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采用显微Raman光谱方法对红外目标模拟器中重掺杂Si微电阻桥单元的热传导特性进行研究,根据Si桥的实际特性建立相应的Raman散射模型,通过测量Raman峰位的移动得到高功率激光辐照下测量点的温度.对Si桥桥面分别进行了沿某些特殊线段的逐点线扫描和覆盖全部桥面的面扫描,得到各点的温升及其分布.用基于有限元分析的软件结合Si桥结构参数对各测量点的温升进行了模拟计算,其结果在热导分布的基本趋势上与实验相一致.实验细致地揭示了热导分布的局域起伏,反映出实际器件的不均匀性,为改进器件设计、优化器件性能提供了实验依据.
关键词:
Raman光谱
Si桥
温度分布
热导 相似文献
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章志飞 《浙江大学学报(理学版)》2003,30(6):609-611
利用Besov空间的热核刻画及压缩映射原理,研究半线性热方程ut-△u=u|u|a的初值问题,得到了当初值u0∈Lp0(Rn)且||u0||(B·)p-n (1/p0-1/p),∞(Rn)(p0=na/2,p>p0)充分小时,整体解的存在性及在一定条件下解的惟一性. 相似文献
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