首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   10181篇
  免费   2052篇
  国内免费   4469篇
化学   7861篇
晶体学   576篇
力学   1969篇
综合类   241篇
数学   849篇
物理学   5206篇
  2024年   128篇
  2023年   439篇
  2022年   650篇
  2021年   652篇
  2020年   475篇
  2019年   481篇
  2018年   311篇
  2017年   397篇
  2016年   416篇
  2015年   517篇
  2014年   960篇
  2013年   790篇
  2012年   710篇
  2011年   792篇
  2010年   662篇
  2009年   714篇
  2008年   769篇
  2007年   699篇
  2006年   645篇
  2005年   594篇
  2004年   642篇
  2003年   714篇
  2002年   571篇
  2001年   549篇
  2000年   371篇
  1999年   270篇
  1998年   244篇
  1997年   264篇
  1996年   192篇
  1995年   199篇
  1994年   170篇
  1993年   115篇
  1992年   140篇
  1991年   135篇
  1990年   116篇
  1989年   114篇
  1988年   32篇
  1987年   19篇
  1986年   20篇
  1985年   7篇
  1984年   4篇
  1983年   7篇
  1982年   5篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 296 毫秒
61.
SnO2/SiO2 nanocomposites have been prepared by the soaking-thermal-decomposing method, tin oxide nanoparticles are uniformly dispersed in the mesopores of silica. The optical absorption edge of the obtained nanocomposite presents a redshift compared with bulk tin oxide, With the increasing annealing temperature during the procedure of the sample preparation, the optical absorption edge of the sample moves to shorter wavelength (blueshift). These optical properties can be ascribed to the amorphous structure and band defects of surface layers of the tin oxide nanoparticles.  相似文献   
62.
Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.  相似文献   
63.
讲述了用于β缓发中子发射测量的中子探测阵列的性能优化过程及测试结果. 对中子探测器包装用的几种反射材料、光导和光电倍增管之间用的几种耦合材料行了系统的对比和研究. 为了优化电子学和实时监测整个探测阵列的工作状态, 引入了LED光纤刻度监测系统.  相似文献   
64.
不含稀土元素的高温超导体   总被引:1,自引:0,他引:1  
张文斌 《物理》1989,18(2):126-126
氧化物高温超导材料La2-xMxCuO4-y(M为Ba,Sr或Ca)和ReBa3Cu3O7-y或大部分稀土元素)的发现,是超导电性研究的一个重要的里程碑.这类材料晶体结构的特点是含有二维Cu-O2平面层,人们认为高温超导电性与此密切相关.因此,晶体结构中含有这种Cu-O2平面层的新材料可望是高温超导体.最近,人们用Bi或T1替代上面两类材料中的稀土元素,合成出了新的稳定的高温超导材料,从而在这个以Cu-O2平面层为结构特征的高温超导家族中又添加了新的成员. 1987年五月,法国Caen大学的C.Michel和B.Raveau等人报道了他们的发现[1]:在接近Bi2Si2Sr2Cu2O7 y成…  相似文献   
65.
云中客 《物理》2006,35(11):982-982
等离子体清洗经常使用在材料处理和半导体工业上,虽然等离子体也可以快速地消灭细菌,但由于它们都处于高温状态,所以一直无法应用到生物医学领域.三年前,荷兰Eindhoven大学的一些物理学家发展了一种可在室温下工作的“等离子体针”。  相似文献   
66.
利用微分方程的级数求解方法,分析了两端简支的有限长功能梯度圆筒的轴对称稳态热弹性问题,推导出了稳态温度场与应力场的解析解。分析中采用指数函数模型来描述FGM圆筒中材料性能在厚度方向的连续变化,同时忽略温度对材料性能的影响。另外,论文以金属钼和多铝红柱石制成的功能梯度圆筒为例,给出了稳态温度场和应力场的数值结果。  相似文献   
67.
聚乳酸类医用生物降解材料的研究进展   总被引:10,自引:0,他引:10  
聚乳酸由于其突出的优点如生物相容性好、降解产物对人体无毒而倍受重视,并且在生物医学领域的应用中获得了很好的效果。本文对聚乳酸的合成及在医学方面的应用作了总结和评述,并对其在生物医学领域的应用前景作了进一步展望。  相似文献   
68.
微脉冲电子枪的初步实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
给出了微脉冲电子枪的模拟计算及其初步实验结果. 该电子枪采用铜铝镁合金作为冷阴极材料, 在以磁控管作为微波功率源的出束实验中得到了100mA/cm2的电流密度.实验结果与次级电子倍增解析计算和SEEG程序的模拟计算结果基本符合, 初步验证了微脉冲电子枪的基本原理, 为今后实验中得到更大的电流密度打下了基础.  相似文献   
69.
[1]中提出了具有功能反应的三种群捕食者——食饵系统的两种模型(Ⅰ)、(Ⅱ),并给出了局部渐近稳定的条件。本文研究了另外两种模型(Ⅲ)和(Ⅳ)的局部渐近稳定的条件。  相似文献   
70.
Recently, research on left-handed materials (LHMs) has attracted considerable attentions. The LHMs are a kind of man-made metameterials which have negative permittivity and negative permeability. These metameterials have many novel properties such as inverse light pressure, and reverse Doppler effect, which lead to many potential applications of LHMs such as superlenses which, in principle, can achieve arbitrary subwavelength resolution. However, though the properties mentioned above are seen to be classical, the quantum phenomena in LHMs have also attracted attentions such as the modified spontaneous emission of atoms in LHME.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号