电子散射的受激原子态取向的趋向性规则

原子碰撞中的取向参数的研究为原子碰撞动力学、受激原子态结构提供了丰富的信息。本介绍近年来电子与原子碰撞受激原子态取向的特征，其中包括电子与轻原子低能小角度散射下取向的趋向性规则；自旋依赖的取向特点；重原子散射下的取向特点，就重原子散射下取向的趋向性规则的破坏做了简要的分析和讨论。     

静电场与非共振脉冲激光电场共同作用下分子取向的机制

本分析了静电场与非共振的线偏振激光脉冲电场共同作用下分子取向的机制，发现如果激光脉冲足够宽，当激光光强确定后，脉冲的形状对分子取向起着决定性的作用。中进一步挖掘了这种现象背后分子取向的机制，得出了获得高效分子取向的必要条件，并建议将所得的结论应用于短脉冲下的‘postpulse orientation’。     

负离子光致脱附实验中基于飞行时间法的电子谱仪的研制

负离子光致脱附电子谱的研究是目前国际上比较热门的课题。在本中将介绍基于飞行时间法的电子能谱仪的研制工作。基于此谱仪的特点，配合合适的电场，可以转换成为探测立体角为4π的电子动量谱仪。     

新课改下物理学习价值取向的再识识

本结合新课改，提出了教师应该注重去引导学生理解学习物理的原因，即物理学习的价值取向的问题，既而着重分析了在物理学习本身、物理学习评价，以及面对择业与选科的物理学科三个方面，学生应该持有的价值取向。     

气源MBE外延自组装GeSi量子点光致荧光研究

利用气源分子束外延设备（MBE）制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜（AFM）和光致荧光（PL）光谱研究了量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17meV。升温至200K,载流子的输运过程发生变化。对量子点PL积分强度与温度关系曲线进行拟合得到量子点中空穴跃迁至浸润层的热激活能为129meV。     

气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光

利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品.利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质.气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度.200K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17 meV.升温至200 K,载流子的输运过程发生...     

LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究

用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe，ZnSeTe)／ZnTe复合量子阱结构。测量了生长样品的光致发光(PL)谱，得到两个发光峰(记为Il，I2)，分析认为高能侧的峰为Zn0．9Cd0．1Te浅阱峰，而低能侧的峰为ZnSe0．2Te0.8深阱层的发射。对样品进行了变激发强度的PL谱测量，当激发强度增加时，PL谱中两个发光峰的比值(I2／I1)开始时迅速增加，然后缓慢减小。这是由于浅阱中的电子和空穴隧穿入深阱中导致空间电荷的分离，从而在复合量子阱结构中产生了一个内建电场所引起的。     

HL-1M托卡马克中的中子通量和辐射剂量当量测量

用5台带有慢化剂(聚乙烯)的BF3₃正比计数管中子探测器测量中子通量和剂量当 量.4台 置于HL_1M装置的四周,分别测量了在氘等离子体条件下,因欧姆加热和波加热产生的热核聚 变中子产额、中子通量和剂量,以及氢等离子体条件下因高能x射线引起的光致核反应而产生 的光致中子. 另一台流动于其他6个观察点,主要监测中子剂量当量. 在D_D聚变条件下,实测 中子产额与计算值作比较,两者在数量级上大体一致. 中子辐射剂量当量远低于国家和部颁 标准,更低于国际防护委员会推荐的中子辐射允许剂量当量 关键词： 3正比计数管')" href="#">BF3₃正比计数管 光致中子 氘_氘聚变中子 剂量当量     

Ba原子与溴代烷烃反应产物转动取向的动力学研究

本文应用准三体模型及扩展的LEPS势能面 (PES)、准经典轨线和CPOAM模型计算了Ba+RBr(R=CH3,C2H5,C3J7,C4H9,n-C5H11)→BaBr+R反应体系产物 BaBr的转动取向,结果表明产物BaBr的转动取向随碰撞能的增加越趋强烈,随烷基的增大而减弱.     

弱外场对铁磁晶体定态磁化取向的影响分析

首先推出了铁磁晶体在弱外场作用下定态磁化参量,用斜率比较法分析了直接影响磁化取向的参量-平均场的取值情况,讨论了弱外场对定态磁化参量的影响机制,结果发现:①在弱外场较小时,系统与无外场时的情况类似,也有两个稳定取向和一个不稳定取向;如弱外场约大于自旋相互作用,则系统只有一个沿外场方向的稳定取向;②在外场比较弱的情况下,平均场可表示为外场的线性关系;③当平均场取下值点时,所有的N+和N-随弱外场变化的两条曲线相交于坐标轴的左边,磁化强度比的零点左移,外施磁场越大,交点越趋近于A点;当平均场取上值点时,所有的N+和N-随弱外场变化的两条曲线相交于坐标轴的右边,磁化强度比的零点右移,外施磁场越大,交点越趋近于A点.