制造玻璃微流控芯片的简易加工技术

报道了在普通化学实验室中设计和加工玻璃微流控芯片的方法。用Adobe Illustrator 8.0软件微流控片图形，通过高分辨率激光照排机在照相底片上制得光刻掩模。用商品匀胶铬板表面的145nm Cr/570nm Az-1805光胶层作为保护层，在50℃刻蚀液（1mol/L HF 1mol/L NaF)中，刻蚀速度为2μm/min。通过彻底洗净加工好的玻璃基片，提高了芯片热键合的质量和成品率。制得的芯片已成功地用于氨基酸分离和PCR扩增。     

金属纳米结构的氧化刻蚀调控与催化性能优化

金属纳米结构的可控合成,对其性能优化和高效应用至为关键．氧化刻蚀作为金属纳米晶可控合成中的新兴有效调控手段之一,受到越来越多的关注．本文以本课题组近期的研究工作为例,说明了氧化刻蚀对金属纳米晶的形貌、尺寸、结构及组成等合成参数的有效调控作用．由此总结认为,在金属纳米晶可控合成的一般过程,尤其是成核和生长过程中,氧化刻蚀的本质是有效调控“两个速率”和“两个力学”,即减缓原子的生成速率与晶种的形成速率、选择性接受反应热力学和反应动力学的控制作用．我们将通过氧化刻蚀法调控合成得到的具有独特结构的Pd,Pt纳米晶,用于氧活化和电催化这两个重要的催化体系,获得了理想的催化结果,表明氧化刻蚀在金属纳米晶的功能改性和应用拓展方面,具有令人称奇的广阔应用前景．     

多孔纳米片状石墨相氮化碳的制备及其可见光催化

以三聚氰胺和硫脲为前驱体,通过简易的氧气刻蚀制备了多孔纳米片状氮化碳。相比于三聚氰胺制备的薄片状氮化碳（MCNS）,以硫脲制备的多孔纳米片状的g-C₃N₄（TCNS）片层更薄,其单片厚度约为30 nm,且TCNS的层状结构明显,能带隙约为3.03 eV,高于石墨相氮化碳（2.77 eV）,更宽的禁带赋予载流子更强的氧化还原能力。较大的比表面积（114 m²·g^-1）可以提供更多的活性位点,同时纳米片状结构可以促进电子与空穴的有效分离和转移,且能有效地降低光生载流子的复合率,因而TCNS具有更高的光催化活性。     

适用于针尖增强拉曼技术的Au针尖的研制

采用针尖增强拉曼光谱技术(TERS)研究了刻蚀电位对Au针尖刻蚀效果的影响, 初步探讨了刻蚀过程的机理. 通过监控刻蚀过程中的振荡电流-时间曲线并与扫描电镜得到的结果比较, 发现可以直接利用电流-时间曲线简单地判断刻蚀后针尖的可能形状, 而无需再借助扫描电镜进行表征. 这不但提高了实验效率, 而且还可以避免针尖在转移和电镜表征过程中可能引入的污染. 研究结果表明, 在体积比为1:1的发烟盐酸和无水乙醇的刻蚀液中, 于2.2 V的电压下, 结合电化学方法控制终点可以得到形状对称尖锐的针尖. 这种针尖不但适合于TERS研究, 而且可用作STM针尖和微纳电极并用于其它针尖增强光学技术.     

微热模塑法制备聚苯乙烯球面微透镜阵列

用软刻蚀中的微热模塑技术制备聚苯乙烯(PS)微立方体阵列, 再利用材料在液态或熔融状态时其表面自由能会不断地减小直至最低从而达到最稳定的状态这一特性, 通过加热熔融方法成功地将PS微立方体结构变成了PS微半球体结构, 光学成像测试验证了PS微半球体阵列具有良好的光学成像功能, 可以作为微透镜阵列使用. 用微热模塑技术制备高聚物的微透镜阵列, 其过程简单, 成本低, 适用于很多材料, 所制备的微透镜阵列结构精确度高, 并因所用到的模具为弹性印章, 有望在非平面上制备微透镜阵列, 为微透镜阵列的制备提供了一种新的途径.     

微波等离子体技术在ICF制靶中的应用

 为了提高ICF精密制靶的质量，提出用微波等离子体（MP）技术，包括等离子体薄膜制备、等离子体反应性离子束刻蚀、聚焦离子束刻蚀、掺杂纳米金属粉末制备和掺杂纳米金属粉末的表面包覆改性等技术，去加以改进和解决。此方法与其它成膜技术相结合，在ICF精密制靶中得到广泛应用。     

亚甲基蓝化学吸附动力学的SERS研究

用硝酸刻蚀银表面ＳＥＲＳ技术研究了亚甲基蓝在较稀浓度时的化学吸附动力学，对不同振动模式计算了吸附动力学参数，结果表明，亚甲基蓝在银表面上吸附均匀，吸附过程中没有吸附形态间的转化。在亚甲基蓝浓度较高时，我们观察到了与浓度较稀时明显不同的行为，并提出了可能的解释。另外，还考察了Ｃｌ＾－离子对亚甲基蓝在银表面上吸附形态的影响，观察到由“平躺”方式向“独立”方式的转变。     

基于直接胶体晶体刻蚀技术的高度有序纳米硅阵列的尺寸及形貌控制

以自组装单层胶体小球阵列为掩模，采用直接胶体晶体刻蚀技术在硅表面制备二维有序尺寸可控的纳米结构.在样品制备过程中，首先通过自组装法在硅表面制备了直径200nm的单层聚苯乙烯(PS)胶体小球的二维有序阵列；然后对样品直接进行反应离子刻蚀(RIE)，以氧气为气源，利用氧等离子体对聚苯乙烯小球和对硅的选择性刻蚀作用，通过改变刻蚀时间，制备出不同尺寸的PS胶体小球的有序单层阵列；接着以此二维PS胶体单层膜为掩模，以四氟化碳为气源对样品进行刻蚀；最后去除胶体球后得到二维有序的硅柱阵列.SEM和AFM的测量结果表明：改变氧等离子体对胶体球的刻蚀时间和四氟化碳对硅的刻蚀时间，可以控制硅柱的尺寸以及形貌，而硅柱阵列的周期取决于原始胶体球的直径. 关键词： 胶体晶体刻蚀 纳米硅柱阵列     

等离子体刻蚀工艺中的光学发射光谱仪数据的模型研究(英文)

原位光学发射光谱仪(OES)已经成为等离子体刻蚀工艺控制过程中的一种非常有潜力的在线传感器系统。采用光谱仪实时采集高密度等离子体刻蚀机中的OES光谱数据,利用BP神经网络算法对特定波长的OES数据进行分析及建模,以便对等离子体刻蚀工艺过程进行反馈控制。由刻蚀产物SiCl发出的405nm谱线被选为特征谱线来确定刻蚀工艺过程的终点。     

等离子体的光电转换以及激光刻蚀金纳米颗粒(英文)

Anewtechnologyforthedevelopmentofop icandphotonicdevicesandsystemstakingad antagesofextraordinaryenhancementandlocal ationofsurfaceplasmonmaybecalledas“plas onics”.Anoteworthycharacteristicofgold anoparticlesisthattheyshowstrongabsorption andsinthevisib…