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在EAST上通过分析剩余环电压与低杂波功率之间的关系,计算得到了低杂波电流驱动效率。采用归一化功率,即功率对等离子体电流、电子密度、等离子体大半径以及有效电荷数归一化,将所有数据绘制在同一曲线中,这样可以得到不同等离子体参数下的低杂波电流驱动效率。实验得到低杂波电流驱动效率η0=(0.5~1.3)×1019 A.m-2.W-1,在等离子体电流Ip=277kA、低杂波功率PLH=681kW条件下,实验得到长达3s的低杂波全波驱动。     

自旋极化扫描隧道显微镜的研究进展

自旋极化扫描隧道显微镜(spin-polarized scanning tunneling microscope,SP-STM)将扫描隧道显微镜(scanning tunneling microscope,STM)的实空间分辨率和对自旋敏感的磁成像技术结合起来,已经成为人们研究纳米磁性物理的最有效工具之一.文章介绍了SP-STM的工作原理及其在低维磁性物理领域的应用和最新进展,如对磁性薄膜、磁性纳米岛、磁性原子及不共线结构的研究等,并对我国在这一领域的研究现状和发展前景进行简要评述.     

互补金属氧化物半导体器件空间低剂量率辐射效应预估模型研究

给出了一种新的预估互补金属氧化物半导体器件(CMOS器件)空间低剂量率辐射效应模型,相对线性响应预估模型,该模型在预估CMOS器件低剂量率辐射效应方面更接近实际试验结果,且不同剂量率辐射试验结果证实了所建模型的正确性.最后利用新建模型对处于空间低剂量率环境下CMOS器件的敏感参数进行了预估.     

纳秒级Trigatron开关触发特性

设计了一种Trigatron开关,以Tesla型GW级纳秒脉冲源为实验平台,实验研究了不同电压极性组合、触发电压、触发间隙、触发极直径和触发脉冲宽度对开关触发特性的影响。实验研究结果表明:开关电压极性组合、触发电压、触发间隙对开关触发特性影响较大,在各欠压比条件下差异均十分明显,触发极直径和触发脉冲宽度对开关的触发特性影响较小。根据实验结果优化了开关结构和工作参数,获得的开关抖动最低可达0.1 ns。     

触发电压对±100 kV多级多通道开关性能的影响

 研制了一种用于快脉冲直线型脉冲变压器的±100 kV多级多通道火花开关,研究了触发电压极性、幅值对多级多通道火花开关触发性能的影响,分析了不同触发电压下开关各部分延时及抖动。研究结果表明：触发电压的极性对双极性多级多通道火花开关触发性能影响较小;开关的触发放电延时和抖动随着触发电压的增大而减小。进一步分析了多级多通道火花开关的触发击穿模式以及影响开关击穿延时和抖动的主要因素,提出了减小开关触发击穿延时及抖动的技术途径。     

1MV低阻抗加速器主开关优化设计

介绍了一种1 MV低阻抗加速器的结构及其对主开关系统的要求,并对确定使用的油介质开关进行了优化设计与模拟。优化后的结果显示,开关工作在1 MV时,放电电感约100 nH,分布电容约150 pF,充电电感约360 nH;开关的放电参数不会对波形造成过大的不良影响,充电参数不影响Marx发生器给形成线的充电时间,开关内部电场安全,变压器油与尼龙交界面不会发生闪络。设计后的开关与其它部件搭建起低阻抗加速器进行调试,加速器输出约700 kV,70 kA、脉宽150 ns的电子束,开关满足实验需求。     

基于时分复用和窄波长扫描激光的长距离光纤布喇格光栅传感系统

提出了一种通过提高长距离光纤布喇格光栅传感系统容量,从而实现多传感点参量测量的新方法.采用时分复用、窄波长范围扫描激光方式,将多个中心波长相近的低反射率光纤布喇格光栅放置于系统的不同位置,构成准分布式光纤传感系统,实现了多个传感点参量的同时测量.同时提出了采用掺铒光纤和喇曼混合放大方法来延长传感距离.在系统的中间加入一个喇曼泵浦进行喇曼放大以此补偿光纤布喇格光栅反射的信号,系统末端的掺铒光纤利用前面喇曼泵浦剩余的泵浦功率产生自发辐射光并放大传感信号,使得整个系统的传感距离延长.实验证实:将三只中心波长均在1580nm附近,反射率均小于4%的光纤布喇格光栅,分别放置在系统的不同位置,在200km处获得了15dB的信噪比,反射信号明显;并且在200km处的静态应变和温度实验中,线性度均达到了0.999以上.     

No-catalyst growth of vertically-aligned A1N nanocone field electron emitter arrays with high emission performance at low temperature

The A1N nanostructures with a wide band-gap of 6.28 eV are considered as ideal cold cathode materials because of their low electron-affinity. Many methods have been devoted to fabricating A1N nanostructures, but high growth temperature over 800℃ and the use of the catalysts in most methods limit their practical application and result in their poor field-emission behaviours in uniformity. This paper reports that without any catalysts, a simple chemical vapour deposition method is used to synthesize aligned A1N nanocone arrays at 550℃ on silicon substrate or indium tin oxide glass. Field emission measurements show that these nanocones prepared at low temperature have an average turn-on field of 6 V/μm and a threshold field of 11.7 V/μm as well as stable emission behaviours at high field, which suggests that they have promising applications in field emission area.     

盲目补锌危害多(二)

体外实验证实，大剂量锌可抑制白细胞的吞噬活力，降低吞噬细胞的杀菌能力，尤其是在体内低钙情况下．这种免疫力下降情况更为明显。因此，低钙者和佝偻病患儿服锌过多，往往由于抵抗力降低而易感染其它疾病。故对患佝偻病的小儿即使检查发现发锌或血锌偏低，也应先治疗佝偻病或在服钙的同时补锌。临床观察发现，一些患缺铁性贫血的小儿在服较大量锌制剂后，贫血症状加重，并对服用铁剂治疗产生了耐药性，     

Enhancing low-field magnetoresistance of La0.67Ca0.33MnO3 films deposited on anodized aluminium-oxide membranes

In this paper we report a new method to fabricate nanostructured films, La0.67Ca0.33MnO3 （LCMO） nanostructured films have been fabricated by using pulsed electron beam deposition （PED） on anodized aluminium oxide （AAO） membranes, The magnetic and electronic transport properties are investigated by using the Quantum Design physics properties measurement system （PPMS） and magnetic properties measurement system （MPMS）. The resistance peak temperature （Tp） is about 85 K and the Curie temperature （To） is about 250 K for the LCMO film on an AAO membrane with a pore diameter of 20nm. Large magnetoresistance ratio （MR） is observed near Tp. The MR is as high as 85% under 1 T magnetic field. The great enhancement of MR at low magnetic fields could be attributed to the lattice distortion and the grain boundary that are induced by the nanopores on the AAO membrane.