第六章 一元一次方程

亲爱的同学，你们好!在新学期的开始，让我们一起走进第六章——一元一次方程的学习探究。本章中有许多应用问题、探究性和开放性的问题都在向你招手，相信你的聪明才智必定能在解决问题中得到进一步的展现，通过本章的学习，你将：     

原伊鲁烷型倍半萜醇芳香酸酯的碳谱研究

作者自人工发酵得到的蜜环菌Armillaria mellea (Vahl.ex Fr.) Quel.菌丝体中分离出十七个原伊鲁烷型倍半萜醇芳香酸翻,在研究这些化合物的化学结构中,对其全去偶碳谱,偏共振谱或INEPT谱,C-H COSY谱和远程C-H COSY谱进行比较仔细地分析,指定了每个化合物各碳的归属,讨论了其碳谱的特征,并指出¹³C NMR谱是对新的该类型化合物结构测定的有效方法.     

系列类立方烷型Fe4S4簇合物的XPS分析

对7种类立方烷型Fe_4S_4簇合物进行了XPS分析,得到了中心离子Fe的价态,给出了系列Fe_4S_4中骨架硫的结合能,由峰合成结果给出各种S、N的比例与按结构式计算的结果相同。     

寻找异面直线所成角的着眼点

异面直线所成角的问题,是空间“三大角”问题之一,历来是考试的重点内容。异面直线所成角的大小是用过空间一点分别引它们的平行线所成的锐角(或直角)来定义的,准确地定位角的顶点,平移直线构造三角形是解题的关键。下面通过举例谈谈寻找异面直线所成角的几种方法,请大家重点体会寻找异面直线所成角的几个着眼点。     

改进型迈克耳孙干涉仪

采用分光梭镜代替迈克耳孙干涉仪中的分束镜和补偿板，不仅消除了杂散光斑，且简化了仪器的结构．     

GaAs／GaInNAsSb超晶格性能的影响

用Keafing的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs／GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变．用折叠谱(foldedspectrummethod)合Williamson经验赝势法计算了GaAs／GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构．讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响．发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元，从而影响了该超晶格的发光性能．计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量．     

回归模型中异方差或变离差检验问题综述

回归模型的异方差或变离差检验是统计诊断的重要课题。本文系统介绍了普通回归模型、广义回归模型和基于纵向数据的随机效应或自相关回归模型的异方差检验或变离差检验的研究概况和最新进展；同时介绍了作者关于非线性回归模型的相应工作，最后指出了若干有有待进一步研究的问题。     

Fe-ZSM-5杂原子分子筛的合成与表征

采用静态水热法分别以正丁胺、四丙基溴化铵为模板剂合成ZSM-5分子筛及Fe-ZSM-5杂原子分子筛；利用XRD与FT-IR对其结构进行表征；考察了Mo改性后分子筛催化剂上甲烷脱氢芳构化的反应性能。结果表明，Fe部分进入了分子筛的骨架，导致分子筛的结晶度及表面酸强度的下降，使Mo／Fe-ZSM-5催化剂的反应性能较Mo／HZSM-5显著下降。     

Time—Resolved Photoluminescence Studies of AlInGaN Alloys

We study the two samples of AlInGaN,i.e.,1-μm Gan grown at 1030℃ on the buffer and followed by a 0.6μm-thick epilayer of AlInGaN under the low pressure of 76 Torr and the AlInGaN layer deposited diectly on the buffer layer without the high-temperature GaN layer,by temperature-dependent photoluminescence(PL) spectroscopy and picosecond time-resolved photoluminescence(TRPL) spectroscopy.The TRPL signals of both the samples were fitted well as a stretched exponential decay at all temperatures,indicating significant disorder in the material.We attribute the disorder to nanoscale quantum dots or discs of high indium concentration.Temperature dependence of dispersive exponent β shows that the stretched exponential decay of the two samples comes from dfferent mechanisms.The different depths of the localization potential account for the difference,which is illustrated by the results of temperature dependence of radiative recombination lifetime and PL peak energy.