新型含吡啶基团二羧酸配体的合成及单晶培养

以1，4-二溴-2，5-二甲基苯和4-吡啶硼酸为原料，经两步合成了一种新颖的含吡啶基团的二羧酸配体。通过核磁共振氢谱及傅里叶变换红外光谱对配体结构进行表征，通过热重分析对配体的热稳定性进行了测试；通过溶剂热法对配体的单晶进行培养，并考察反应温度、时间、pH和溶剂等条件对单晶培养的影响。结果表明：在反应温度为80 ℃，反应时间为12 h、溶剂为蒸馏水、溶液pH=5的条件下可获得高质量单晶。该配体为单斜晶系，属于C2/c空间群，结构中含有4个氧原子和2个氮原子，可为金属离子的配位提供足够的位点，有望应用于配合物的设计或催化、吸附和医药载体等行业。     

铁电单晶0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3折射率的研究

用最小偏向角法在20℃下精确测量了0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3(0.62PMN-0.38PT)单晶的折射率,给出了该温度下折射率色散的Sellmeier方程.研究了能带结构与折射率的关系,计算了样品的Sellmeier光学系数:对no,E0=5.50eV,λ0=0.226μm,S0=1.004×1014m-2,Ed=28.10eV;对ne,E0=5.57eV,λ0=0.223μm,S0=1.017×1014m-2,Ed=28.10eV.ABO3型钙钛矿材料中,BO6八面体基元决定了晶体的能带结构,对折射率产生重要影响.     

铁电单晶Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3的高场致应变及其在层叠式驱动器中的应用

通过研究(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 (PMNT)单晶在不同方向、不同组分下高场致应变的特性,确定了〈001〉取向PMNT单晶(29%≤x≤31%)为制作层叠式驱动器的最佳组分范围,这组分的单晶具有高场致应变、低滞后而且性能较稳定的特点.研究结果表明,在保证应变曲线的线性和低滞后的前提下,将近-2kV/cm的负电场能够运用于〈001〉方向的PMNT晶体上. 40层(每片晶片尺寸为7mm×7mm×0.7mm)PMNT层叠式驱动器在电场 -1.5-10kV/cm的驱动下,可以获得38.1μm的纵向位移,负载40N的重量后,位移量减为34μm.     

Nd：YVO4晶体α向生长研究

采用固-液两相混合，使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd：YVO4多晶原料，降低固相合成反应温度，减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件，采用提拉法，以(100)方向进行单晶生长，得到一系列掺杂浓度的Nd：YVO4单晶。     

单晶光纤损耗谱测量装置

本文描述了一套用以测量单晶光纤损耗谱的装置。本装置由卤钨灯,单色仪,积分球,AgORbCs光电倍增管以及数据采集,处理和控制系统组成。可测量300～1150nm的光谱范围。利用本装置可获得单晶光纤的吸收光谱,透过率谱,散射光谱以及散射位置谱。     

顶部籽晶法生长磁光晶体硼酸铁

本文首次采用顶部籽晶泡生法在敞开体系中生长了出了磁光晶体硼酸铁单晶。选用Ｂ２Ｏ３作自助溶剂，ＬｉＦ作稀释剂，确定了原料配方。对长出的晶体作了初步的物化性能测试。讨论了晶体生长的结果。     

单晶和多晶纯铝蠕变过程中的内耗

研究了单晶和多晶纯铝蠕变过程中的低频内耗. 在单晶纯铝中观察到: 内耗在蠕变初期单调下降, 在蠕变第一阶段后期出现了一个显著的时间内耗峰, 在蠕变第二阶段内耗趋于稳定值. 多晶纯铝在类似实验条件下则不出现时间内耗峰. 文中分析了出现时间内耗峰的条件和原因, 认为它是由于蠕变第一阶段中运动位错的阻尼系数逐渐增大所引起的. 文中还从蠕变过程中位错运动的微观机制出发, 推导出了蠕变过程中内耗的表达式, 满意地解释了实验结果. 关键词：     

Crystal-Orientation Dependent Evolution of Edge Dislocations from a Void in Single Crystal Cu

The micro-void growth by dislocation emission under tensile loading is explored with focus on the influence of crystal orientations. Based on the elastic theory, a dislocation emission criterion is formulated. It is predicted that the preferential location of dislocation nucleation and its threshold stress are dependent on the crystal orientation. Large-scale molecular dynamics （MD） simulations are also performed for single crystal copper to illustrate the dislocation evolution pattern associated with a nano-void growth. The results are in line with those given by the theoretical prediction. As revealed by MD simulations, the characteristics of void growth at micro-scale depend greatly on the crystal-orientation.