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71.
翟小明 《新疆大学学报(理工版)》2002,(Z1)
人力资源开发与管理是顺应实现实施西部大开发战略的前提条件,是酉部的人才战略,是全国全面实施人才战略的重要组成部分.目前,西部人力资源开发还存在着素质较低,结构不合理,投资收益率低,机制不健全等问题.因此,必须从抓好教育,用好现有人才,引进外地人才,建立良好的机制等方面入手,解决西部人力资源开发与管理问题,从而推动西部经济的快速发展. 相似文献
72.
高等职业技术教育是我国高等教育的一部分 .高职学历教育的定位是 :“人才类型—实施型应用型 ,人才专业—职业技术性 ,人才去向—一线性 .”本文就高职物理教材建设问题 ,谈几点思考 ,与同行们切磋 .1 物理教材应突出技术性高职教育强调知识的应用 .将课程改名为“技术物理基础”很有道理 .高职院校培养应用型人才 ,讲究“学以致用” .物理知识博大精深 ,高职院校专业众多 ,如何选编教材内容 ,使两者结合起来 ,不是易事 ,需要广泛调查物理知识在相关专业的应用 ,合理选择知识点 .高职物理教材难度应有所降低 .广度应有所增加 ,以广度换难… 相似文献
73.
一类非线性单调型方程的区域分裂法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文考虑了一类非线性单调问题的加性Schwgrz交替法和异步平行算法,并得到了在能量模意义下的收敛性结果,最后还讨论了格式的有限元离散。 相似文献
74.
Mach-Zehnder干涉仪适用于研究气体密度迅速变化的状态。由于气体折射率的变化与其密度的变化成正比,而折射率的变化将使通过气体的光线有不同的光程,因此可通过干涉臂变化对干涉条纹图像效果的影响得到气体密度。实测中,采用图像采集卡和CCD来接收Mach-Zehnder干涉仪产生的条纹图像,再通过计算机对条纹图像的条纹间距进行处理,从而得到气体密度的变化状态。从光干涉理论出发,对Mach-Zehnder干涉条纹图像特征进行了分析,建立了Mach-Zehnder干涉条纹的数学模型,并根据此模型设计了处理Mach-Zehnder干涉条纹图像的算法。算法包括图像的预处理(即图像的噪声提取)、图像的二值化及图像的细化。 相似文献
75.
美国"数学战争"始末及其启示 总被引:1,自引:1,他引:0
1背景纵观过去一个世纪美国数学教育的发展,数学家对数学教育的参与程度及方式对数学教育的发展产生了不同的影响.由美国教育家、哲学家杜威倡导的“进步教育”运动,自二十世纪初开始主导着美国学校教育,也包括数学教育.这一运动在前半个世纪对数学教育造成的直接影响是学校数学内容锐减、教学水平低下.一个近乎笑话的事实是应征入伍的新兵也必须补习基本算术知识,以便清点多少本书或多少门炮.另外,修读高等数学或其它学术科学的学生不断减少,这与社会对较高数学修养的要求形成了强烈的反差[1].此外,1957年,前苏联人造卫星的升空,以及公理化… 相似文献
76.
简易物理实验即利用廉价材料或日常生活中使用过的废旧物品 ,如可乐瓶、气球、胶卷盒等材料 ,自制仪器做物理实验 ,国外又称低成本实验 .其特点是取材方便 ,一物多用 ,制作简单 ,易于学生仿做 ,不受实验室限制等特点 .在教育十分发达 ,仪器设备非常先进的发达国家 ,至今仍倡导开展简易物理实验 .德国初中物理课全书共编 3 43个实验 ,除少数由教师完成演示外 ,绝大多数是可用简单易找的器材 ,由学生完成的低成本实验 ,即简易物理实验 .美国中学物理实验的器材也多来自日常生活 .我国自建国以来 ,一直提倡自制教具 .朱正元老教授就留下“坛坛… 相似文献
77.
基于阿贝尔黑格斯变量的杨-米尔斯理论的红外阿贝尔化 总被引:1,自引:0,他引:1
通过SU(2)规范场的法捷耶夫-Niemi分解给出了有效阿贝尔-黑格斯型作用量的
一个计算方法. 具体指出了该分解中所用的自然规范固定以及阿贝尔投射与杨-米尔斯理论的红外动力学之间的内在关系. 推导出了色电场的一个伦敦型方程. 相似文献
78.
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 总被引:2,自引:2,他引:0
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。 相似文献
79.
80.