[四-(三-甲氧基-四-羟基)苯基]-锌卟啉-环糊精超分子体系研究

在中性磷酸盐缓冲溶液中,以紫外-可见分光光度法和荧光光谱法研究了对称性卟啉[四-(三-甲氧基-四-羟基)苯基]-锌卟啉(简称T(3-MO-4-HP)P-Zn)与α-CD、β-CD、γ-CD三种环糊精之间相互作用形成的超分子体系.结果表明T(3-MO-4HP)P-Zn卟啉与3种环糊精均形成1∶1的包结物.利用双倒数曲线法计算了T(3-MO-4-HP)P-Zn-CD超分子体系的包结常数,结果表明T(3-MO-4-HP)P-Zn与β-CD表现出最强的包结能力.     

法国研究人员开发出由单个分子构成的LED

正为了挑战LED最小化极限,法国史特拉斯堡大学、法国第六大学以及法国国家科学研究院的研究人员合作已经开发出由单个分子构成的LED。该LED是由一根聚噻吩(polythiophene)线放置在扫描隧道显微镜和黄金表面之间而形成。它只有当电流通过时才会沿某一方向发光。这个实验绝妙地揭示了电-光之间转化设备的最小尺度。此外,它也代表了创建未来分子计算机组件向前     

Epitaxial growth of Ge1-xSnx films with x up to 0.14 grown on Ge （001） at low temperature

We characterize the structures of Ge1-xSnx films with x up to 0.14 grown on Ge （001） by molecular-beam epitaxy at low temperature. The results show that Ge1-xSnx films are fully strained even at high Sn composition. The in-plane lattice parameters remain exactly the same as that of the substrate. Depth sensitivity analysis of the lattice parameters indicates that the strains of the epitaxial films are all in homogeneity. The films are fully strained. Poisson ratios, the force constants for the bonds between Ge and Sn are estimated and discussed in the present paper. Raman results show Ge-Ge, Ge-Sn, Sn-Sn vibrational modes. The Sn-Sn bond aggregation may respond to the high quality of our films. The fully strained epitaxy films with high content of Sn may be useful in designing the high quality GeSn films.     

Oh型分子三重简并态Hamiltonian算符的研究

本文应用群论原理及不可约张量性质，详细推导了Ｏｈ型分子三重简并态Ａｍａｔ－Ｎｉｅｌｓｅｎ方案中精确到四级的Ｈａｍｉｌｔｏｎｉａｎ算符，为Ｏｈ型分子精细结构理论和光谱的进一步研究做了数学上的准备。     

碘分子吸收光谱研究

我们用HRD-1型双光栅单色仪记录了碘分子在可见光区域的吸收光谱。确定了大量的带头,由此得出了碘分子的离解限、离解能、力常数和振动基频。实验结果与理论结果很符合。     

原子吸收分光光度计用于分子吸收分析测定稀土氧化物中铝和硅

用原子吸收分光光度计代替紫外－可见光度计测定元素的分子络合物的分子吸收。作为初步尝试，测定了稀土氧化物中的铝和硅，取得了满意的结果。     

萨根（Sagan，Carl，1934-）美国天文学家（Actronomer，America）

萨根1960年获芝加哥大学博士学位。他主要的兴趣是行星的表面和大气。他创立了金星大气的温室模型，解释这颗行星上令人费解的高温。他也为火星表面的高度差和木星大气中的有机分子找到了证据。他是那些好读科学幻想小说的科学家之一。他试图从模拟原始地球条件的物质体系制造出化合物，经过氨基酸再到核酸的基本构件。1963年他成功地探测到三磷酸腺苷（ATP）的形成，那是生命组织的主要能库。     

含有AlGaAs插入层的InAs/GaAs三色量子点红外探测器

本文报道了采用分子束外延技术制备的三色InAs/GaAs量子点红外探测器. 器件采用nin型结构, 吸收区结构是在InGaAs量子阱中生长含有AlGaAs插入层的InAs量子点, 器件在77 K下的红外光电流谱有三个峰值: 6.3, 10.2和11 μm. 文中分析了它们的跃迁机制, 并且分别进行了指认. 因为有源区采用了不对称结构, 所以器件在外加偏压正负方向不同时, 光电流谱峰值的强度存在一些差异. 不论在正偏压或者负偏压下, 当偏压达到较高值, 再进一步增大偏压时, 都出现了对应于连续态的跃迁峰强度明显下降的现象, 这是由量子点基态与阱外连续态的波函数交叠随着偏压进一步增大而迅速减小导致的.     

(1,2-μ2-L1)(1,2-μ2-L2)十羰基合三锇振动光谱的理论计算[L1, L2=H, Cl, Br, I]

用密度泛函理论和从头计算(abinitio)方法,在B3LYP CEP 4G ,B3LYP LanL2DZ和RHF CEP 4G ,RHF LanL2DZ水平上,全优化计算了(1,2 μ2 H) (1,2 μ2 L)Os3(CO) 1 0 (L :Cl,Br,I)的分子几何构型和电子结构;在RHF CEP 4G水平上,全优化计算了(1,2 μ2 L) 2 Os3(CO) 1 0 (L :H ,Cl,Br,I)的分子几何构型和电子结构。计算结果表明,在这些体系中,电子由Os(CO) 3向Os(CO) 4转移。用RHF CEP 4G对这七个簇合物进行了简正振动频率分析,在计算得到振动频率及吸收强度的基础上,模拟了稳定平衡结构的红外光谱图,并对计算结果进行了比较和讨论。