用超声化学法制备有机包覆纳米银

纳米级银粉，以其纳米尺寸所赋予的独特性能，可广泛应用于催化剂材料、电池电极材料、低温材料和导电浆料，探索纳米银粉的制备方法具有重要的意义。2004年，通过超声化学法，在乙二醇介质中、以硝酸银为原料制备出了有机包覆的纳米银。产物用X射线光电子能谱仪（XPS）、透射电子显微镜（TEM）和红外光谱等进行了检测。     

Effects of barium on the nonlinear electrical characteristics and dielectric properties of SnO2-based varistors

The effects of barium on electrical and dielectric properties of the SnO_2·Co_2O_3·Ta_2O_5 varistor system sintered at 1250℃ for 60min were investigated. It is found that barium significantly improves the nonlinear properties. The breakdown electrical field increases from 378.0 to 2834.5V/mm, relative dielectric constant (at 1kHz) falls from 1206 to 161 and the resistivity (at 1kHz) rises from 60.3 to 1146.5kΩ·cm with an increase of BaCO_3 concentration from 0mol% to 1.00mol%. The sample with 1.00mol% barium has the best nonlinear electrical property and the highest nonlinear coefficient (α=29.2). A modified defect barrier model is introduced to illustrate the grain-boundary barrier formation of barium-doped SnO_{2}-based varistors.     

柔性有机电致发光器件导电基板的工艺性能

在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)柔性衬底上采用直流磁控溅射技术制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,研究了衬底温度、溅射功率和溅射压强等工艺条件对薄膜光电性能的影响,并利用原子力显微镜(AFM)表征了衬底及ITO薄膜的表面形貌。结果表明,在PET衬底温度50℃、溅射功率100W和溅射压强2.66×10-1Pa的条件下,可以得到低方阻(50Ω/□)和高透过率(>90%)的透明导电薄膜。以此柔性ITO衬底为阳极,制备了结构为PET/ITO/NPB/Alq3/Mg∶Ag的柔性有机电致发光器件,在驱动电压为13V时,器件的发光亮度达到了2834cd/m2。     

3-氨基苯硼酸-苯胺共聚物薄膜对pH的光学响应

在硫酸介质中,以氧化铟锡(ITO)透明导电玻璃为基质材料,应用循环伏安法制备3-氨基苯硼酸-苯胺共聚物薄膜.用紫外可见光谱方法测定了共聚物薄膜在不同pH下的特征吸收光谱,结果表明,在pH 2-12范围内共聚物薄膜对pH的变化表现了极高的光学敏感性,当pH从2增加到12时,其λmsa从773nm(pH=2)变化到614nm(pH=12);由相应的滴定曲线计算共聚物薄膜的表观pKa为6.21薄膜对pH响应速度快,光谱变化在20s内基本完成;共聚物薄膜对pH响应的重现性较好,重复使用在最大吸收773nm处吸光度的变化为1.0%,在614nm处吸光度的变化为0.7%.     

锡(Ⅳ)-磺基水杨酸-溴邻苯三酚红-溴化十六烷基三甲基 铵胶束混配络合物的显色反应

在 p H1.6的氯乙酸缓冲介质中 ,溴化十六烷基三甲基铵存在下 ,Sn( )与溴邻苯三酚红及磺基水杨酸形成 ( 1+2 +1)的胶束混配络合物。络合物的最大吸收波长为 540 nm,表观摩尔吸光系数为 8.9× 10 4 L·mol-1·cm-1。Sn( )浓度在 0— 0 .6mg/ L范围内符合比耳定律。方法的选择性及稳定性都比无磺基水杨酸时好 ,适用于罐头盒中微量锡的测定 ,结果令人满意。     

纳米颗粒DBS／TiO2的拉曼光谱

采用水热法制得表面包覆有十二烷基苯磺酸的二氧化钛纳米粒子,并应用拉曼光谱对其进行了检测。结果表明：样品为表面包覆有十二烷基苯磺酸的二氧化钛纳米粒子的集合体。其拉曼峰与未包裹的二氧化钛拉曼锋相比,出现了蓝移现象,从纳米粒子的表面结构及包裹层的压力出发对此现象进行了定性解释和讨论。     

