高In组分InGaNAs/GaAs量子阱的生长及发光特性

采用分子束外延技术(MBE)在Ga As衬底上外延生长高In组分(40%)In Ga NAs/Ga As量子阱材料,工作波长覆盖1.3~1.55μm光纤通信波段。利用室温光致发光(PL)光谱研究了N原子并入的生长机制和In Ga NAs/Ga As量子阱的生长特性。结果表明:N组分增加会引入大量非辐射复合中心;随着生长温度从480℃升高到580℃,N摩尔分数从2%迅速下降到0.2%;N并入组分几乎不受In组分和As压的影响,黏附系数接近1;生长温度在410℃、Ⅴ/Ⅲ束流比在25左右时,In_(0.4)Ga_(0.6)N_(0.01)As_(0.99)/Ga As量子阱PL发光强度最大,缺陷和位错最少;高生长速率可以获得较短的表面迁移长度和较好的晶体质量。     

ZnO压敏陶瓷介电损耗的温度谱研究

利用Novocontrol宽频介电谱仪在-100—20 ℃温度范围内测量了ZnO-Bi₂O₃系压敏陶瓷的介电频谱,其频率范围为10^-2—10⁶ Hz. 研究表明： ZnO压敏陶瓷特征损耗峰的活化能分别为0.26和0.36 eV,结合实验条件、理论计算结果及其他现象的分析排除了特征损耗峰源于阴极电子注入、夹层极化和偶极子转向极化的可能.热刺激电流（TSC）谱共出现三个峰,其中高温峰对应于TSC实验加压过程引入的热离子极化,而中温峰和低温峰对应于介电损耗峰. 在分析的基础上,提出了ZnO压敏陶瓷的特征损耗峰起源于耗尽层内本征缺陷的电子弛豫过程. 关键词： ZnO压敏陶瓷 本征缺陷 介电谱 热刺激电流     

Stereodynamics of the He ＋ D2^＋ → HeD^＋ ＋ D Reaction on the PALMIERI Surface

Using the quasi-classical trajectory method, the product rotational polarization of the ion-molecule reaction He^＋D2^＋ has been calculated at different collision energies on the PALMIERI potential energy surface [Palmieri et al. Mol. Phys. 98 （2000） 1835]. The distribution angle between k and j′, P（Or）, the distribution of the dihedral angle P（Фr）, and the angular distribution of product rotational vectors in the form of polar plots in θr and Фr are calculated. In addition, four polarization-dependent differential cross sections are also presented in the center-of-mass frame, respectively. The results indicate that the rotational polarization of the product HeD^＋ presents different characters for different collision energies. These discrepancies may be ascribed to the different collision energies and constructions of the potential energy surface.     

Towards the decays of Nx（1625） the molecular picture

In this talk, we firstly overview the experimental status of Nx（1625）, which is an enhancement structure observed in K-3. invariant mass spectrum of J/ψ → pK-∧. process. Then we present the result of the decay of Nx（1625） under the two molecular assumptions, i.e. S-wave∧K- and S-wave ∑0K- molecular states. Several experimental suggestions for Nx （1625） are proposed.     

2-F-环氧丁烷与几种生物小分子间的赝氢键结构

采用密度泛函B3LYP(Becke,three-parameter,Lee-Yang-PaH)/6-311++G**和HF(Hartree Fock)/6-311++G**方法,从理论上探讨了2-F-环氧丁烷分别与几种常见而重要的生物小分子咪唑(Iminazole)、噻唑(Thiazole)和恶唑(Oxazo1e)等分子间的弱相互作用,发现分子间同时存在N…H常规氢键和C-F…H-C赝氢键结构.弱相互作用能计算表明3个复合物的相对稳定性相当.计算结果表明,在C-F…H-C赝氢键结构中,与电子的直接供体F密切相关的共价键C-F键长增大,伸缩振动的频率红移,而作为电子受体的H-C基团,其C-H键伸缩振动光谱蓝移;另外,电子密度拓扑性质表明C-F…H-C赝氢键的共价性及离子性均与常规氢键相当.     

中国科学院物理研究所（北京凝聚态物理国家实验室）2012年度人才招聘启事

中国科学院物理研究所（北京凝聚态物理国家实验室）是以凝聚态物理研究为主,包括凝聚态物理、光物理、原子分子物理、等离子体物理、软物质与生物物理、凝聚态理论和计算物理等多学科综合性科研机构．现根据工作需要,面向圉内外公开招聘科研、技术支撑人才。     

第十七届全国分子光谱学学术会议(第一轮通知)

由中国化学会和中国光学学会联合主办,韶关学院和韶关市化学化工学会联合承办的"第17届全国分子光谱学术报告会",将于2012年10月19—22日在广东韶关召开。本次会议是我国分子光谱界的又一次聚会和高水平、高信息容量的学术交流。本着继往开来、与时俱进的精神,本次会     

PH, PD和PT分子常数理论研究

采用内收缩多参考组态相互作用(MRCI)方法和包含Davidson修正(+Q) 的MRCI方法结合相关一致基aug-cc-pV5Z研究了PH (X³Σ^-, a¹Δ和A³∏)分子的势能曲线. 在同位素质量识别的基础上对势能曲线进行拟合, 得到PH, PD和PT分子各个电子态的光谱常数(T_e, R_e, ω_e, ω_ex_e, α_e和 B_e). 通过与已有实验数据的比较发现, 本文的结果与实验结果非常一致. 对于PH, PD和PT分子的Σ^-电子态, 计算得到了J = 0时的前12个振动态. 对于每一个振动态, 还分别计算了它的振动能级、惯性转动常数和离心畸变常数. 与其他理论结果和实验数据进行比较可知, 本文的结果更精确、更完整. 文中PD和PT分子的光谱常数和分子常数均属首次报导.     

用光刺激放电法研究纳米粉末掺杂低密度聚乙烯中陷阱能级

通过光刺激放电(PSD)技术研究了纳米粉末掺杂低密度聚乙烯(LDPE)中的陷阱能级.利用连续扫描法得到了不同掺杂比例的Al₂O₃,MgO纳米粉末掺杂试样以及相同掺杂比例的多种纳米粉末掺杂试样的PSD电流谱,定性地得出了试样陷阱能级的深浅变化.分步扫描法定量地描述了LDPE试样在Al₂O₃纳米掺杂前后陷阱能量分布的变化.结果表明,掺杂比例大于0.2%的Al₂O₃纳米粉末掺杂、大于0.5%的MgO纳米粉末掺杂能够显著地使得LDPE陷阱能级变深.结合纳米掺杂对LDPE空间电荷注入影响的相关报道,可推测纳米掺杂对空间电荷注入的抑制与试样中陷阱能级变深存在密切的关联.     

基于多种群混沌遗传神经网络的模拟电路故障诊断

针对标准遗传算法优化BP神经网络收敛慢,易陷入局部最优的问题,提出了改进的多种群协同进化遗传算法,该算法改变了以往的随机初始化方法,采用了附加混沌扰动的tent映射初始化均匀分布的种群,提高了初始解的质量;每个种群采用自适应交叉率和变异率,引入移民算子实现种群间的横向联系;算法通过多种群的协同进化和种群间的个体移植提高了算法的搜索均匀性和效率;仿真实验表明该算法误差小,收敛速度快,诊断正确率高,较好地解决了模拟电路的软故障诊断问题。