离子束刻蚀碲镉汞晶体的电学特性研究

本文利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体, 发现180 μm的p型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为n型, 且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层. 通过分析不同温度下的迁移率谱, 表明表面电子层的迁移率不随温度而变化, 而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉汞材料一致. 不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀. 另外, 通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高2-3个数量级.     

离子束平动刻蚀工艺衍射光学元件的设计及制作

提出了一种用于制作二维光束整形衍射光学元件的新方法———离子束平动刻蚀工艺。分别介绍了利用这种新方法设计衍射光学元件的原理、设计过程以及刻蚀工艺系统的构成和掩模板的设计方法。结果表明 ,这种新的工艺方法不拘泥于圆对称系统 ,不但继承了离子束旋转刻蚀工艺的位相真正连续分布的优势 ,而且所制作出的衍射光学元件 ,即使对于半导体激光器所产生的两个方向发散角不同的激光束来说也仍然可以进行整形 ,并最终能得到矩形焦斑。这种工艺方法的理论设计也可以从二维化简为两个一维的设计 ,从而大大简化了设计计算的复杂程度     

刻蚀衍射光栅色散特性分析

对作为波分复用关键器件之一的刻蚀衍射光栅(EDG)的色散特性提出了一种完整的计算方案,分析了器件强度响应和相位响应之间的内在关系.同时通过模拟计算提出并验证了平坦化的同时加剧了色散,以及适当改善频谱响应带通纹波大小可以在一定程度上降低器件的色散.最终指出了使用渐变的抛物线结构多模干涉更有利于得到综合性能最优的平坦频谱.     

表面增强拉曼光谱研究高分子－金属界面结构

表面增强拉曼散射（ＳＥＲＳ）是近十几年来迅速发展起来的一种有力的表界面分析手段。本文简要地介绍了作者对激光拉曼制样技术的改进，以及ＳＥＲＳ在金属表面的聚合反应，聚合物在金属表面的取向，高聚物－金属表界面微观结构等研究中的应用。     

等离子辅助制备单元层厚度的铁电薄层及其铁电性的表征

我们报道了一种通过机械剥离和Ar⁺等离子体减薄过程的组合来制备3.6 nm厚的二维双（苄基铵）四氯化铅（A₂PbCl₄）的薄层。压电力显微镜测量表明，Ar⁺等离子体蚀刻后单元层厚度的BA₂PbCl₄薄层的铁电性仍然保持。     

光子晶体的制备及应用

光子晶体（PC）是具有光子带隙的周期性电介质结构，频率落在光子带隙中的光将被禁止传播。本文对光子晶体的能带结构、带隙的产生、制备方法及应用作了简要的介绍，重点介绍了光子晶体的制备技术及其在光电领域中的应用前景。     

电位活化现象与金属电沉积初始过程的研究

进行了恒电流电位-时间曲线和循环伏安曲线的测定，显示了铁电极进行氰化物镀铜时，镀层沉积前铁表面的电位活化过程. 对铁电极上焦磷酸盐镀铜的初始过程研究表明，由于铜的析出电位较正，铜是在未活化的电极表面上沉积的，因此镀层的结合强度很差.采用氩离子溅射和X射线光电子能谱相结合的方法，检测焦磷酸盐镀铜层和铁基体界面区含氧量的变化，证明了氧化层的存在. 通过添加辅助络合剂和控制起始电流密度的方法，可以增强无氰电镀时阴极的极化. 当铜的析出电位负于铁基体的活化电位时，可显示出铁表面的电位活化过程，定量测量镀层的结合强度也与氰化物电镀相近.     

同步辐射激发直接干化学刻蚀

同步辐射激发直接光化学刻蚀是近年来发展的一项新技术 ,它不需要常规光刻中的光刻胶工艺 ,用表面光化学反应直接将图形写到半导体材料的表面上。由于所用的同步辐射在真空紫外 (VUV)波段 ,理论上的分辨率可以达到电子学的量子极限 ,且没有常规工艺中的表面损伤和化学污染 ,是一种非常具有应用潜力的技术。本文的最后部份重点讨论了与上述技术密切相关的VUV和软X射线激发的表面光化学反应机理。