基于BiOCl-Fe2O3@TiO2介孔复合材料的光电化学合成氨性能研究

传统合成氨工艺存在能耗高、污染严重的问题. 因此, 高效、低能耗绿色合成氨工艺的开发迫在眉睫. 光电化学以H₂O和N₂为原料, 可以在太阳光驱动下, 在常温常压条件下实现氨的合成, 因而受到广泛重视. 但总的来说, 效率和产率都达不到实际要求. 新型高效催化剂及工艺的开发是提高合成氨产率及效率的关键. 非贵金属催化剂具备成本低、来源广泛、可操作性强的优势, 有利于光电化学合成氨的产业化. 本实验采用溶胶凝胶结合原位热裂解的方法制备了分散性好、结构均匀的BiOCl-Fe₂O₃@TiO₂复合材料, 对其物相、微观结构、表面状态、光学性能、电学性能等方面进行了系统表征, 并探究了该材料在常温常压下光电化学合成氨的催化活性. 结果表明, 同纯介孔TiO₂相比_, BiOCl-Fe₂O₃@TiO₂的吸收带隙变窄, 可见光吸收能力增强, 光生载流子的利用率增加, 光电合成氨的产率提升了7倍, 且BiOCl-Fe₂O₃@TiO₂显示了优异的化学稳定性. 本研究工作为绿色合成氨催化材料及工艺设计提供了新思路.     

链状聚硅烷的导电性质和电子状态

本文讨论了链状聚硅烷的导电性质，简要介绍了关于该聚合物的电子状态的一些理论研究结果，以此解释了链状聚硅烷的导电性质。     

P型多晶金刚石薄膜压阻效应的研究 *

结合Mayadas-Shatzkes多晶模型 ,对硼掺杂多晶金刚石薄膜的压阻效应进行了分析和讨论 .结果认为 ,价带分裂和晶界散射的联合作用是导致P型多晶金刚石薄膜具有显著压阻效应的主要原因 .推导出考虑晶界散射时压阻因子的近似计算公式 ,计算结果与实际情况相符 .     

InGaAsSb／AIGaAsSb长波长多量子阱激光器有源区的优化设计

系统地研究了波长为2．7μm的InGaAsSb／AlGaAsSb多量子阱激光器中有源区的优化设计，分别用含应变势的6带KP模型和抛物带模型计算价带和导带的能带结构，并得到薛定谔方程和泊松方程的自洽解，由此计算量子阱在载流子注入时的增益谱，研究表明制约量子阱增益的主要因素不是跃迁矩阵元，而是粒子数反转程度，尤其是空穴填充HHl子带的概率，增加压应变或减小阱宽都会提高量子阱增益，前者降低了价带HHl子带空穴的平面内有效质量；后者拉大了价带子带间距，尽管它同时略微增加了空穴有效质量，这两种因素都导致价带顶空穴态密度的降低，提高了空穴在HHl子带的填充概率，最终提高了量子阱的增益，所得结论与已有的实验报道相符。     

半导体超晶格量子阱研究

 自从1969年美国IBM公司的江畸(L.Esaki)和朱兆祥提出超晶格概念以来,半导体超晶格量子阱的研究巳成为半导体领域自40年代末单晶和晶体管问世以来所发生的最重大事件.这个研究领域之所以倍受重视,除了因为有明显的技术应用前景之外,还因为在物理上它提供了一个极好的、能在实验上观测量子尺寸效应的理想模型.     

金刚石膜压阻效应的理论研究

在Fuchs-Sondheimer薄膜理论（F-S理论）和修正的价带分裂模型的基础上,考虑晶格散射、杂质散射和表面散射,通过求解弛豫近似下的Boltzmann方程,利用并联电阻模型从理论上研究了p-型异质外延金刚石膜的压阻效应,给出了压阻效应的计算表达式. 从理论上得到了和实验一致的压阻效应的主要特性. 提出了应力作用下分裂带间距变化的模型,对大应力时饱和压阻的理论和实验误差给出了合理解释.     

Effects of Electric Field on the Valence—Bond Property of an Electron in a Quantum—Dot Molecule

The electronic structure of the quantum-dot molecules in an electric field is investigated by the finite element method with the effective mass approximation.The numerical calculation results show that the valence bond of the quantum-dot molecule alternates between covalent bonds and ionic bonds as the electric field increases.The valence-bond property can be reflected by the oscillator strength of the intraband transition.The bound state with the highest energy level in the quantum-dot molecule gradually changes into a quasibound state when the electric field increases.     

Sm富勒烯的价带光电子能谱

用紫外光电子能谱和同步辐射光电子能谱研究了Sm掺杂C₆₀薄膜的价带电子结构.Sm的价电子大部分转移给C₆₀，化学键以离子性为主.对于任何化学配比都没有观察到费米边，所以Sm富勒烯超导相在室温下为半导体性质.获得了很接近单相Sm_2.75C₆₀的样品在费米能级附近的电子态密度分布.固溶相的光电子发射与Sm_2.75C₆₀有明显区别.Sm_xC_{60关键词： 60}的Sm填隙化合物')" href="#">C₆₀的Sm填隙化合物 价带光电子能谱 电子结构     

石墨价带结构及其与过渡金属镍的相互作用

用XPS和UPS技术细致地研究了石墨的价带结构,并与Painter等人计算的结果相比较。在石墨上蒸镀镍后,碳原子与镍原子相互作用,在石墨表面形成一层碳化镍。从镀镍后的AES谱可看到碳化镍的Auger特征峰,碳化镍的形成,使C 2P_x,y轨道上升到费密能级下5eV附近,而2P_x轨道则上升到靠近费密能级处。 关键词：     

激光驱动晶体发射低阶谐波强度随激光波长的变化规律

通过数值求解激光驱动下电子在一维周期势场中运动的薛定谔方程,研究了晶体在激光场中发射的低阶谐波强度随激光波长的变化规律,结果表明,晶体发射低阶谐波强度随激光波长的变化规律与晶体发射高次谐波第一平台区域的变化规律不同.已有的研究表明晶体发射高次谐波第一平台区域的强度会随激光波长的增加而衰减,而我们发现晶体发射低阶谐波的强度会随激光波长的增加而增加.通过对晶体发射低阶谐波的时频分析、晶体价带能量变化与激光光子能量的关系,解释了晶体发射低阶谐波强度随激光波长增加而增加的原因.