Ar+离子束刻蚀制作凸面闪耀光栅

凸面闪耀光栅是研制高光谱分辨率超光谱成像系统的关键器件之一.由于要求的闪耀角度一般较小,制作工艺难度大,其衍射效率与理论值有较大差距,一直制约其应用.针对上述问题与难点进行了分析,通过光刻胶光栅掩模制作和Ar<'+>离子束刻蚀等工艺制作了凸面闪耀光栅.针对离子束大掠入射刻蚀凸球面时槽形闪耀角不易一致的难题,利用转动扫描...     

纳米笔刻蚀技术构建小牛胸腺组蛋白纳米结构

采用纳米笔刻蚀(DPN)技术控制针尖的运行,成功地将小牛胸腺组蛋白传递到新剥离的云母表面,获得了不同尺寸、形状的小牛胸腺组蛋白纳米结构,同时考察了针尖移动速率、针尖-基底接触时间对DPN技术的影响.结果表明,较快的针尖移动速率和较短的针尖-基底接触时间沉积较少的墨水分子,同时形成的纳米图案和墨水分子的本身性质也有关系.这种方法可以用于构建其他蛋白质分子,为生物纳米器件的合成提供更多机会,同时组蛋白纳米结构的构建也可以作为模板沉积其他分子,在蛋白质监测、生物传感器方面有着潜在的应用.     

Micro-track structure analysis for 100 MeV Si ions in CR-39 by using atomic force microscopy

To analyze the micro-track structure of heavy ions in a polymer material,parameters including bulk etch rate,track etch rate,etch rate ratio,and track core size were measured.The pieces of CR-39 were exposed to 100 MeV Si ions with normal incidence and were etched in 6.25N NaOH solution at 70 C.Bulk etch rate was read out by a profilemeter after several hours of etching.The other parameters were obtained by using an atomic force microscope(AFM)after a short time of etching.We have measured the second etch pits and minute etch pits to obtain the track growth curve and three dimension track structures to track the core size and etch rate measurements.The local dose of the track core was calculated by theδ-ray theory.In our study,we figure out that the bulk etch rate Vb=(1.58±0.022)μm/h,the track etch rate Vt=(2.90±0.529)μm/h,the etch rate ratio V=1.84±0.031,and the track core radii r≈4.65 nm.In the meantime,we find that the micro-track development violates the traditional track-growth model.For this reason,a scenario is carried out to provide an explanation.     

非晶熔石英表面等离子体刻蚀过程 中的表面晶化研究

本工作采用电子回旋共振(ECR)低压等离子体刻蚀技术, 刻蚀非晶熔石英表面. Ar/CF₄为反应气体刻蚀后再经O等离子体钝化, 非晶熔石英表面出现晶化现象. 晶化层约几百纳米厚. Ar/CF₄在ECR的电磁场作用下产生F离子与C离子, F离子使熔石英表面的Si-O共价键断裂, 并释放出O离子. C离子与O离子迅速键合生成CO₂, 而被断键的Si原子与四个F原子键合生成气态SiF₄. 熔石英原始表面被去除的同时, 在新的表面留下大量不饱和Si原子. 不饱和Si原子在高温条件下被O等离子钝化, 形成结晶态α 方石英.     

铬过渡层位置及金属沉积角度对纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵结构的影响

利用纳米球刻蚀法制备了二维六角密排三角形银纳米阵列, 通过加入铬过渡层并改变其位置和改变金属沉积角度, 研究它们对点阵结构的影响. 实验发现, 加入铬过渡层所形成的银纳米点阵结构较无铬层有很大改善, 三角形角部更加尖锐, 更能满足传感器对信号检测的要求. 同时, 该过渡层应蒸镀在模板球排列之后, 才能获取更大面积的二维银纳米点阵结构. 在沉积角度对制备二维银纳米点阵的实验中, 基片没有旋转, 采用垂直镀膜方式更容易得到结构完整、结合较牢固、且面积较大、角部尖锐的二维银纳米点阵. 吸收光谱测量进一步验证了铬过渡层对二维银纳米点阵形貌结构的改善作用. 这些为下一步的生物修饰以及生物化学传感器的制备提供了先决条件.     

表面增强拉曼光谱研究高分子－金属界面结构

表面增强拉曼散射（ＳＥＲＳ）是近十几年来迅速发展起来的一种有力的表界面分析手段。本文简要地介绍了作者对激光拉曼制样技术的改进，以及ＳＥＲＳ在金属表面的聚合反应，聚合物在金属表面的取向，高聚物－金属表界面微观结构等研究中的应用。     

光子晶体的制备及应用

光子晶体（PC）是具有光子带隙的周期性电介质结构，频率落在光子带隙中的光将被禁止传播。本文对光子晶体的能带结构、带隙的产生、制备方法及应用作了简要的介绍，重点介绍了光子晶体的制备技术及其在光电领域中的应用前景。     

电位活化现象与金属电沉积初始过程的研究

进行了恒电流电位-时间曲线和循环伏安曲线的测定，显示了铁电极进行氰化物镀铜时，镀层沉积前铁表面的电位活化过程. 对铁电极上焦磷酸盐镀铜的初始过程研究表明，由于铜的析出电位较正，铜是在未活化的电极表面上沉积的，因此镀层的结合强度很差.采用氩离子溅射和X射线光电子能谱相结合的方法，检测焦磷酸盐镀铜层和铁基体界面区含氧量的变化，证明了氧化层的存在. 通过添加辅助络合剂和控制起始电流密度的方法，可以增强无氰电镀时阴极的极化. 当铜的析出电位负于铁基体的活化电位时，可显示出铁表面的电位活化过程，定量测量镀层的结合强度也与氰化物电镀相近.     

同步辐射激发直接干化学刻蚀

同步辐射激发直接光化学刻蚀是近年来发展的一项新技术 ,它不需要常规光刻中的光刻胶工艺 ,用表面光化学反应直接将图形写到半导体材料的表面上。由于所用的同步辐射在真空紫外 (VUV)波段 ,理论上的分辨率可以达到电子学的量子极限 ,且没有常规工艺中的表面损伤和化学污染 ,是一种非常具有应用潜力的技术。本文的最后部份重点讨论了与上述技术密切相关的VUV和软X射线激发的表面光化学反应机理。