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21.
非线性规划的拟下降方法:概念,模型及应用 总被引:7,自引:0,他引:7
§1.引言 考虑一般非线性规划问题: (P)min{f(x)|x∈S},其中S?R~n为一非空闭集,f:R~n→R~1。 求解(P)的下降算法的基本思想是:在当前点x_k∈S处,(若x_k不是某种期望的 相似文献
22.
23.
采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO4)2(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析,结果表明,分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相,抑止了实验中的挥发问题;所生长的晶体为β-Yb:KYW,计算其晶格常数为a=1.063nm,b=1.034nm,c=0.755nm,β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱,结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰,计算出主峰981nm的吸收截面σ关键词:
Yb:KYW
TSSG法
晶体结构
光谱参数 相似文献
24.
采用固相反应法合成了单相的Ti_(1-x)(Hf_(0·919)Zr_(0·08))_xNiSn(x=0·00—0·15),并用放电等离子烧结方法制备出密实块体材料.研究了Hf和Zr同时在Ti位上的等电子合金化对Ti基半Heusler化合物热电性能的影响规律.结果表明:少量的Hf和微量的Zr在Ti位上的等电子合金化,显著地降低了体系的热导率κ,同时显著地提高了体系的Seebeck系数α.组成为Ti_(1-x)(Hf_(0·919)Zr_(0·08))_(0.15)NiSn的试样室温热导率为3·72W·m-1K-1,在700K时ZT值达到最大为0·56.与三元TiNiSn相比,在相同温度下ZT值的提高率为190%—310%. 相似文献
25.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
26.
27.
利用Riccati变换求解同谐谐振子的定态薛定谔方程,求得了能谱及态函数
关键词:
同调谐振子
本征值谱
Riccati变换法 相似文献
28.
29.
30.