2,6-双(三甲基锡)-4,8-双(2-乙基己氧基)苯并[1,2-b∶4,5-b']二噻吩的合成与多核NMR研究

以苯并[1,2-b∶4,5-b´]二噻吩-4,8-二酮为原料合成了一种聚合物太阳能电池材料的单体2,6-双(三甲基锡)-4,8-双(2-乙基己氧基)苯并[1,2-b∶4,5-b´]二噻吩. 通过多核1D和2D NMR技术（包括1D ¹H、¹³C、¹¹⁹Sn、¹¹⁷Sn NMR、DEPT、选择性1D TOCSY及2D¹H-¹H COSY、gHSQC、gHMBC）表征了目标分子结构,完成了 ¹H、¹³C、¹¹⁹Sn 与¹¹⁷Sn NMR化学位移归属,并探讨了该化合物的NMR谱线特征.     

Influence of O2 Flux on Compositions and Properties of ITO Films Deposited at Room Temperature by Direct-Current Pulse Magnetron Sputtering

Indium tin oxide （ITO） films were deposited on glass substrates at room temperature by dc pulse magnetron sputtering. Varying 02 flux, ITO films with different properties are obtained. Both x-ray diffractometer and x-ray photoelectron spectrometer are used to study the change of crystalline structures and bonding structures of ITO films, respectively. Electrical properties are measured by four-point probe measurements. The results indicate that the chemical structures and compositions of ITO films strongly depend on the O2 flux. With increasing O2 flux, ITO films display better crystallization, which could decrease the resistivity of films. On the contrary, ITO films contain less O vacancies with increasing O2 flux, which could worsen the conductive properties of films. Without any heat treatment onto the samples, the resistivity of the ITO film could reach 6.0 × 10^-4 Ω·cm, with the optimal deposition parameter of 0.2 scem O2 flux.     

TiO2纳米粒子增强的光纤损失模式共振折射率传感器

以多模光纤为基底来实现损失模式共振(LMR)折射率传感的灵敏度较低,在利用铟锡氧化物(ITO;In₂O₃和SnO₂的质量分数分别为90%和10%)激发光纤LMR传感的基础上,在ITO薄膜上静电组装二氧化钛(TiO₂)纳米粒子,实现折射率灵敏度的提升。使用Kretschman结构模型对传感器进行理论分析,仿真分析了LMR共振阶数与ITO薄膜厚度的关系,以及ITO作为LMR膜层实现折射率传感的可行性。通过在光纤侧壁磁控溅射ITO薄膜以产生LMR效应,制备ITO-LMR折射率传感器。通过折射率传感实验对ITO-LMR和TiO₂-ITO-LMR两种传感器进行性能测试,在1.3333～1.3840的折射率变化范围内,TiO₂-ITO-LMR传感器灵敏度可达1651.659 nm/RIU,相较于ITO-LMR折射率传感器,其灵敏度提升了3.058倍。     

1.3 GHz超导腔的电化学青铜法铌三锡镀膜技术

由于射频超导腔具有高品质因数Q₀,大束流孔径等诸多优势,已被加速器行业广泛应用。目前纯铌腔的性能已经接近理论极限,使用Nb₃Sn薄膜腔代替纯铌腔是突破这一限制的有效手段。铌三锡具有较高的超导转变温度和过热磁场,理论预期可以大幅度提高SRF腔体工作温度和加速梯度。目前,Nb₃Sn薄膜制备技术蓬勃发展,其中锡蒸汽扩散法已经比较成熟,已制备出初步满足工程需求的铌基铌三锡薄膜射频超导腔。但是由于反应温度在1100℃以上,锡蒸汽扩散法无法摆脱纯铌基底,因此不可避免地在机械稳定性、导热性等方面有缺陷,难以满足未来高可靠性加速器的应用。青铜法广泛应用于铌三锡线缆的制备,热处理温度不高于700℃,具有制备铜基铌三锡镀膜腔的潜力。此外,电化学镀膜与其他方式相比,具有成本低、反应过程容易控制、常温常压等明显优势。本工作将上述两种工艺结合起来,研究了电化学方式在1.3 GHz铌基超导腔上镀青铜前驱体,之后热处理合成铌三锡薄膜腔。垂测结果表明,4.2 K下的薄膜腔本征Q₀为6×10⁸左右且仍具很大提升...