矩形均匀电子束在激光介质中的能量沉积的模拟计算

本文主要论述了0.5MeV,单能垂直入射的电子束在三种不同密度的氟化氪准分子激光介质中的能量沉积。计算是采用Monte Carlo方法的MCSED程序,光轴方向采用周期性边界条件,因此能够给出平行于和垂直于电子束入射方向的沉积能量的空间分布。本文给出了在三种不同密度下的出射电子的角分布。用该程序对垂直入射的,初始能量为1MeV的电子在半无限大Al靶中的沉积能量的计算结果与ONETRAN程序的结果及实验结果的比较表明MCSED程序的计算结果是可靠的。     

Theory and Application of Characteristic Finite Element Domain Decomposition Procedures for Coupled System of Dynamics of Fluids in Porous Media

For a coupled system of multiplayer dynamics of fluids in porous media,the characteristic finiteelement domain decomposition procedures applicable to parallel arithmetic are put forward.Techniques suchas calculus of variations,domain decomposition,characteristic method,negative norm estimate,energy methodand the theory of prior estimates are adopted.Optimal order estimates in L~2 norm are derived for the error inthe approximate solution.     

Soliton and Periodic Travelling Wave Solutions for Quadratic Nonlinear Media

Many sets of the soliton and periodic travelling wave solutions for the quadratic χ^（2） nonlinear system are obtained by the Backlund transformation and the trial method. The property of the propagation for some travelling waves is investigated.     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

Kerr介质中级联三能级原子与压缩相干态相互作用的光子统计演化

本文研究了存在Kerr介质的高Q腔中压缩相干态与级联三能级原子相互作用的光子统计演化规律,讨论了光场参数、Kerr介质及相干振幅对平均光子数的影响.     

微波辐射下干介质中Meldrum酸与醛酮的缩合反应

以冰醋酸－六氢吡啶为催化剂，硅胶或氧化铝为载体，Ｍｅｌｄｒｕｍ酸与一系列醛酮在微波辐射下发生综合合反应，产率为２２～９７％。     

沉淀介质对合成醇Cu—Co—Fe系催化剂的影响

分别以水和乙醇为沉淀介质，按不同方法制备了低碳醇合成用Ｃｕ－Ｃｏ－Ｆｅ系催化剂，以乙醇为沉淀介质时，有利于提高生氏碳醇的活性和选择性，产物中正构醇含量增加，且不服从Ｓｃｈｕｌｚ－Ｆｌｏｒｙ方程分布方式，乙醇的存在，使沉淀体系中的杂质ＮａＮＯ３不易洗脱，催化剂还原温度提高；高的ＮａＮＯ３含量对进一步提高催化剂的活性和选择性不利，吸附实验结果表明，乙醇预处理可提高催化剂对ＣＯ的不可逆吸附能力，提高还原     

特丁醇和水混合溶剂多组分电解质热力学HCl—NaCl—tert—C_4H_9OH—H_2O体系(5～45℃)

本文在恒定特丁醇质量分数x=0.10的条件下,应用电动势法测定了无液接界电池(A)和电池(B)的电动势:Pt,H_2(1.013×10~5Pa)HCl(m),tert.-C_(4)H_9OH(x),H_2O(1-x)AgCl-Ag(A)Pt,H_2(1.013×10~5Pa)|HCI(m_A),NaCl(m_B),tert,-C_4H_9OH(x),H_2O(1-x)|AgCl-Ag(B)根据电池(A)电动势确定了混合溶剂中的Ag-AgCl电极的标准电极电势,讨论了HCl的迁移性质;利用电池(B)的电动势计算了HCl在该体系中的活度系数γ_A,结果表明,在恒定总离子强度下,HCl的活度系数服从Harned规则.计算了HCl的一级、二级和总介质效应.     

流通池介质交换差示脉冲阳极溶出伏安法用于多元素重叠峰的分离及其同时测定

本文用流通池介质交换差示脉冲阳极溶出伏安法在盐酸介质中富集,而以碳酸钠-碳酸氢钠缓冲溶液为溶出介质,有效地分离了酸性介质中Cu(Ⅱ)、Sb(Ⅲ)、Pb(Ⅱ)、Tl(Ⅰ)、Cd(Ⅱ)、In(Ⅲ)的重叠溶出峰,实现了多离子的同时测定。     

胶束介质在速差动力学分析中的应用

本文主要报道溴化十六烷基三甲胺(CTMAB)表面活性剂在速差动力学分析中的应用,并用于高温合金试样中钼和钛的同时测定,在CTMAB存在下,3,5-二溴水杨基荧光酮(3,5-DBSF)与钼、钛形成三元配合物,其灵敏度比二元配合物分别提高了5.4和17.3倍,且由于胶束介质的存在,扩大了两组分形成配合物反应速率的差别,大大改善了方法的选择性。铝(III)、钙(II)、钴(II)、铬(III)、铜(II)、铁(II)、镁(II)、镍(II)等元素的允许量均在毫克级以上。钼的三元配合物形成速率较快,20秒内基本反应完全,钛的反应速率较慢,10分钟才达到平衡,基于两组分反应速率差别,采用对数外推法,经微机计算处理,进行了高温合金中钼、钛的同时测定,其相对偏差在5%以内。