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41.
基于Gross-Pitaevskii方程,运用有效化学势概念,研究了囚禁在组合势(由磁阱和三维光 晶格组成)中玻色凝聚气体在三维光晶格中的分布规律,并由此得到玻色凝聚气体的归 一化基态波函数.在取消组合势和仅取消光晶格而保留磁阱的两种情况下,运用传播子方 法求解出玻色凝聚气体密度分布的解析表达式.取消组合势后,理论计算所得到的玻色凝聚 气体聚随时间的演化规律与Greiner等的实验结果相一致.仅取消光晶格而保留磁阱时,研 究表明玻色凝聚气体的干涉模式呈现周期性的振荡行为.此外,在磁阱为各向异性的情况下 ,
关键词:
玻色凝聚气体
磁阱
光晶格
干涉模式 相似文献
42.
43.
信息化时代随着计算机技术的普及来到我们面前,其突出表现是信息总量和信息交换的剧增,因此,发展海量存储技术日趋重要。随着信息及计算机技术的不断发展,对其作为主要工具的记录媒体的需求越来越大,要求越来越高。记录媒体中大多数磁盘、磁光盘、光盘是以相关靶材磁控溅射而成的,因此,为满足信息记录媒体的高密度化、小型化和低价格化,需要对其相关靶材的成分、制造工艺、性能和溅射工艺做进一步研究。目前,随着新材料的开发和记录媒体的发展,磁光盘、光盘用靶材市场在不断增长。尤其近几年CD、VCD、DVD市场的迅速扩大,其相关靶材的前景也日益被看好。 相似文献
44.
波长19.6nm的类氖锗X光激光适合作为诊断激光等离子体界面不稳定性的光源。用经过实验检验的系列程序对预-主短脉冲驱动类氖锗进行了系统的优化设计和理论分析。采用2%~3%的预脉冲强度,6~8ns的预-主脉冲时间间隔,在4×1013W/cm2功率密度驱动下, 波长19.6nm增益区的宽度可以超过60μm,增益区的维持时间可以达到90ps。对于16mm长的平板靶,增益系数可达11.8/cm;弯曲靶增益系数可达13.3/cm;单靶小增益长度积可达21.3,单靶就可以获得饱和增益。采用双靶对接,其小讯号增益可达38.4,可以获得深度饱和增益,能满足应用演示所需的X光激光光源。 相似文献
45.
FengSHI HongYangLI XiaoJunPENG RongZHANG XiaoQiangCHEN JiangLiFAN LiChengSUN 《中国化学快报》2004,15(12):1407-1410
As photosensitizer for solar cell, a new ruthenium (Ⅱ) complex with four ester groups had been synthesized, in which a phenol substituted by {[(2-hydroxy-5-tert-butylbenzyl)(pyridyl-2-methyl)amino]methyl} is covalently linked to ruthenium (Ⅱ) tris-bipyridine. The structures of the new compounds were confirmed by NMR and ESI-MS spectra. The electrochemical and photochemical properties were also studied. 相似文献
46.
WeiMinSHI JianWU YiFengWU KaiXianQIAN 《中国化学快报》2004,15(12):1427-1429
A mono-funtionalised tetraphenylporphyrin (TPP) bearing valine moiety at the phenyl ring was synthesized for photocytotoxicity examination in four steps, starting from regiospecific mono-nitration of TPP at the phenyl ring. The in vitro photocytotoxicitic effect against SPC-Al adenocarcinona cell line was tested. 相似文献
47.
48.
49.
两段级联掺铒光纤放大器的优化研究 总被引:7,自引:4,他引:3
基于Giles模型,研究了980 nm和1480 nm泵浦的两段级联掺铒光纤放大器(EDFA)的设计,得出了掺铒光纤(EDF)的最佳长度和光隔离器的最佳位置随泵浦功率和信号功率的变化关系.比较980 nm和1480 nm泵浦的两段级联EDFA,可以发现,前者的最佳EDF长度短,而光隔离器最佳位置距EDFA输入端远. 相似文献
50.
Structure and Photoluminescence of Nano-ZnO Films Grown on a Si (100) Substrate by Oxygen- and Argon-Plasma-Assisted Thermal Evaporation of Metallic Zn 下载免费PDF全文
Nano-ZnO thin films were prepared by oxygen- and argon-plasma-assisted thermal evaporation of metallic Zn at low temperature, followed by low-temperature annealing at 300℃ to 500℃ in oxygen ambient. X-ray diffraction patterns indicate that the nano-ZnO films have a polycrystalline hexagonal wurtzite structure. Raman scattering spectra demonstrate the existence of interface layers between Zn and ZnO. Upon annealing at 400℃ for i h, the interface mode disappears, and photoluminescence spectra show a very strong ultraviolet emission peak around 381 nm. The temperature-dependent PL spectra indicate that the UV band is due to free-exciton emission. 相似文献