超导纳米线单光子探测器件的制备

超导纳米线单光子探测器件(SNSPD)是超导单光子探测系统的核心器件。文中介绍了成功制备的基于5nm厚的NbN超导超薄薄膜的SNSPD器件。器件核心结构为150nm宽的纳米曲折线结构,纳米线条占空比为75%,面积为20μm×20μm。超导纳米线是利用电子束曝光(EBL)技术和反应离子刻蚀(RIE)等工艺技术制备的。所制备的SNSPD样品,在温度3.5K下的临界电流约12.9μA;在1310nm波长光波辐照,12.5μA的偏置电流下,探测效率约0.016%。     

组合刻蚀法制备窄带滤光片列阵

介绍了组合刻蚀法制备窄带滤光片列阵的基本原理和制备工艺,这是一种效率非常高的制备方法,只需N次刻蚀就可以完成2N通道窄带滤光片列阵的制备,而且可以用于制备不同波段窄带滤光片列阵。展示了可见-近红外波段32通道窄带滤光片列阵和中红外波段16通道窄带滤光片列阵的实验结果,其中32通道窄带滤光片列阵的带通峰位基本呈线性分布在774.7~814.2 nm之间,所有滤光片的半峰全宽都非常窄(δλ<1.5 nm),相应于δλ/λ<0.2%,半峰全宽最窄的滤光片达到0.8 nm,相应于δλ/λ<0.1%,其带通峰位λ=794.3 nm;各通道的带通透过率在21.2%~32.4%之间,大部分在30%左右。     

蓝宝石基底上制备蠕虫状ZnO及强紫外发光性能研究

由于光源的相关色温与色偏差计算一直是备受研究者们关注的问题，故提出了一种基于三角形法、抛物线法和三次多项式法的高效混合光源相关色温与色偏差计算方法。在色温为2000～20000 K, 1 K步长的18001条等温线上，并在色偏差范围为-0.03～0.03内以0.015间隔选取90005个测试样本，测试并比较了所提方法、Ohno方法与Robertson方法的精确度。测试结果表明，所提方法的性能优于Ohno方法与Robertson方法，且其色温和色偏差的最大绝对误差分别为0.3858 K和3.33×10^-6,故所提方法可被直接用于LED光谱优化与设计中。     

单晶硅各向异性仿真刻蚀模型构建与形貌模拟

本文针对单晶硅在不同温度、浓度、表面活性剂等多种刻蚀条件下的形貌模拟问题，构建了硅原子结构模型并分析了其主要晶面刻蚀速率和对应原子结构之间的关系，提出了适应于单晶硅刻蚀模拟的表层原子刻蚀函数(Si-RPF),明确了晶面宏观刻蚀速率与原子微观移除概率之间的数值联系，构建了基于遗传算法的动力学蒙特卡罗各向异性湿法刻蚀工艺模型(Si-KMC)。该工艺模型可以基于台阶流动理论，从原子角度解释单晶硅刻蚀各向异性的成因，能够明确不同类型的原子在刻蚀过程中的作用和实现对不同刻蚀条件下单晶硅衬底三维刻蚀形貌的精确模拟。对比有无表面活性剂添加条件下的单晶硅刻蚀实验数据和模拟结果表明，Si-KMC刻蚀工艺仿真模型模拟结果可以达到90%以上仿真精度。     

自支撑软X射线针孔透射光栅研究

本文报道了在研制聚酰亚胺衬底的软Ｘ射线透射光栅的基础上＾［１］，采用全息－离子束刻蚀方法和微电镀技术研制成功了无衬底自支撑的软Ｘ射线针孔透射光栅，简要地介绍了工艺过程并给出了实验结果。     

二维胶体晶体刻蚀法及其应用

二维胶体晶体刻蚀法合成二维有序纳米颗粒阵列具有操作简单、成本低、易于实现规模化的优点，它可方便地控制纳米颗粒阵列的形态（即颗粒的间距、尺寸、形状甚至成分等），从而实现阵列性质的大范围调制。而二维胶体晶体的合成是这种刻蚀技术的关键，文章着重介绍其形成的基本过程、影响因素及其合成技术；概述胶体晶体刻蚀技术的应用，并对此进行展望。     

Room-Temperature Inductively Coupled Plasma Etching of InP Using Cl2/N2 and Cl2/CH4/H2

We optimize the room-temperature etching of InP using Cl2/CH4/H2 and Cl2/N2 inductively coupled plasma reactive ions. A design of experiment is used in the optimization. The results, in terms of etch rate, surface roughness and etched profile, are presented. These Cl2-based recipes do not require substrate heating and thus can be more cost effectively and widely applied. The Cl2/CH4/H2 process is able to give a higher etch rate （about 850 nm/min） and cleaner surface with less polymer formation compared to the conventional CH4/H2 process. The Cl2/N2 process produces even higher etch rate （as high as 2μm/rain）, but rougher surface with slight sidewall undercut. The Cl2/N2 process also has no polymer formation due to the absence of methane gas. Both the processes give very good selectivity to the silicon dioxide （SiO2） etch mask. The selectivity of InP to the oxide mask （up to 55：1） for the Cl2/N2 process is one of the highest reported so far. The etched structures possess reasonably good sidewall verticality and surface quality comparable to that obtained under elevated temperature condition （〉 200℃）.     

C60薄膜的准分子激光刻蚀及形貌分析

报道了准分子ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）紫外激光刻蚀Ｃ６０膜的实验研究及对刻蚀薄膜的形貌分析。基于形貌分析的结果提出其刻蚀机理。     

308nm准分子激光对C60薄膜的刻蚀特性研究

测量在空气和真空中３０８ｎｍ准分子激光对Ｃ６０薄膜的刻蚀速率和刻蚀阈值，讨论了环境中氧气对刻蚀特性的影响。     

嵌段共聚物自组装及其在纳米材料制备中的应用(下)

嵌段共聚物可以自组装形成丰富的有序微结构。这些微结构可以拥有各种不同的几何形态和晶体／准晶结构及宽泛的尺寸选择性，而且具有良好的可调控性及相对容量的加工方法。利用嵌段共聚物这种自组装特性来制备一些利用传统技术难以获得的纳米材料（如功能纳米材料，纳米结构材料，模板材料，介孔固体等）及微米／亚微米微结构材料（如光子晶体等），具有优越性。这些材料将在信息技术，生物医学，催化等领域取得应用。