汽油超深度脱硫组合技术通过鉴定

<正>由陕西延长石油集团与中科院大连化学物理研究所合作开发的具有我国自主知识产权的汽油固定床超深度催化吸附脱硫组合技术(YD–CADS),在北京通过中国石油和化学工业联合会组织的成果鉴定。该技术采用固定床催化反应吸附工艺路线,可应用于低硫全馏分催化裂化汽油超深度脱硫处理,具有辛烷值损失低、产品收率高,吸附剂硫容量高、可多次再生、操作条件缓和、氢耗量低、操作费用低等优点。与现行的国外流化床吸附脱硫技术比,工艺简化、投资成本降低50%以上,所生产     

燃油深度脱硫用离子液体研究进展

综述了离子液体萃取脱硫、萃取氧化脱硫以及催化氧化脱硫技术的国内外研究进展;阐述了离子液体在不同脱硫体系中的作用及再生问题;论述了离子液体催化氧化脱硫技术的优点,如:反应条件温和,脱硫效率高,操作简单,最有发展前景,可以作为加氢脱硫的补充,实现燃油的深度脱硫;并分析了离子液体脱硫技术存在的问题及其工业化应用前景.     

离子色谱法测定硫酸钙样品中的硫酸根

用碳酸钠将硫酸钙样品中的钙沉淀为碳酸钙,释放出硫酸根,用阴离子型离子色谱仪,在40℃柱温下,以6.3 mmol/L Na HCO3–1.7 mmol/L Na2CO3缓冲盐为淋洗液,采用电导检测器测定其中硫酸根的浓度,以间接得到硫酸钙含量。实验结果表明,该法与经典的沉淀重量法测定结果相吻合,两者之间的相对误差为0.29%。样品加标回收率在96.0%~105.3%之间,测定结果的相对标准偏差为0.26%(n=6)。该方法精密度与准确度高,可快速、稳定、可靠地分析脱硫灰渣及石膏样品中的硫酸根含量。     

选择加氢催化剂结构与性能的研究进展

选择加氢催化剂是石油化工领域一类重要的催化剂,广泛应用于各类乙烯装置中C2、C3、C4等组分以及裂解汽油中炔烃和二烯烃的脱除等领域.本文从制备与处理方法、助剂、载体、活性中心结构形态、反应机理、非Pd催化剂6个方面,对近5年来选择加氢催化剂,特别是炔烃和二烯烃选择加氢催化剂结构与性能的研究进行了评述.     

水蒸气／氨活化在脉冲电晕脱硫工业中试装置上的应用

脉冲放电等离子体烟气治理技术是利用高压脉冲电源产生的高能电子激活燃煤烟气中的氧气、水蒸气等生成活性物种OH，O，O3等，氧化烟气中的SO2和NOx，并加入氨作为中和剂，生成（NH4）2SO4和NH4NO3肥料的烟气综合治理技术。活化水蒸气／氨能有效地提高脱硫效率和降低能耗。     

加氢催化剂中Co(Ⅱ)含量的伏安法分析研究

用阳极溶出伏安法（PAS）考察了Co（Ⅱ）的电化学特性，旨在建立加氢催化剂中钴含量的PAS分析方法。实验中采用三电极系统，玻碳汞膜电极为工作电极，Pt电极为对电极，SCE为参比电极。在pH9.2的0.1mol&#183;L^-1氨水-氯化铵缓冲溶液中，Co（Ⅱ）在-0.49V处有一个灵敏的一阶导数溶出峰，该峰峰高与Co（Ⅱ）标准溶液浓度在0.509-9.10μg&#183;mL^-1范围内有较好的线性关系，其标准曲线的相关系数为0.998，回收率在98.4％-103.9％之间，检出限为0.182μg&#183;mL^-1。在此基础上建立了对加氢催化剂中Co（Ⅱ）含量的PAS分析方法，并用这种方法对7种加氢催化剂中的Co（Ⅱ）进行了测定，结果满意。     

碳纳米纤维负载Pd-Pt 催化剂的萘加氢耐硫性能

通过催化加氢来降低柴油中芳烃含量是提高油 品质量的一个重要过程.贵金属催化剂,如Pd或 Pt,具有非常高的反应活性,但易被原料油中的含硫 有机化合物毒化[1].因此,提高贵金属催化剂的耐 硫性能是一个重要的课题.已有的研究结果表明,贵 金属催化剂硫中毒的主要原因是硫在金属中心上产 生强化学吸附,因此,调节金属中心和硫之间的电子 相互作用可以改进催化剂的耐硫性能[2,3]. 催化生长的碳纳米纤维(CNF)是一种新型的碳 材料,其石墨层沿轴线方向闭合的特殊结构使它具 …     

Nanomorph Silicon Thin Films Prepared by Using an HW-MWECR CVD System

We have prepared hydrogenated nano-amorph silicon (na-Si:H) films by using a hot-wire-assisted microwave electron-cyclotron-resonance (HW-MWECR) chemical vapour deposition (CVD) system. The films are deposited in two steps: in the first 9rain, a hydrogenated amorphous silicon layer is deposited by using hydrogen-diluted silane with a concentration of SiH4/(SiH4 H2) = 20%, and then a nanocrystalline silicon (nc-Si) layer is deposited by using various highly hydrogen-diluted silane. The Raman TO-like mode peak of the films was found in the range 497-508cm^-1. When the silane concentration used for preparation of the nc-Si layer is 14.3%, the film has a large crystalline volume fraction of 65.4%, a wide optical band gap of 1.89eV and a low hydrogen content of 9.5 at.%. Moreover, the na-Si:H films rather than nc-Si possess high photosensitivity of about 10^5.