退火及铟含量对InGaAs量子点光学特性的影响

 研究了退火条件和In组份对分子束外延生长的InGaAs量子点（分别 以GaAs或AlG aAs为基体）光学特性的影响。表明：量子点中In含量的增加将导致载流子的定域能增加和基态与激发态之间的能量间隔增大。采用垂直耦合的量子点及宽能带的AlGaAs基体可增 强材料的热稳定性。以AlGaAs为基体的InGaAs量子点,高温后退火工艺 (T= 830℃)可改善低温生长的AlGaAs层的质量,从而改善量子点激光器材料的质量。     

后退火对InxGa1xAs 单层量子点光学性质的影响

 研究了以GaAs和Al_0.15Ga_0.85As为基体, 当铟的摩尔分数（x）不同时, 后退火对InxGa1-xAs 单层量子点光致荧光（PL）谱特性的影响。后退火将导致铟含量不同的样品（x=0.23, 0.37, 0.50, 1.0）的PL谱线宽度变窄和蓝移。对于GaAs 基体, 在700℃退火90分钟所造成的PL谱蓝移与退火30分钟相似;(仅当x=0.23时, 退火90分钟所造成的PL谱蓝移小于30分钟)。对于Al0.15Ga0.85As基体, 在700℃退 火30分钟和90分钟, 其PL谱蓝移是不同的。     

C60（OH）x（O）y的快速制备及其水解形成C60（OH）n

Ｃ６０（ＯＨ）ｎ是Ｃ６０的多羟基化合物,又称富勒醇（Ｆｕｌｅｒｏｌｓ）,因分子中含有多个羟基而易溶于水。目前人们已发现Ｃ６０（ＯＨ）ｎ不仅在生物、医药及高分子材料等方面有许多应用前景［１］,而且在Ｃ６０（ＯＨ）ｎ的水溶液化学及电化学等理论研究方面［２...     

直读光谱法测定铅基合金中铅砷钙铜锑硒锡

叙述了应用直读光谱仪测定蓄电池用铅基合金的方法及效果,其精密度和准确度完全能满足同行业生产和科研需要。     

钯以及钯—银／陶瓷复合膜的制备与表征

对用改进的化学镀新工艺制备的钯以及钯－银／陶瓷复合膜进行了表征。结果表明,在６２３－７７３Ｋ温度范围内,这两种复合膜对Ｈ２／Ｎ２和Ｈ２／Ａｒ的分离系数接近无穷大;氢气透过此复合膜服从Ｆｉｃｋ第一定律,氢气的体相扩散为速率控制步骤;其氢气渗透系数与温度成较好的Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ线性关系,氢气透过钯复合膜和钯－银复合膜的表观活化能分别为１０．８７４,８．２１６ｋＪ／ｍｏｌ,Ｑ值分别为１．６２×１０＾－     

降低卷烟焦油的高新技术——催化降焦

现代科学研究表明,吸烟对人体健康最具危害的是卷烟烟气中的焦油成份。吸烟有害健康已成为人们的共识。我国政府于１９９６年第１１０号文件发布《卷烟》新国标。《卷烟》新国标的核心问题是降低卷烟焦油量。因此降低卷烟焦油量是我国政府政策的要求,是各大卷烟厂的紧迫...     

柿叶黄酮类化合物乙醇提取工艺的研究

采用正交设计,以浸提温度、乙醇浓度和固液比为考察因素,对柿叶总黄酮的乙醇提取工艺进行了研究。结果表明,用15倍叶重的50％乙醇水溶,在75℃下浸提3h为最佳条件。     

溶胶凝胶法制备纳米LiCoO2

纳米微粒;放电初容量;循环稳定性;溶胶凝胶法制备纳米LiCoO2     

Ni/Al2O3催化剂上甲烷部分氧化制合成气反应积炭的研究

合成气制备;Ni/Al2O3催化剂上甲烷部分氧化制合成气反应积炭的研究