软X射线相位型聚焦波带片的研制

软X射线波带片是软X射线光学中聚焦、色散和成像的重要元件。以激光全息-离子束刻蚀技术制作金的振幅型软X射线聚焦波带片,以此为掩模,利用接触式同步辐射光刻和离子束刻蚀技术在聚酰亚胺衬底上,分别制作出了镍和锗的软X射线相位型聚焦波带片。     

利用傅里叶模方法分析厚层光刻胶内衍射光场

建立了描述厚层光刻胶内衍射光场形成过程的物理模型,并利用傅里叶模方法模拟计算和分析了其内部衍射光场分布。该方法考虑了其界面反射、透射及光刻胶复折射率在空间上的缓慢变化对衍射光场的影响,采用该方法模拟光刻胶内衍射光场具有数值计算结果准确、计算速度快的优点。对厚层光刻胶折射率在几种特殊分布情况下衍射光场分布的数值模拟表明,衍射光场与其复折射率的空间分布有关。由于厚层光刻胶折射率在空间上呈缓慢变化的特点,为降低其数值计算量和编程难度,可以将厚层光刻胶近似为折射率随曝光时间变化的光栅。     

激光直接光刻制作微透镜列阵的方法研究

介绍了利用激光直接光刻制作８相位台阶菲涅尔衍射微透镜列阵的工艺方法，并对元件的衍射效率及光刻过程中的制作误差进行了分析，透镜列阵在小形Ｓｈａｃｋ－Ｈａｒｔｍａｎｎ波前传感器中得到了应用。     

微细光刻中部分相干系统成像研究

分析了投影光刻系统中部分相干成像的过程，结果表明部分相干成像的像强是相干成像的像强对光源上每一点互相干强度的权重和，得出了近年来改进照明条件提高分辨力的物理本质，部分相干成像系统是一个空间频率可变的系统，频率的调制是通过照明函数的变化来实现的提出了进一步提高光刻分辨力的新途径。     

极紫外投影光刻原理装置的集成研究

论述了光刻技术发展的历程，趋势和极紫外投影光刻技术的特性，并介绍了极紫外投影光刻原理装置的研制工作，该装置由激光等离子体光源,掠入射椭球聚光镜，透射掩模，施瓦茨微缩投影物镜及相应的真空系统组成，其工作波长为13nm，在直径为0．1mm的像方视场内设计分辨率优于0．1um。     

激光直写方法制作透明导电金属网栅

介绍了利用激光直写光刻技术在200mm×200mm基片上制作线宽为5μm,周期为350μm的红外透明导电金属网栅的工艺过程,对激光直写光刻技术和机械刻划掩模接触光刻制作金属网栅结构的两种方法进行了比较,给出了激光直写制作金属网栅的优点.     

深亚微米激光光刻研究

报道用远紫外准分子激光进行亚微光刻的实验结果，以波长为２４８．３ｎｍ的ＫｒＦ准分子激光为光源，以光管均匀器为主构成照明系统，采用带有平行平板为像差样正板的１：１折反射投影光刻物镜，在两种光刻胶上分别获得了０．６μｍ和０．５μｍ的光刻分辨率。     

X光纳米充刻掩模的离子束制备法

重离子柬轰击聚碳酸酯后．对样品进行陈化和紫外线照射数化,在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的钥纳米线／聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的腌膜。     

Research and Application of MEMS technique tat BSFF

LIGA technique has been developed since 1993 at BSRF,including the fabrication of LIGA mask, deep X-ray Lithography,electroplating,the pouring molding and the applications in some fields.The LIGA mask with gold absorbing structures of 20μm thick ness and 5μm width and Kapton membrane of around 5μm thicness has been successfull fabricated and applied to the deep X-ray lithography with the PMMA structure of 1mm thickness or obove.the beamline form a wiggler is used for the deep X-ray lithography of LIGA statiion and is open to othe institutes researching the deep X-ray lithography.The normal process of LIGA technique with the exception of molding has been established with the PMMA structures of 500μm thickness at BSRF.The largest aspect ratio of PMMA structrues can reach about 50 with the height of 500μm and the lateral siae of 10μm. The nickel and copper structures with the theickness of 0.5mm and 1mm have been made by using the electroplating technique.The SU8 as a resist material of deep etch lithography with UV light is also developed in the fabrication of LIGA mask and some devices at BSRF.Electromagnetic stepping micro motor,haet exchange,accelerator,structures used in the EDM(electro discharge machinging) are being developed for the future applications.     

灰阶编码掩模制作微光学元件

提出一种基于改变灰阶编码掩模的单元形状和位置的掩模设计新方法,并根据成像过程中的非线性因素,用这种方法对掩模图形进行了预畸变校正,根据部分相干光成像理论和抗蚀剂曝光显影模型,模拟计算了这种灰阶编码掩模产生的空间光强分布和光刻胶上的浮雕结构,采用电子束曝光系统制作了这种掩模,并在光刻胶上获得具有连续面形的微透镜的阵列。