铁电体表面效应的唯象理论及其与横场Ising模型的关系

分析了铁电体横场Ising模型与Landau唯象理论的关系,得出了有表面的铁电体的Landau自由能表达式,指出原有的表达式中面积分部分仅含与极化平方成正比的项只在特殊情况下成立,一般情况下还应包含与极化四次方成正比的项.利用所得出的自由能表达式,计算了铁电薄膜自发极化和Curie温度与厚度的关系,使原先用唯象理论不能理解的一些实验现象得到了解释     

速差动力学同时测定铬（Ⅵ）和铬（Ⅲ）的研究

基于铬（Ⅵ）和铬（Ⅲ）与５′－硝基水杨基芝光酮，溴化十六烷基三甲铵的显色反应速度差异，在ｐＨ５．７～６．２和６５℃加热条件下用速差动力学比例方程法同时光度测定铬（Ⅵ）和铬（Ⅲ），两配合物均为假一级动力学形成反应，表观活化能量分别为４９．０９ｋＪ／ｍｏｌ和１０３．６８ｋＪ／ｍｏｌ，测定铬（Ⅵ）和铬（Ⅲ）的线性范围为分别为０～０．２０ｍｇ／Ｌ和０～０．６５ｍｇ／Ｌ。方法用于废铬酸洗液中铬（Ⅵ）和铬（Ⅲ     

结构参数X的计算方法及与分子总键能和生成焓的关系

本文借助于电负性I和有效主量子数n_i^*定义了有效价电子数Z_i′。由Z_i′、 n^*_i及成键电子数mi定义的原子结构参数δ_i和分子结构参数X被计算。发现A_mB_n型分子的X相似文献   

TCDD的密度泛函理论研究

用B3LYP/6-311G~(**)方法全优经计算22个四氯二苯并对二（左口右恶）英（ 简称TCDD）分子，得到几何构型、总能量、标准熵、标准焓和标准自由能。将2， 3，7，8－TCDD的计算构型与X射线衍射实验测定值进行了比较。计算结果表明，总 能量、标准焓和标准自由能与氯原子量换位置的相关性很高（r > 0.997）.1,3,6, 8-TCDD的总能量处自由能最低，即最稳定，以此参照，得到异构体的总能量的相对 稳定性顺序和自由能的相对稳定性顺序。1,3,7,9－TCDD的稳定性次之，1,3,7,8- TCDD居第三，将这二个顺序与焚烧炉产生的TCDD异构体和合成的异构体对的生成面 分比进行了比较，说明焚烧炉中产生的TCDD和合成的TCDD对的分布主要受热力学控 制。     

1-烃基-1-硅杂环丁烷的合成及其Si—H键伸缩振动频率与结构关系的研究

硅杂环丁烷在有机硅化学中是一类非常重要的小分子环系化合物。由于硅杂环丁烷和环丁烷的环张力相似,因而显示出较高的反应活性。例如能与某些试剂作用,生成开环产物;在光解或热解条件下,产生具有Si=C结构的高活性中间体,可用以合成多种有机硅化合物。     

超微半扁球电极的稳态电流理论及其验证

本文用苯醌在Ｍｃｌｌｖａｉｎｅ缓冲溶液（ｐＨ＝７．０）中的电化学可逆还原反应体系验证了超微半扁球电极上的稳态电流方程式，理论与实验结果相符，超微半扁球汞电极用电镀法制备。     

密度泛函理论在分子磁学中的应用1.单氧桥联双核铁(Ⅲ)[Cl3FeOFeCl3]2-磁耦合作用

通过对桥联双核铁(Ⅲ)[Cl3FeOFeCl3]2-的磁耦合常数的计算,探讨了密度泛函理论计算条件对计算结果的影响.基于密度泛函理论下的破损态方法,着重讨论了双核Fe(Ⅲ)2的d5-d5电子通过氧桥的超交换作用.研究发现分子的反铁磁通道主要是Fe(Ⅲ)的dyz和dz2与μ-O的p轨道形成的,具有π*/π*和σ*/σ*特征的超交换通道.