一类非线性单调型方程的区域分裂法

本文考虑了一类非线性单调问题的加性Schwgrz交替法和异步平行算法,并得到了在能量模意义下的收敛性结果,最后还讨论了格式的有限元离散。     

η-Invariant and Flat Vector Bundles

Abstract We present an alternate definition of the mod Z component of the Atiyah-Patodi-Singer η invariant associated to (not necessary unitary) flat vector bundles, which identifies explicitly its real and imaginary parts. This is done by combining a deformation of flat connections introduced in a previous paper with the analytic continuation procedure appearing in the original article of Atiyah, Patodi and Singer. * Project supported by the Cheung-Kong Scholarship of the Ministry of Education of China and the 973 Project of the Ministry of Science and Technology of China. (Dedicated to the memory of Shiing-Shen Chern)     

Synthesis of Dimethyl Carbonate from CO2 , Methanol, and Epoxides Using Re（CO） 5 Cl/K2 CO3 as Catalyst System

IntroductionOver the past few years, dimethyl carbonate(DMC) has been proven to be an efficientmethylating,methoxylating, and methoxycarbonylating agent inorganic syntheses, in which DMC is used to replace thetoxic methyl halides, dimethyl sulfate or carb     

基于CCD采集的Mach-Zehnder干涉条纹图的处理算法

Mach-Zehnder干涉仪适用于研究气体密度迅速变化的状态。由于气体折射率的变化与其密度的变化成正比,而折射率的变化将使通过气体的光线有不同的光程,因此可通过干涉臂变化对干涉条纹图像效果的影响得到气体密度。实测中,采用图像采集卡和CCD来接收Mach-Zehnder干涉仪产生的条纹图像,再通过计算机对条纹图像的条纹间距进行处理,从而得到气体密度的变化状态。从光干涉理论出发,对Mach-Zehnder干涉条纹图像特征进行了分析,建立了Mach-Zehnder干涉条纹的数学模型,并根据此模型设计了处理Mach-Zehnder干涉条纹图像的算法。算法包括图像的预处理(即图像的噪声提取)、图像的二值化及图像的细化。     

物质纯重力场部分的能量-动量张量研究

认为物质的质量(能量)存在形式可分为两部分，一部分是以纯物质形式存在的，另一部分是以纯重力场形式存在的.物质质量(能量)这两种形式各自对应着相应的能量 动量张量，物质总的能量-动量张量可表示为Tμν=T(Ⅰ)μν+T(Ⅱ)μν,这里，T(Ⅰ)μν，T（Ⅱ）μν分别代表物质纯物质部分和纯重力场部分的能量-动量张量.通过类比电磁理论，定义：ωμ≡-c2gμ0/g00,并引入一个反对称张量Dμν=ωμ/xν-ων/xμ，则物质纯重力场部分的能量-动量张量为T(Ⅱ)μν=(DμρDρν-gμνDαβDαβ/4 关键词： 能量-动量张量 纯重力场 重力场方程 标量重力势 矢量重力势     

标准体系的比例型寿命使用期模型与分析

本文在基于标准被废除按比例进行时的标准体系使用期的两个新模型。首先给出了模型假设条件,然后定义了标准使用期。根据假设给出了两个模型条件下的标准使用期公式,最后通过数值示例说明了标准使用期的公式使用。     

基于阿贝尔黑格斯变量的杨-米尔斯理论的红外阿贝尔化

通过SU(2)规范场的法捷耶夫-Niemi分解给出了有效阿贝尔-黑格斯型作用量的 一个计算方法. 具体指出了该分解中所用的自然规范固定以及阿贝尔投射与杨-米尔斯理论的红外动力学之间的内在关系. 推导出了色电场的一个伦敦型方程.     

Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长

以硒化氢（H2Se）和二甲基锌为源材料，生长温度是300℃时，用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜的能量色散（EDS）以及光致发光（PL）实验验证ZnSe外延膜的质量，在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰，这说明外延膜是（111）取向的单晶薄膜，在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外，没有观测到其他原子，说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1，有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰，表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。