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71.
唐淳  郭万林  郭宇锋 《物理》2004,33(6):396-399
纳米机电系统的发展要求智能材料具有大的应变和功率密度,以获得优良的能量转换能力.文章介绍了作者的最新发现:在电场的作用下,碳纳米管能产生巨大电致变形;而且与传统智能材料如铁电体等相比,其体积功率密度和质量功率密度预计可分别提高3个和4个量级,是一种极具潜力的新型智能材料.  相似文献   
72.
随着110 GHz高功率太赫兹波功率容量的提升,其引起的大气击穿问题越来越受到重视。将若干等效电离参数表达式引入到电子雪崩密度方程中,计算了不同压强下的大气击穿阈值。结果表明,由Ali等效电离参数得到的110 GHz击穿阈值与实验数据符合得很好。在此基础上,利用Ali等效电离参数对逃逸传输能量密度与太赫兹波振幅的关系进行了分析。结果表明,当太赫兹波振幅小于击穿阈值时,逃逸传输能量密度随功率密度的增加线性增加;当太赫兹波振幅大于击穿阈值时,逃逸传输能量密度随功率密度先减小后增大。  相似文献   
73.
 根据实现快点火激光的预估参数要求,分析了非相干组束和相干组束是否可满足快点火所需的激光功率密度和能量。引入与实际情况相当的畸变波前分析远场焦斑,为了满足能量要求非相干组束需要组合更多的光束,并改进驱动器的稳定性将角漂控制在±2 μrad范围内;相干组束可获得更小的焦斑有利于提高功率密度,同时可降低对能量的要求,但仅对单路光分别进行波前补偿并不能提高能量集中度,需要引入复杂的监测和控制设备对整个通光孔径内的波前(包括束内和束间)进行全局控制。基于目前提出的参数要求和波前校正能力,非相干合成更易实现快点火,但相干合成则具有更广泛的应用潜力。  相似文献   
74.
以He-Ne激光作为参考光,采用反射光能量法,测量了ns激光辐照硅光电探测器的损伤阈值,并测量了不同功率密度的强激光辐照下探测器对参考光的反射率.实验结果表明,ns激光辐照硅光电探测器的损伤阈值为4.1×106W/cm2,在探测器被强激光损伤的初期阶段,探测器对参考光的反射率下降很快,继续增加入射激光的能量,探测器对参考光的反射率下降趋于平缓.  相似文献   
75.
采用离子注入工艺在InGaN/GaN量子阱蓝光LED结构的p-GaN层形成高阻态隔离区域,实现了最小4μm超小尺寸高光效Micro-LED阵列的制备,并系统研究了氟离子注入隔离工艺制备的横向结构Micro-LED阵列的电学和光学性能.实验结果表明,在采用的离子注入能量范围内,氟离子在p-GaN层中的注入深度越深,对应器...  相似文献   
76.
基于中国ITER氦冷固态增殖剂试验包层(CHHCSBTBM)3×3模块化结构设计,借助一维中子输运计算程序ONEDANT和二维中子输运计算程序TWODANT,对ITER实验包层模块(TBM)设计的中子学问题进行计算。计算出产氚增殖比以及不同材料区的功率密度、中子通量分布和产氚增殖率,并对计算结果进行分析比较。  相似文献   
77.
78.
79.
Amplified spontaneous emission (ASE) always occurs in high-power DF laser systems with master oscillator-power amplifier (MOPA) configuration. ASE not only reduces the energy extraction efficiency of the laser system, but also negatively influences its heat management. The interaction between the ASE flux and the coherent laser flux, as well as the effect of ASE on cuboid DF amplifiers, is studied using a finite difference method and an iterative arithmetic. In addition, the influence of ASE on coherent laser amplification is discussed in detail.  相似文献   
80.
研究了15%Yb,20%Na:CaF2-SrF2混晶(Yb,Na:CaF2-SrF2,CaF2:SrF2=1:1)的近红外光谱和激光参数特性.研究显示,Yb,Na:CaF2-SrF2混晶在974 nm处吸收带宽为22 nm,吸收系数为13.09 cm-1,吸收截面为0.31×10-20 cm2.Yb3+离子在CaF2-...  相似文献   
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