卤素对核酸类药物的修饰与影响研究进展

药物分子中引入卤素具有改善药物脂溶性、影响药物分子的电荷分布及影响药物的作用时间等特点,故被广泛应用。 作为抗病毒、抗肿瘤、干扰素诱导和免疫增强的、具有特定碱基序列的核酸药物也不例外。 本文综述了卤素对核酸结构中的嘧啶类、嘌呤类和核糖结构修饰后的核酸类药物生物活性产生的影响,以期为核酸及核酸类似物的药物研发提供新的思路。     

阴极修饰层CuPc、ZnPc、C60对OLED光电性能的影响

采用真空蒸镀法分别制备了以CuPc、ZnPc、C₆₀为阴极修饰层的OLED,对比研究了它们对OLED光电性能的影响。从能级结构、表面形貌、折射率及纳米界面等方面对载流子注入和输运进行了探讨。结果表明:修饰层使器件性能显著提高,它不仅降低OLED开启电压（最低至4.2 V）、提高OLED电流密度及发光效率（最高至13.49 lm/W）,同时增强了器件的发光稳定性（180 s后光强保持在90%以上）,其中以CuPc为阴极修饰层的器件表现的性能最好。发光光谱方面,以CuPc和ZnPc作为修饰层的器件对550~650 nm的红光部分略有吸收,而C₆₀作为修饰层的器件光谱则无太大变化,这是由修饰层材料的吸收系数随不同波长而变化所致。实验结果说明,若想较大程度地提高器件电性能,酞菁材料是不错的选择;若对光谱有要求,可用C₆₀做阴极修饰层。     

Fe3O4@PEG磁性纳米粒子合成及其对阿霉素的载药性能

将通过化学共沉淀方法得到的Fe3O4纳米粒子依次用柠檬酸和双羧基化的聚乙二醇进行修饰, 合成了具有磁靶向的纳米粒子载体(Fe3O4@PEG), 分别用X射线衍射、红外光谱、扫描电镜、粒径分布、热重分析对其结构进行了表征, 将合成的磁性纳米粒子负载上模型药物阿霉素(DOX), 得到新的载药体系Fe3O4@PEG-DOX, 研究了该载药体系的载药特征和释放行为. 研究发现, 该载体在水中载药率为85%, 累积释放实验表明, 在72h内, pH 5.0时释放率达到71%, 远高于pH 7.4时43%的释放率, 体外细胞实验表明负载阿霉素的磁性纳米载体的抗肿瘤活性没有损失, 与未经修饰的阿霉素的抗肿瘤活性相当. 研究结果表明, 通过柠檬酸连接的Fe3O4@PEG纳米粒子对阿霉素具有较好的修饰作用, 是一种较为理想的阿霉素载药系统.     

过渡金属修饰对铜铈催化剂在选择性脱除CO反应中催化性能的影响

过渡金属（Mn、Fe、Ni、Zn、Co）修饰对铜铈催化剂的催化性能有明显的影响．Fe和Co的修饰对铜铈催化剂的CO氧化活性有较明显的促进作用,在110℃时,CO的转化率即达到99％;尤其Co的修饰增加了铜铈催化剂上CO转化率为99％的温度‘窗口’宽度约30℃,而Mn、Ni和Zn的修饰对铜铈催化剂的CO氧化活性则有一定的抑制作用．但不同过渡金属修饰对铜铈催化剂的氧化选择性均有明显的提高．     

阳极/有机层界面LiF层在OLED中的空穴缓冲作用

使用真空热蒸发镀膜法,在OLED层状结构中引入不同厚度的LiF作阳极修饰层,制备了结构为ITO/LiF/TPD/Alq₃/Al的器件。LiF超薄层的引入较好地修饰了ITO表面,减少了阳极和有机层界面缺陷态的形成,增强了器件的稳定性。实验结果表明: LiF层有效地阻挡空穴注入,增强载流子注入平衡,提高了器件的亮度和效率,含有1 nm厚LiF空穴缓冲层器件的性能最好,效率较不含缓冲层器件提高了近1.5倍。     

