Dip-pen刻蚀技术直接制造蛋白质纳米阵列

美国西北大学 Mirkin等 [1～ 3] 发明的 Dip- pen( DPN,译为蘸水笔技术 )纳米刻蚀技术是以 SPM的针尖为笔 ,通过超分子相互作用使被书写的分子或纳米材料粘在针尖上 ,以某种材料为基底 ,通过合理的超分子相互作用的设计将针尖上的分子或纳米材料书写到基底上 ,从而实现纳米刻蚀和纳米制造的目的 .很显然 ,这种技术对纳米器件、纳米传感器、高密度存储以及生物芯片的制造具有重要意义[4～ 7] .近年来 ,Mirkin研究组和其他几个研究集体利用这种技术成功地制造了有机分子纳米图形与阵列 [8] ;无机氧化物 [9]、金属纳米粒子 [10 ,11]、高分…     

热诱导金属/聚合物膜系图案化控制的研究

近年来 ,在简单体系上形成复杂规则的图案已引起诸多学者的注意 ,其中以聚合物为母体的体系发展了模板、局部紫外照射和激光诱导等一系列技术 ,从而得到可控的表面图案[1～ 6] .本文用激光刻蚀法对溅射在聚合物膜上的金属薄膜进行处理 ,在热诱导情况下使金属 /聚合物膜系表面产生了规则的图案 .薄膜热应力的可控释放作用和激光刻蚀造成的区域局限作用被认为是诱导这种可控图案产生的两种基本要素 .通过控制激光刻蚀区域 ,可控制薄膜表面形貌变化 ,从而实现可控的图案化设计 .1　实验部分1.1　原料及仪器　聚苯乙烯 (PS) :北京燕山石油化工…     

电化学微/纳米加工技术

介绍电化学微／纳米加工技术，特别是厦门大学电化学微／纳米加工课题组建立起来的约束刻蚀剂层技术，旨在让广大师生了解这一特种加工技术，共同促进我国电化学微／纳米加工技术的研究及产业化进程。     

小型静电陀螺仪信号读取方案研究

信号读取技术是小型静电陀螺仪的一项关键技术，中介绍了赤道锯齿刻线的光电信号读取方案，分析了图形刻线误差，转子转速误差，耦合误差，转子线位移误差所产生的测角误差，研究了图形刻制方法，并作了初步试验。研究结果对信号读取系统的设计与研制具有参考价值。     

基于微芯片的透射电子显微镜的低温纳米精度电子束刻蚀与原位电学输运性质测量

利用微芯片制备技术制备了带有电极的原位电学薄膜芯片,并结合自制的原位透射电镜样品台,实现了低温下透射电子显微镜聚焦电子束对InAs纳米线的精细刻蚀以及不同温度下的原位电学性能测量.研究发现,随着刻蚀区域截面积的减小,纳米线的电导率也随之减小.当纳米线的截面积从大于10000 nm2刻蚀至约800 nm2时,纳米线电导的减小速率与截面积的减小具有线性关系.同时利用低温聚焦电子束刻蚀,在InAs纳米线上原位制备了一个10 nm的纳米点,并在77与300 K下对该纳米点进行了电学性能测量.通过测量发现在77 K时出现库仑阻塞效应,发生了电子隧穿现象;而300 K时,热扰动提供的能量使这种现象消失.     

氧等离子体刻蚀CVD金刚石膜的影响机理

采用电子回旋共振(ECR)等离子体在不同的磁场位形和工作气压下刻蚀化学气相沉积(CVD)金刚石膜,运用双探针和离子灵敏探针法对等离子体进行了诊断,研究了等离子体参数对刻蚀效果的影响。结果表明:磁场由发散场向收敛场转变时,离子温度、电子温度和等离子体密度都随之增大,刻蚀效果逐渐增强;当工作气压由低气压向高气压变化时,等离子体参数先增大后减小,CVD金刚石膜表面粗糙度降低程度也出现了相同的趋势。     

飞秒激光湿法刻蚀微纳制造

飞秒激光微加工作为一种新型微纳制造技术,在复杂三维构型制作方面具有其独特的优势,但激光加工效率问题严重制约了飞秒激光微加工技术走向实际工程应用,提出一种飞秒激光湿法刻蚀微纳制造方法,以提高飞秒激光微加工的效率为突破口,通过调控激光与物质相互作用获得材料的目标靶向改性,进而结合化学湿法刻蚀实现硬质材料上的高效和高精度三维微加工,采用这一方法制作出的微透镜尺寸为80 μm,球冠高67 μm,表面粗糙度小于10 nm。利用这种方法,实现了不同结构与特性的高质量微透镜阵列的超精密制备,在石英内部也实现了螺旋微通道的复杂三维结构,螺旋通道直径为20 μm,长径比超过100。     

多光束纳秒紫外激光制作硅表面微结构

使用波长351 nm的半导体泵浦全固态脉冲激光器（DPSSL）作为光源,经过位相光栅分束,形成干涉光场,在硅表面直接刻蚀微结构,制作了周期为0.55 µm,槽深可达55 nm的一维微光栅和周期为1.25 µm,刻蚀深度45nm的正交微光栅结构。给出了微光栅形貌结构的扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)的测量结果。正交微光栅的一级衍射效率在1.8%到6.3%之间。该研究是改变硅表面微结构,优化硅材料特性的一种新方法,并扩展了大功率激光刻蚀在表面微加工领域的应用。     

光诱导约束刻蚀体系中羟基自由基生成的影响因素

采用荧光分析,暂态光电流响应分析,电化学交流阻抗谱(EIS)和Mott-Schottky响应分析考察了外加电位,光照时间,溶液pH等几个关键因素对光诱导约束刻蚀体系中TiO2纳米管阵列表面游离OH生成的影响.结果表明:当外加电位为1.0 V时,光电协同产生游离OH效率最高;OH的光催化生成与消耗能很快达到稳态,形成稳定的约束刻蚀剂层,有利于保持刻蚀过程中的精度;当pH为10时,TiO2纳米管光催化产生游离OH效率最高.研究结果对于调控和优化光诱导约束刻蚀平坦化铜的溶液体系,提高铜的刻蚀速度或平坦化精度有重要的指导意义.