全文获取类型
收费全文 | 5951篇 |
免费 | 1506篇 |
国内免费 | 3155篇 |
专业分类
化学 | 6607篇 |
晶体学 | 289篇 |
力学 | 56篇 |
综合类 | 140篇 |
数学 | 89篇 |
物理学 | 3431篇 |
出版年
2024年 | 72篇 |
2023年 | 211篇 |
2022年 | 297篇 |
2021年 | 301篇 |
2020年 | 233篇 |
2019年 | 247篇 |
2018年 | 142篇 |
2017年 | 224篇 |
2016年 | 249篇 |
2015年 | 243篇 |
2014年 | 513篇 |
2013年 | 487篇 |
2012年 | 465篇 |
2011年 | 455篇 |
2010年 | 370篇 |
2009年 | 448篇 |
2008年 | 538篇 |
2007年 | 450篇 |
2006年 | 441篇 |
2005年 | 508篇 |
2004年 | 439篇 |
2003年 | 461篇 |
2002年 | 386篇 |
2001年 | 359篇 |
2000年 | 229篇 |
1999年 | 214篇 |
1998年 | 177篇 |
1997年 | 252篇 |
1996年 | 224篇 |
1995年 | 184篇 |
1994年 | 143篇 |
1993年 | 135篇 |
1992年 | 128篇 |
1991年 | 133篇 |
1990年 | 103篇 |
1989年 | 96篇 |
1988年 | 18篇 |
1987年 | 14篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 13篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 234 毫秒
11.
21世纪最具潜力的新型带隙材料——声子晶体 总被引:1,自引:0,他引:1
半导体发展中遇到的极大障碍,使许多研究人员开始研究光子晶体。然而,声子晶体比光子晶体具有更丰富的物理内涵,它是一种新型声学功能带隙材料。研究声子晶体的重要意义在于其广阔的应用前景,而且在研究过程中,还可能发现新现象和新规律,进而促进物理学的发展。一、什么是声子晶体声子晶体的概念诞生于20世纪90年代,是仿照光子晶体的概念而命名的。我们都知道,具有光子禁带的周期性电介质结构功能材料称为光子晶体,光子能量落在光子禁带中的光波将被禁止,不能在光子晶体中传播。通过对光子晶体周期结构及其缺陷进行设计,可以人为地调控光子… 相似文献
12.
13.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献
14.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
15.
Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films 总被引:1,自引:0,他引:1
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films. 相似文献
16.
Magnetic properties and temperature dependence of electrical transport properties of rare-earth-metal Dy-doped GaN thin film are experimentally studied with a superconducting quantum interference device magnetometer and van der Pauw method. It was found that this thin nitride film has both semiconductor properties and ferromagnetism from 1OK to room temperature. The dopant-band (conducting band due to doping) electron conduction dominates the transport properties of this film at low temperatures. These results indicate that Dy-doped GaN is an n-type ferromagnetic semiconductor at room temperature. 相似文献
17.
The Raman shifts of nanocrystalline GaSb excited by an Ar^ ion laser at wavelengths 514.5, 496.5, 488.0, 476.5,and 457.9nm are studied by an SPEX-1403 laser Raman spectrometer respectively, and they are explained by phonon confinement, tensile stress, resonant Raman scattering and quantum size effects. The Stokes and anti-Stokes Raman spectra of GaSb nanocrystals strongly support the Raman feature of GaSb nanocrystals. The calculated optical spectra compare well with experimental data on Raman scattering GaSb nanocrystals. 相似文献
18.
19.
黄龙 《新疆大学学报(理工版)》2003,20(2):130-132
用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位. 相似文献
20.
报道了硅基有机微腔的电致发光(EL).该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜(PS DBR)组成.半透明金属膜由Ag(20nm)构成,充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜.有源多层膜由Al (1 nm) / LiF(05 nm) /Alq3/Alq3:DCJTB/NPB/CuPc/ITO/SiO2组成,其中的Al/LiF为电子注入层,ITO为正电极,SiO2为使正、负电极电隔离的介质层.该PS DBR是采用设备简单、成本低廉且非常省时的电化学腐蚀法用单晶Si来制备的;该PS
关键词:
电化学腐蚀
电致发光
窄峰发射
硅基有机微腔 相似文献