绝缘层修饰对喷墨打印有机场效应晶体管形貌和性能的影响

通过对OTFT绝缘层SiO_2表面分别采用十八烷基三氯硅烷(OTS)处理和原子层沉积薄层氧化铝的修饰方式,制备了喷墨打印有机薄膜晶体管并研究了修饰前后绝缘层的表面形貌、接触角及有源层的物相结构。虽然绝缘层的表面形貌在修饰前后变化不大,但是表面接触角和打印后有源层的物相结构有较大差别。OTS处理和沉积氧化铝修饰后,器件的迁移率比修饰前分别增大了4倍和9倍,而开关比则分别增大了1个和4个数量级。修饰后的最大迁移率可达0.35 cm~2/(V·s),开关比可达6.0×10~6。     

过渡金属掺杂的扶手椅型氮化硼纳米带的磁电子学特性及力-磁耦合效应

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了多种过渡金属(TM)掺杂扶手椅型氮化硼纳米带(ABNNR-TM)的结构特点、磁电子特性及力-磁耦合效应.计算的结合能及分子动力学模拟表明ABNNRTM的几何结构是较稳定的,同时发现对于不同的TM掺杂,ABNNRs能表现出丰富的磁电子学特性,可以是双极化磁性半导体、一般磁性半导体、无磁半导体或无磁金属.双极化磁性半导体是一种重要的稀磁半导体材料,它在巨磁阻器件和自旋整流器件上有重要的应用.此外,力-磁偶合效应研究表明:ABNNR-TM的磁电子学特性对应力作用十分敏感,能实现无磁金属、无磁半导体、磁金属、磁半导体、双极化磁性半导体、半金属等之间的相变.特别是呈现的宽带隙半金属对于发展自旋电子器件有重要意义.这些结果表明:可以通过力学方法来调控ABNNR-TM的磁电子学特性.     

Ga2O3/HZSM-5催化剂在乙烷脱氢反应中的积碳行为和MgO的修饰作用

研究了Ga₂O₃/HZSM-5催化剂在乙烷脱氢反应中的积碳、再生以及MgO的修饰作用. 通过激光拉曼、TG-MS和NH₃-TPD等表征手段对反应过程的积碳种类和速率进行研究. 实验结果表明, 催化剂强酸中心上容易发生乙烷裂解生成甲烷的副反应并产生积碳, 其中石墨型积碳在反应过程中难以消除, 是导致催化剂失活的主要原因. MgO修饰可以减少催化剂强酸中心的量, 对乙烷裂解生成甲烷的副反应活性起到显著抑制作用, 并使积碳速率得到有效控制, 从而提高了催化剂的稳定性和乙烯的选择性. 催化剂再生时, 在空气气氛中加入水蒸气能够提高脱除石墨化碳的效率, 经420 ℃再生后催化剂的活性得到明显恢复.     

黄酮类化合物抑制MMP-9的定量结构-活性关系和结构修饰的理论研究

运用密度泛函理论(DFT)和线性回归分析等方法研究了黄酮类化合物抑制MMP-9的定量结构-活性关系(QSAR)和结构修饰. 研究发现, 黄酮类化合物抑制MMP-9的实验生物活性数据－lg EC₅₀值与计算获得的黄酮类化合物的最低空分子轨道能量及分子水合能之间均存在着良好的线性关系|留一法交叉验证结果表明, 所建立的两个相应的QSAR模型都具有良好的稳定性和预测能力. 进一步研究发现, 在黄酮类化合物分子的A环、B环和C环上的合适部位选用供电子能力较强、能降低分子水合能的取代基团对其进行结构修饰, 有利于提高修饰后的分子抑制MMP-9的生物活性. 根据对木犀草素(Luteolin)分子进行结构修饰的结果(共33种化合物), 我们提出了黄酮类化合物抑制MMP-9可能的作用机理, 并设计出8种经结构修饰后生物活性有显著提高的MMP-9抑制剂, 希望将来得到实验的证实.     

金属离子调控IRMOF3-sal的发光性质

通过后合成修饰将水杨醛(Salicylaldehyde, sal)锚装在金属-有机框架化合物IRMOF-3上, 捕获不同金属离子得到系列化合物IRMOF3-M_sal(M=Mg, Zn, Co, Cd, Ni, Eu, Nd, Pr, Tb); 采用红外光谱、元素分析和X射线粉末衍射对其进行表征, 并对其荧光性质进行了对比研究. 结果表明, IRMOF3-M_sal的荧光峰均发生较大蓝移且IRMOF3-Mg_sal的荧光强度最大.