共振吸收波导阵列的原理、特性、制备与应用

光子晶体、量子光学、超快光学与微纳光学的发展,使得操控光子的发射与传输特性成为可能.综述了具有复折射率周期性调制的共振吸收光子晶格,并着重介绍了共振吸收波导阵列的原理、光学特性、样品制备与应用.     

气相沉积技术在制备高折射率光子晶体中的应用

采用激光全息光刻技术或激光直写技术制作微结构具有便捷、灵活、高效等优势,目前已成为研究制备光子晶体的一种有效方法.用全息光刻技术所制备的微结构的特点是单晶面积大(即内部结构缺陷较少)和可根据需要制作研究多种周期或准周期的晶格结构.但是所制备的结构由于感光树脂与空气的折射率比值较低,不能得到完全带隙光子晶体,从而使其应用受到局限性.以此树脂结构为模板,通过各种方法对其进行二次加工,制作高介电常数材料的反结构,近期已成为研究热点.本文介绍了气相沉积技术在制备高折射率光子晶体方面的应用和研究进展.     

基于近场激发与增强的新型多层纳米薄膜结构在非线性光学器件上的应用与发展前景

传统光学引入了远场衍射的尺度极限。自从提出了近场光学技术以来 ,由于近场扫描光学显微镜 (NSOM)系统的复杂性而使得近扬的引入和利用变得困难。具有多层纳米薄膜结构的超分辨近场结构 (Super RENS)的提出改变了这种局面 ,并在诸如超高密度光学数据存储、近场光刻技术、纳米光子学晶体管等领域获得了重要的应用。围绕Su per RENS技术 ,通过综述它的基本原理、物理机制以及各项应用 ,指出了基于近场激发与增强原理的新型多层纳米薄膜结构在未来非线性光学器件上的应用与发展前景     

优化抗蚀剂的预烘工艺减小衍射对X射线光刻的影响

讨论了衍射效应在微米 /纳米X射线光刻中对分辨率的影响和抗蚀剂的预烘温度与其衬度的关系。分析发现增加抗蚀剂的衬度能有效地提高工艺的容裕度 ,减小衍射作用。实验表明 ,在预烘温度为 170℃时 ,正性抗蚀剂PMMA有最高的衬度为 4 46 ,负性抗蚀剂PN 114在预烘温度为 115℃时有最高的衬度为 8 40。给出了最佳预烘温度下使用两种抗蚀剂的X射线光刻的实验结果     

光刻及离子束蚀刻技术制作DNA芯片模版

 采用光刻及离子束蚀刻技术制作面阵石英DNA芯片模版，利用扫描电子显微镜（SEM）和表面轮廓仪测试了所制石英DNA芯片模版的表面微结构形貌特征，分析了所制石英DNA芯片模版出现图形畸变的原因。所用工艺为在其它衬底材料表面制作更大规模及具有复杂结构的大面阵DNA芯片模版奠定了基础。     

基于斜光刻技术的SU-8胶三维微阵列结构制备

利用斜光刻技术替代传统的直光刻技术在相同底面积的基础上增大微阵列比表面积制备了高比表面积三维微阵列结构,.首先,利用MATLAB仿真对微阵列排布方式进行分析,确定最佳单个柱体宽度及阵列间距.实验中,采用两次甩胶法将SU-8光刻胶均匀旋涂在2寸硅基底上,甩胶转速设为1500r/min,旋涂时间设为35 s;分别置于65℃烘台上保持20 min和95℃烘台上保持70 min进行两次前烘处理;随后进行双向斜曝光,微柱宽度为20 μm,阵列间距为30 μm,光刻角度为20°.最后,再通过高低温后烘处理并显影30 min成功制备出了结构稳定的“Ⅹ”型三维微阵列结构.     

中性钠原子在激光驻波场中的运动特性研究

基于半经典理论,分析了中性钠原子在激光驻波场中的受力特征,以此为基础分别对不同纵向运动速度和横向运动速度条件下中性钠原子的运动轨迹进行了仿真运算,得到了不同速度条件下中性钠原子的运动轨迹特征,基于累计算法进一步对不同速度条件下中性钠原子的沉积特性进行了仿真,当钠原子的纵向运动速度符合最可及速度(740 m/s)时,纳米沉积条纹的半高宽为2.78 nm,条纹对比度为38.5 ∶1,当纵向运动速度偏离最可及速度(350 m/s)时,纳米沉积条纹的半高宽为29.1 nm,其对比度下降为15 ∶1.而当中性钠原子 关键词： 原子光刻 激光驻波场 条纹半高宽 条纹对比度     

激光光刻中数字微镜器件关键技术研究

在无掩模激光光刻系统中,TI(Texa instrument,德州仪器)公司基于DLP(digital light processing,数字光处理)架构的DMD(digital micromirror device,数字微镜器件)系统已经得到应用,但是存在光刻图像质量和光刻速度无法提高等瓶颈.提出采用单片FPGA控制...