首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   279篇
  免费   90篇
  国内免费   50篇
化学   47篇
晶体学   5篇
力学   10篇
综合类   3篇
物理学   354篇
  2024年   2篇
  2023年   11篇
  2022年   5篇
  2021年   6篇
  2020年   1篇
  2019年   17篇
  2018年   1篇
  2017年   4篇
  2016年   7篇
  2015年   13篇
  2014年   36篇
  2013年   22篇
  2012年   34篇
  2011年   30篇
  2010年   14篇
  2009年   23篇
  2008年   23篇
  2007年   14篇
  2006年   16篇
  2005年   11篇
  2004年   10篇
  2003年   13篇
  2002年   16篇
  2001年   19篇
  2000年   10篇
  1999年   5篇
  1998年   12篇
  1997年   5篇
  1996年   10篇
  1995年   9篇
  1994年   3篇
  1993年   4篇
  1992年   5篇
  1991年   2篇
  1990年   3篇
  1989年   1篇
  1988年   1篇
  1987年   1篇
排序方式: 共有419条查询结果,搜索用时 578 毫秒
121.
Nanowire devices with back gate are fabricated in a heavy doped ultra thin SOI layer by electron beam lithography. Regular and periodic Coulomb oscillations with single dot behavior are observed in an appropriate back gate voltage range. The oscillation period can be determined by the back gate capacitance. The role of the back gate can control the electrical characteristics from the multi-dot junction regimes to the single dot junction regimes. These Coulomb oscillations due to single-electron tunneling are not smeared out by thermal vibration energy when the temperature is less than 40 K.  相似文献   
122.
高应俊  崔崧等 《光子学报》2000,29(Z1):83-86
本文介绍一种供非接触式光刻使用的由三片微透镜陈阵叠合成1:1成像多孔径微小光学光刻曝光系统。针对大面积光刻,可以获得良好的分辨率和较大的焦深。本文还介绍了这种微透镜阵列的制作方法。  相似文献   
123.
设计了两种具有不同参数的光刻掩模版,利用光刻技术制备了两种微米级双层复合结构。研究了曝光能量对凹形缺口深度的影响,同时采用有限差分时域法分析了掩模版曝光时的光场分布情况,阐明了微米级双层复合结构形成的物理机理。实验结果表明:通过调整曝光能量的大小,能够有效地控制凹形缺口的深度。对8μm厚的AZ9260光刻胶来说,不高于160 mJ/cm2的曝光能量是制备出微米级双层复合结构的关键。该技术在制备微米尺寸的分层器件方面有着潜在的应用前景。  相似文献   
124.
建立了光刻工艺中内应力的三维有限元分析模型,采用热-结构耦合分析,研究了胶膜厚度、后烘温度以及降温速率对SU-8胶层中的内应力产生的影响。综合以上因素发现,较胶膜厚度和后烘温度,降温速率对胶膜应力影响最大,降温速率越小,胶膜内应力越小,当降温速率小于6℃/h时,进一步降低降温速率对内应力影响不大。根据上述仿真结果进行了全金属光栅的工艺实验,发现与内应力相关的问题得到了有效解决。  相似文献   
125.
随着光刻胶厚度的不断增大,制作的光刻图形畸变愈发严重,这极大的影响了微结构器件的性能与应用。针对高深宽比柱状微结构在光刻胶厚度方向上畸变的特点,提出了双面曝光和亮衬线、灰阶掩模相结合的办法,利用遗传算法对失真影响最大的区域进行搜索,光刻胶内部各层的衍射光场分布作为评价函数,对光刻过程引起的畸变进行优化。仿真结果显示,优化后光刻胶各层面型质量得到极大的改善,特征尺寸和边墙角等参数与理论值吻合得更好。优化算法具有很好的灵活性,因此在用于更厚光刻胶、更复杂掩模图形的优化上,具有重要的指导意义。  相似文献   
126.
In this paper,a new process to fabricate an electromagnetic stepping micromotor using surface scarificial layer technology(SSLT) is illustrated,and the SEM photo of the stepping micromotor is showed.The torque of the stepping micromotor with maxsimum torque of 60μNm is directly calculated by using electromagnetics laws and the law of conservation of energy.The stator and the shaft and the rotor of the micromotor with the material of nickel are first all fabricated by normal LIGA process at the same time.The sacrificial layer structure with the material of AZ resist is made on the surface of the rotor by using SSLT.The stator and the shaft are fixed together with copper substrate instead of the old Ti substrate by electroplating.After removing the Ti substrate,PMMA resist and the sacrificial layer structure,the rotor is separated from the stator and new copper substrate,and can rotate on the new substrate driven by magnetic force.The four coils with 300 turns each are wound on iron bars by hand using microscope and stepping motor.The bars are assembled by hand into the stator holes from rear of new copper substrate to from a magnetic circuit with the stator and the rotor.A power supply with four consecutive pulses provides the current for the coils wound on the iron bars adn produces the magnetic force to drive the rotor to run with the speed of 60 rpm.  相似文献   
127.
用循环伏安法对半导体CdsexTe1-x薄膜电池的光溶解性能进行了研究。在1mol/L KCl溶液中测量光溶解产物的阴极还原特性,考察了在多硫化钠,多硫化钾及铁氰化钾溶液中的光腐蚀行为。用此方法还研究了薄膜电极表面的光刻蚀过程和pH的影响,并用X射线光电子能谱分析光刻进行不同时间后,电极表面发生的变化。  相似文献   
128.
5-硝基二氢苊的光氧化作用在无显影气相光刻中起着重要作用。我们通过红外,核磁共振、色质联用等手段对其光氧化产物进行了分析,并合成了有关化合物进行对照,确认5-硝基二氢苊的主要光氧化产物是5-硝基苊、5-硝基二氢苊酮、羟基-5-硝基二氢苊。  相似文献   
129.
极紫外投影光刻掩模的多层膜与照明误差   总被引:3,自引:3,他引:0  
杨雄  金春水  张立超 《光子学报》2006,35(5):667-670
讨论了极紫外投影光刻掩模的反射光谱随多层膜参量的变化,通过曲线拟合得到了峰值反射率、带宽和中心波长与多层膜粗糙度、材料比值以及周期厚度的9个函数关系.模拟了6镜极紫外投影光刻系统的反射光谱,并计算了晶圆片处的相对照明强度.分析了由掩模在晶圆片处引入的照明误差,给出了照明误差的合成公式.  相似文献   
130.
研究了照明光瞳非对称性对光刻成像质量的影响。通过PROLITH软件计算了环形与四极照明条件下,光瞳非对称性对图形位置偏移量、曝光图形内水平线条与垂直线条的宽度差、曝光图形上密集线条与孤立线条之间线宽偏差的影响。研究结果表明,光瞳非对称性主要影响曝光图形的位置偏移量,光瞳非对称性引起的图形位置偏移量与光瞳非对称性的大小成线性关系。根据套刻精度的误差分配原则,计算得到光瞳非对称性的容限为5%。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号