光刻与等离子体刻蚀技术

介绍了光刻与等离子体刻蚀技术的特点与进展,阐述了等离子体刻蚀的物理机制与前沿问题。     

制造玻璃微流控芯片的简易加工技术

报道了在普通化学实验室中设计和加工玻璃微流控芯片的方法。用Adobe Illustrator 8.0软件微流控片图形，通过高分辨率激光照排机在照相底片上制得光刻掩模。用商品匀胶铬板表面的145nm Cr/570nm Az-1805光胶层作为保护层，在50℃刻蚀液（1mol/L HF 1mol/L NaF)中，刻蚀速度为2μm/min。通过彻底洗净加工好的玻璃基片，提高了芯片热键合的质量和成品率。制得的芯片已成功地用于氨基酸分离和PCR扩增。     

双光子技术在光生酸剂中的应用研究

自2000年以来,双光子技术开始应用于光生酸剂体系中,并取得了一定的研究进展。双光子技术在光生酸剂中的应用主要有两种情况:一是单分子体系,即光生酸剂分子本身具有较高的双光子吸收截面,可以在双光子激发下产生光酸;二是双分子体系,由具有较高吸收截面的敏化剂分子和光生酸剂分子组成,通过分子间电子转移的方式产生光酸。本文就这一类具有特殊光学性质的有机分子体系的构成及其应用进行了综述,介绍了不同类型的可以利用双光子技术的光生酸剂体系,总结了双光子技术在光生酸剂发展中面临的一些关键问题,展望了双光子技术在光生酸剂中的发展方向。     

Dual-wavelength FBG inscribed by femtosecond laser for simultaneous measurement of high temperature and strain

A novel fiber Bragg grating （FBG） with two transmission dips in 1310- and 1550-nm regions is proposed and inscribed by an infrared femtosecond laser. Formed by multi-photon ionization, this type of grating can withstand temperature as high as 800 ℃ which makes it suitable for harsh environment sensing. In addition, the temperature and strain affect these two dips in different ways, which enables simultaneous strain and temperature sensing. The fabrication, spectrum characterization, and temperature performance of this grating are introduced.     

提高亚半微米微细图形光刻分辨力的新技术（Ⅱ）

提高亚半微米微细图形光刻分辨力的新技术（Ⅱ）罗先刚陈旭南姚汉民（中国科学院光电技术研究所，成都６１０２０９）４相移掩模技术［５］相移掩模（ｐｈａｓｅｓｈｉｆｔｍａｓｋ，ＰＳＭ）最初由美国的Ｍ．Ｄ．Ｌｅｖｅｎｓｏｎ于１９８２年提出，真正成为热点是在８０...     

同步辐射讲座第五讲微电子机械系统加工新方法--LIGA技术

简述了微电子机械系统的起源和特点，介绍了LIGA技术的基本原理以及一些相关技术，对同步辐射深度光刻的技术要求进行了详细地说明，并介绍了国内外利用LIGA技术进行微电子机械系统研发的现状。     

提高微细图形光刻分辨力的相移滤波技术研究

详细研究了提高投影成像光刻分辨力的相移滤波技术的基本理论,给出了理论模型,进行了模拟计算.对不同掩模图形设计制作的不同优化滤波器进行光刻对比实验并取得实验结果.研究表明,相移滤波能显著提高部分相干成像系统光刻分辨力和增大焦深,同时能提高光能利用率,有利于提高光刻生产率,是一种有效提高光刻分辨力和焦深的波前工程技术.     

消除数字光刻像素栅格衍射影响的研究

提出用优化成像系统设计参量的方法有效消除基于数字微镜阵列的栅格结构及其衍射对微结构成像质量的影响.模拟结果表明,当照明光源的波长为0.365 μm,系统的数值孔径为0.3左右,缩小倍率为10～20×时,栅格像的可见度在0.1以下,DMD的栅格结构对成像质量的影响大幅降低;对微透镜的成像分析发现,合理的成像系统结构参量能有效地减少栅格的影响.如果结合DMD显示图形的可编程特点,优化图形的结构或灰度,则能在像面获得较理想的曝光量分布,达到快速加工二维和三维微结构的目的.实验结果证实了优化系统参量可有效消除DMD栅格的影响.     

激光准直铬原子束研究

利用多普勒原理对Cr原子束进行横向准直.为了得到好的激光准直效果必须首先把激光的中心频率稳定在偏离Cr原子共振中心频率－5±0.26 MHz的位置上.经过多次的理论与实验得出了优化的实验参量,并且得出如果探测光束与准直光束不平行会造成横向线宽的展宽.根据实验数据选择合适的实验参量,实现利用多普勒原理横向准直Cr原子束,得到准直后Cr原子束的横向发散角为0.48 mrad, 横向温度为265 μK.     

压印光刻中紫外光诱导阻蚀胶固化控制计算

针对压印过程中两类基本的复型缺陷，从实验分析中得出其主要原因是曝光后阻蚀胶的固化程度难以控制．通过分析紫外曝光光源与阻蚀胶的光谱匹配性，得出使得阻蚀胶固化的有效波长为365nm；对光诱导紫外曝光过程中紫外光的传播分析，建立了阻蚀胶中光强分布的数学模型；用粘度来表征阻蚀胶的固化程度，建立了阻蚀胶中的粘度分布函数．分析了阻蚀胶对365nm紫外光的吸收率以及膜厚对阻蚀胶中光强分布均匀性的影响，得出复型后阻蚀胶凸起处的光强分布均匀性对吸收率及膜厚更为敏感的结论．