中药川白芷化学成分的研究

中药川白芷为伞形科当归属杭白芷 (Ａｎｇｅｌｉｃａｄａｈｕｒｉｃａ (Ｆｉｓｃｈ .ｅｘＨｏｆｆｍ .)Ｂｅｎｔｈ .ｅｔＨｏｏｋ .ｃｖｈａｎｇ ｂａｉｚｈｉＨｏｒｔ)的干燥根。川白芷为我国传统中药 ,主治头疼、鼻炎、癣症等疾病。现代药理实验表明白芷中所含的呋南香豆素具有平喘、降压、抗菌、解痉、光敏、活化交感系激素等多种药理作用[1] 。已有文献对白芷的化学成分进行了研究 ,发现白芷中主要含香豆素成分[2～ 4] 。四川遂宁产川白芷为道地白芷 ,其药性好 ,为进一步研究其活性成分 ,本文对遂宁产川白芷进行化学成分研究。共分离、…     

Fe(110)面上CO化学吸附状态的吸附历史依赖关系

Fe(110)面上直接在室温时吸附的CO同先在170 K吸附然后升温到室温的CO吸附有所不同. 前者有解离而后者无解离; 另外, 前者的饱和吸附量比后者低. 这可以用前者发生了解离来解释. 根据以上结果, 提出了以下的设想, Fe(110)面上的CO解离除了需要足够的热能而外, 还需要在表面的吸附位上有邻近的其它未被覆盖Fe原子的存在, 即需要一定的表面结构.     

2-巯基乙醇自组装膜电极对多巴胺电催化氧化及其分析应用

在裸金电极上制备了 2 巯基乙醇自组装膜电极 (ME AuSAMs) ,研究了多巴胺 (DA)在ME AuSAMs上的电化学行为 ,发现该膜电极对DA的氧化具有良好的电催化作用 ,氧化过电位降低了 3 94mV ,测得DA的扩散系数D为 9.1 4 5× 1 0 - 7cm2 s,初步探讨了电催化机理。采用水平衰减全反射 傅里叶变换红外光谱 (ATR FTIR)技术对ME AuSAMs进行了表征 ;方波伏安法 (squarewavevoltammetry ,SWV)测定DA ,其氧化峰电流与DA浓度在 2 .0 0× 1 0 - 6 ～ 1 .0 0× 1 0 - 4 mol L范围内呈线性关系 ;相关系数为 0 .9998,检出限为 4 .0 0× 1 0 - 7mol L。该电极用于DA药物针剂的测定 ,结果满意     

Belousov—Zhabotinskii反应

一、引言化学振荡是现代化学前沿课题之一。化学振荡现象已引起人们极大的兴趣与广泛的重视,而研究得最为深入的化学振荡反应就是Belousov-Zhabotinskii反应。B-Z反应在均相化学振荡的研究发展上有着极为     

集化学家与化学教育家于一身的一代化学大师李比希--纪念李比希诞辰200周年

在德国著名化学家李比希诞辰200周年之际，对这位集化学家与化学教育家于一身的一代化学大师对科学和科学教育以及人类社会作出的贡献进行了评述。     

超分子变构催化剂——新型化学传感器

美国西北大学的C．A．Mirkin及其研究小组试图构建可以模拟生物体系的超分子，为此对超分子络合化学的研究已经有10年之久。在此过程中，该小组开发了多种探测系统。他们的目标是构建类似于PCR（聚合酶链反应）或ELISA（免疫测定）的模拟生物体系，在探测某种试样时，通过触发催化过程，使信号放大到能够直接读出的程度。     

化学文摘社和国际科技信息检索网

化学文摘社和国际科技信息检索网张立群（美国化学文摘社，ＣｈｅｍｉｃａｌＡｂｓｔｒａｃｔｓＳｅｒｖｉｃｅ，Ｐ．Ｏ．Ｂｏｘ３０１２．ＣｏｌｕｍｂｕｓＯＨ４３２１０，ＵＳＡ）张曼平（青岛海洋大学化学系，２６６００３）从１９０７年建立以来，化学文摘社（ＣＡＳ...     

n型砷化镓微区光电化学腐蚀过程

在n-GaAs电解液界面,用聚焦He-Ne激光照射, 使n-GaAs表面发生微区光电化学腐蚀, 用计算机控制步进马达, 使试样在X-Y二维方向扫描移动, 能在晶片上得到刻蚀点直径2 μm的刻蚀图案. 研究了激光相对光强, KOH、H_2SO_4、KCl等刻蚀剡的浓度, 光腐蚀的时间, 电极电位等因素对腐蚀点的直径和深度的影响, 通过实验数据找出腐蚀过程的规律, 并用光电化学原理进行解释.     

有机磷化合物的质谱研究(Ⅵ)——磷酰二胺酯类化合物的电子轰击质谱和化学电离质谱

本文报道了7种新的N-烷基-N′-乙氧羰基甲基-N′-芳磺酰基-O-乙基磷酰二胺酯化合物的电子轰击质谱(EIMS)和化学电离质谱(CIMS,甲烷为反应气)。结果表明,无论是EIMS,还是CIMS均存在较多的骨架重排离子峰;取代基对谱图有较大的影响;EIMS中P—N键的断裂为重要质谱特征,CIMS中MH~+准分子离子为重要特征离子,还存在分子离子反应的产物。     

La2O3-Mo5Si3/MoSi2复合材料的高温氧化行为

研究了0．8％La2O3-MosSi3／MoSi2复合材料在1200℃空气中的高温氧化行为。结果表明：0．8％稀土和MoSi3的加入，使材料的抗氧化性能降低。MosSi3含量越高，材料的抗氧化性能越差。当MosSi3含量低于30％时，在氧化初始阶段，质量变化呈直线下降，随着氧化的进行，氧化逐渐增重，材料表面形成较致密的SiO2阻止了材料的进一步氧化，使得氧化增重较小。而0．8％La2O3-40％Mo5Si3／MoSi2复合材料却出现了“粉化”现象。0．8％La2O3．MosSi3／MoSi2复合材料抗氧化性能的降低，归因于Mo5Si3差的抗氧化性和材料致密度的降低；另外，稀土和Mo5Si3的加入，细化了材料的晶粒，使晶界面积增加，加速了氧在晶界中的扩散，促进了材料的氧化。