Electron Impact Excitation of Xenon from the Ground State and the Metastable State to the 5p57p Levels

Electron impact excitation cross sections from the ground state and the lowest metastable state 5p56s J=2 to the excited states of the 5p57p configuration of xenon are calculated systematically using the fully relativistic distorted wave method. Special attention is paid to the configuration interaction effects in the wave-function expansion of target states. The results are in good agreement with the recent experimental data by Jung et al. [Phys. Rev. A 80 （2009） 062708] over the measured energy range. These accurate theoretical results can be used in the modeling and diagnosis of plasmas containing xenon.     

纯物质亚稳态机理的研究及液体过热亚稳态极限的预测

在通常条件下，物质到达该条件下的平衡相变点却没有发生相变，仍然保持相变点以前的形态，这种形态称之为物质的亚稳态。亚稳态分为过冷态和过热态，如图1所示，液体在某压力下在L点应开始蒸发为气体，液体却处于过热亚稳态，曲线CL和CO间的相区为过热区，点O是T2温度下液体过减压的极限点，也是P=Pnor=0.101325MPa下液体的过热极限点，液体状态达到O点必产爆炸式的气化，CO线就是过热极限曲线，也称旋节线。在定容条件下，液体达到过热极限时，产生爆炸式气化，在极短的时间内会产生很大压力。工程上由于过热液失稳引起的蒸汽爆炸带…     

He（2^3S）与N2O（X）Penning电离中的N2O^＋（A^2Σ^＋）生成速率及相…

在分子束条件下测量了Ｈｅ（２＾３Ｓ）＋Ｎ２Ｏ（Ｘ）→Ｎ２Ｏ＾＋（Ａ＾２Σ＾＋）＋Ｈｅ（＾１Ｓｏ）＋ｅ＾－反应的Ｐｅｎｎｉｎｇ电离光学光谱，求得了Ｎ２Ｏ＾＋（Ａ＾２Σ＾＋）态的初生态相对振动布居。以Ｈｅ（２＾３Ｓ）＋Ｎ２（Ｘ）→Ｎ＾＋２（Ｂ＾２Σ＾＋ｕ）＋Ｈｅ（＾１Ｓｏ）＋ｅ＾－为参考反应，测量了Ｈｅ（２＾３Ｓ）＋ＢＮ２Ｏ＾＋（Ａ＾２Σ＾＋）＋Ｈｅ（＾１Ｓｏ）＋ｅ＾－反应的速率常数ＫＮ２Ｏ＾＋（Ａ）     

利用Townsend放电测定N2(A3∑u+)亚稳态分子的扩散系数和猝灭速率常数

在纯N₂气体中,利用Townsend放电方法,对N₂(A³∑_u⁺)亚稳态分子的扩散系数D_m和猝灭速率常数K_q的测定进行了研究。分别得到:D_m=128cm²/s,K_q=8.1×10^-19cm³/s。 关键词：     

电子碰撞亚稳态氦电离截面的计算

在电子和激发态原子散射的物理过程中，靶的连续态是非常重要的通道，我们使用等价局部光学势模型计算了从电离阈值到２００ｅＶ能量范围的氦的２３Ｓ亚稳态的电离截面，并同实验结果作了比较。     

III-V族化合物半导体材料的高能重离子辐照效应

用高能（５００ＭｅＶ）Ｎｅ离子束对ＧａＡｓ和ＩｎＰ进行了辐照，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟、正电子湮没谱学以及红外光谱研究了辐照产生的缺陷特性．结果表明，在未辐照的样品中存在单空位，经辐照后，可在样品中产生单空位；当剂量较大时，还会形成双空位甚至尺寸较大的空洞．红外光谱测量发现，在辐照后的ＧａＡｓ样品中有非晶区形成．此外，辐照在样品中还产生了反位缺陷ＧａＡｓ和ＩｎＰ以及受主杂质ＺｎＩｎ．对经１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２剂量辐照的ＩｎＰ进行了光学实验，在辐照后的ＩｎＰ材料中发现了亚稳态中心． Both GaAs and InP were irradiated by high energy (500 MeV) Ne ions. The Monte Carlo simulation, positron annihilation and IR spectroscopy were used to study the radiation induced defects. The result showed that monovacancies existed in as grown samples, but more monovacancies were introduced, after Ne ions irradiation, and with increasing radiation dose, divacancies were formed, and eventually large voids were observed. The IR measurement for irradiated GaAs samples confirmed the...     

慢电子与亚稳态He（2^3S）弹性散射中极化势研究

本采用带有截断函数的极化势,为确定其中的可调参数,给出了一个经验公式：r↑-/r0=0.618。通过慢电子与亚稳态He(2^3S)弹性散射总截面的计算,表明本确定的极化势更准确地描述了慢电子与亚稳态He弹性散射的实际过程。