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111.
112.
《中国惯性技术学报》2014,(1)
提出一种应用于天线跟踪稳定平台的捷联惯导转动基座初始对准方法。首先对卫星天线跟踪稳定平台的结构进行分析,得出在不改变系统现有硬件结构条件下,可充分利用天线跟踪稳定平台的结构特点进行转动基座初始对准的结论;建立完整的捷联惯导旋转基座初始对准数学模型,并采用奇异值分解法分析捷联惯导转动基座初始对准的可观测性。实验结果表明,该方法初始对准中系统可观测矩阵的最小奇异值比静基座初始对准可观测矩阵最小奇异值大一个多数量级,能提高捷联惯导系统的可观测性,并能有效地提高姿态角尤其是航向角的对准精度,为提高通信卫星天线跟踪稳定平台的性能提供了有价值的参考。 相似文献
113.
采用水热法在FTO上制备(001)高活性晶面主导的TiO2纳米片薄膜,利用循环伏安法在TiO2纳米片薄膜上沉积CdSe颗粒,制备了TiO2/CdSe纳米片异质结薄膜。分别在150、250、350、450 ℃,氩气保护气氛中对样品进行退火。利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计以及电化学工作站对不同温度退火后的TiO2/CdSe纳米片异质结薄膜的微观形貌、晶体结构、光电化学性能进行表征和测试。结果表明:六方相CdSe纳米颗粒均匀包覆在TiO2纳米片表面,直径30 nm左右;随着退火温度的升高CdSe纳米颗粒长大,形成光滑的CdSe薄膜,且晶化程度提高;TiO2纳米片表面的Se元素与Cd元素发生氧化;TiO2/CdSe纳米片异质结薄膜对可见光的吸收光谱发生红移,禁带宽度逐渐减小。光电化学性能测试表明随着退火温度的升高,TiO2/CdSe纳米片异质结薄膜的光电流密度显著提高,开路电压减小,但由于SeO2和CdO的出现,导致填充因子减小,影响光电转换效率的提高。在本实验条件下,TiO2/CdSe纳米片异质结薄膜的最佳退火温度为150 ℃,填充因子为0.77,光电转换效率达到3.12%。 相似文献
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以空心球状TiO2为基体、以片状TiO2为骨架,采用刮刀法制备了染料敏化太阳能电池的多孔TiO2光阳极薄膜。光电转化效率测试结果表明,当作为骨架支撑材料的片状TiO2含量为20wt%时,光阳极薄膜组装成太阳能电池的光电转化效率达到最高值4.53%,比商业P25制备的无孔无骨架TiO2薄膜电池(4.06%)及无骨架结构的多孔TiO2薄膜电池(4.17%)的性能均有显著提高。当片状TiO2的最佳含量为20wt%电池薄膜厚度为33 μm时,太阳能电池光电转化效率进一步提升为7.06%。光电性能增强的原因是骨架结构有利于快速传输电子并增大染料吸附量。本研究通过设计制备具有骨架结构的多孔TiO2薄膜为提高染料敏化太阳能电池性能提供了新的思路。 相似文献
115.
通过相界面反应制备了一维卟啉微纳米棒,并通过紫外、红外和X衍射仪等多种表征方法对其进行了表征.结果表明,在无机酸的作用下,卟啉分子通过-,氢键和静电作用等多种相互作用聚集成有序的J-聚集体.将此一维卟啉微纳米棒构筑为微纳米器件,并测试其光电性能.该纳米器件在可见光照射下的光电流很大,关闭光源,电流在40 s内降到最低,再次打开光源,电流又在120 s内升到了最大.经过多次"开"、"关"光源,电导的光响应依旧没有降低.这种具有光电响应的卟啉微纳米棒有望成为微纳电子器件的光电元件. 相似文献
116.
117.
采用扫描电子显微镜、X射线衍射和粉末微电极分别考察了TiO2粉末的形貌、结构以及氧化I-的光电化学行为.结果表明,TiO2粉末晶型为锐钛矿,粒径在100~200 nm范围内.在光照条件下,在TiO2半导体电极上电化学氧化I-生成I2的超电势数值降低约1 V.以TiO2/ITO和Li4Ti5O12分别作为正负极,电解液为碳酸丙烯酯(PC)+LiClO4+LiI,并以聚偏氟乙烯(PVDF)作为隔膜构成分隔式电解池,进行整体电解并结合紫外-可见光谱进行分析.结果表明,该装置在光照条件下电池充电电压比非光照条件下的充电电压降低约0.9 V,且充电效率接近100%.该光电化学装置是一种可以利用光能充电的二次锂离子电池. 相似文献
118.
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粒度测量广泛应用于粉体工程,测量结果直接影响粉体产品优劣。在深入研究MIE散射理论的基础上,提出一种基于改进反演算法的粒度测量系统设计方案,利用激光器、傅里叶透镜、光电传感器采集含有待测微粒信息的电信号,通过调理电路进行处理,应用改进反演算法分析得出粒度值及分布。通过实验验证,效的本文提出的设计方案能实现准确高粒度测量。 相似文献
120.
在酸性水溶液中(pH=2.0),采用电化学还原(ER)方法对BiVO4薄膜电极进行预处理,并探讨了其对薄膜电极光电化学氧化水性能的影响.结果表明,这种预处理可显著提高电极的光电化学氧化水的性能,且具有良好的光电化学稳定性.利用扫描电子显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、光电子能谱、紫外-可见漫反射光谱、荧光光谱、电化学阻抗谱及Mott-Schottky等方法对ER处理前后的电极进行了表征.结果表明,ER预处理使电极粗糙度增大,表面积增大约1.4倍;电极材料的晶型无明显变化,但V—O对称伸缩振动略有红移;表面Bi,V和O结合能变小,Bi3+部分被还原,Bi/V原子比增大;ER处理导致电极平带电位负移,光生载流子在薄膜电极/溶液界面转移速率加快,表面复合速率降低.这些变化和表面积增加是BiVO4电极光电化学性能提高的主要原因. 相似文献