂胶版油墨高379倍，深黄色和柠檬黄色树脂铅印版油墨分别高170和113倍，这表明，彩色油墨印刷品可能是儿童慢性铅中毒的重要污染源。     

薄膜结构分析中的低角X射线衍射方法

利用带折射修正的布喇格衍射定律和薄膜光学理论分析了低角Ｘ射线衍射谱中出现的一系列现象，导出了多层膜周期厚度和周期中不同材料间的配比率的计算公式，对多层膜的低角射线衍射谱中主峰间的次峰现象作出了解释，并对低角Ｘ射线衍射测量单层膜厚度进行了分析，给出了精确的测厚公式。     

类锂硅离子能级结构及软X射线激光光谱理论计算

本文采用Hartree-Fock自洽场方法,从理论上计算出类锂硅离子1s~2nl(n=2～7,l=0～5)各能级能量,并给出在极紫外(波长小于400(?))范围内各跃迁谱线的光谱性质、波长、振子强度和跃迁几率.对实验中已实现软X射线激光的跃迁(5d-3p,5f-3d,6d-3p,6f-3d),计算所得的跃迁波长与实验值完全相符.与现有文献的波长比较,相对误差不超过1%.     

Crystallization of Ge2Sb2Te5 phase—change optical disk media

In this paper, the crystallization behaviour of amorphous Ge₂Sb₂Te₅ thin films is investigated using differential scanning calorimetry), x-ray diffraction and optical transmissivity measurements. It is indicated that only the amorphous phase to face-centred-cubic phase transformation occurs during laser annealing of the normal phase-change structure, which is a benefit for raising the phase-change optical disk's carrier-to-noise ratio (CNR). For amorphous Ge₂Sb₂Te₅ thin films, the crystallization temperature is about 200℃ and the melting temperature is 546.87℃. The activation energy for the crystallization, E_a, is 2.25eV. The crystallization dynamics for Ge₂Sb₂Te₅ thin films obeys the law of nucleation and growth reaction. The sputtered Ge₂Sb₂Te₅ films were initialized by an initializer unit. The initialization conditions have a great effect on the reflectivity contrast of the Ge₂Sb₂Te₅ phase-change optical disk.     

常压MOCVD生长Ga2O3薄膜及其分析

以去离子水(H₂O)和三甲基镓(TMGa)为源材料,用常压MOCVD方法在蓝宝石(0001)面上生长出β-Ga₂O₃薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)以及二次离子质谱(SIMS)实验表征Ga₂O₃外延膜的质量.在X射线衍射谱中有一个强的Ga₂O₃(102)面衍射峰,其半峰全宽(FWHM)为0.25°,表明该Ga₂O₃外延膜是(102)择优取向.在二次离子质谱中除了C、H、O和Ga原子外,没有观测到其他原子.