BRD96N光调制吸收增强现象的实验研究

通过光谱响应特性实验和记录／读出图像实验，研究了基因变异型细菌视紫红质（BR_D96N）分子膜对单色光的光调制特性.发现BR_D96N分子膜在550nm—600nm范围内对调制光有吸收增强的现象，且对此范围内不同波长的单色光其调制程度有差异.利用曲线拟和方法发现550nm—600nm吸收增强的变化过程分为快过程和慢过程，其对应的时间常数分别为30s和5min.利用强度调制器的吸收强度与图像灰度之间的关系，分析了560nm—600nm范围内出现图像反转的实验现象. 关键词： 细菌视紫红质D96N分子膜 光谱响应 吸收增强现象 图像反转现象     

用SiCl4-H2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析

关键词：     

离子束增强沉积VO2多晶薄膜的温度系数

用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明，薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好，薄膜的电阻温度系数（TCR）最高可达4.23%/K.从成膜机理出发，较详细地讨论了离子束增强沉积 VO2多晶薄膜的TCR高于VOx薄膜的TCR的原因.分析认为，单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能，致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度，使离子束增强沉积 VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原 关键词： VO2多晶薄膜 离子束增强沉积 热电阻温度系数     

IR光谱分析PEO/V2O5纳米复合材料结构

聚合物溶液直接嵌入法制备 PEO/ V2 O5纳米复合材料。由红外光谱 (IR)表征了 PEO与氧化物层之间的相互作用。V2 O5干凝胶的钒氧双键 (V=O)主要与层间聚合物 PEO中的醚氧键 (Oet)发生作用 ,以Oet…V=O形式存在     

十六烷基三甲基溴化铵敏化孔雀石绿-脱氧核糖核酸的共振光散射增强法测定脱氧核糖核酸

在碱性条件下 ,脱氧核糖核酸 (DNA)对孔雀石绿的共振光散射有增强作用 ,加入十六烷基三甲基溴化铵 (CTMAB)进一步敏化该体系。共振光散射增强的程度与DNA浓度呈良好的线性关系 ,据此建立了测定DNA的共振光散射增强分析方法。在实验条件下 ,最大散射波长 36 4nm处 ,测定小牛胸腺DNA(ctDNA)和鱼精子DNA(fsDNA)的线性范围皆为 0～ 1 5 μg·mL-1,检出限分别为 0 0 5和 0 0 3μg·mL-1。该方法简单、快速、灵敏度高 ,已成功应用于合成样品中DNA含量的测定。     

基于过抽样Gabor变换的核磁共振FID信号增强算法

基于作者先前提出的过抽样实值离散Gabor变换,本文提出了一有效的算法用于核磁共振自由感应衰减（NMR FID）信号的减噪. 由于NMR FID信号在时域中是一短暂的振荡衰减信号,使得变换后的NMR FID信号能量在时频域中集中在少数变换系数上,而噪声则遍布在整个变换系数上,因此通过对变换系数幅度进行阈值限制方法可达到明显地增强NMR FID信号的目的. 文中在理论和模拟实验上分析表明,过抽样Gabor变换比临界抽样Gabor变换更适宜于NMR FID信号的减噪,因为在过抽样条件下比在临界抽样条件下的综合窗及其对应的分析窗,无论是在时域中还是在频域中都可具有更好的局域分布集中性,同时,Gabor变换在过抽样条件下也比在临界抽样条件下具有更高的时频精度.     

a-Si:H薄膜及MWECR-CVD制备技术

文章回顾了a—Si：H薄膜的发展历程，并介绍了其近10年的研究状况、为提高a—Si：H薄膜的沉积速度，还重点介绍了一种新的微波电子回旋共振等离子体CVD(MWECR—CVD)技术，该技术的特点是：不含电极，可避免电极溅射造成的污染；等离子区离子密度高，对硅烷能高度分解，从而可显著提高薄膜生长速率；改变磁场位形和结构，可改变等离子体分布及轰击基片离子的能量，文章还分析了其制备a—Si：H薄膜存在的问题，提出了今后的研究方向。     

考虑纤维端头脱粘的金属基复合材料轴向弹塑性拉伸性能的研究*

本文建立在广义自洽有限元迭代平均化方法的基础上,分析了纤维端头脱粘对SiC晶须增强铝基复合材料的轴向弹塑性拉伸性能的影响.分别计算了不同纤维长径比与体分比下有纤维端头脱粘情况的金属基复合材料的轴向拉伸性能.并与界面完好的情况相对比,得出了纤维端头脱粘的影响随纤维长径比增大而减小,和随纤维体分比增大而增大的结论.     

准各向同性复合材料弹性和强度的各向异性效应（Ⅱ）——应用与…

文献中尚未见到针对准各向同性复合材料的各向异性效应对复合材料结构影响的分析。本文在第（Ⅰ）部分所提出的强度准则模型的基础上，给出了复合材料各向异性特性在含椭圆孔和单个裂纹问题中的具体应用。在椭圆孔问题中分析了远场荷随材料几何参数变化地规律；在含裂纹问题中分析了裂纹扩展方向裂纹方向的变化规律。