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991.
本文报道2-环丙基-2-苯基六甲基三硅烷经光化学分解产生环丙基苯基硅烯(1)。1能与烯烃立体专一地进行加成,中间体硅杂环丙烷的醇解开环也是立体专一地顺式开环。  相似文献   
992.
本文研究了青蒿素及其一类物的结构和合成。青蒿素具有很高的稳定性, 本文即设想通过苯硒化合物的氧化消除反应, 将其转变为天然的△^1^1^(^1^3^)一脱氢青蒿素。  相似文献   
993.
994.
邢峰  何文望 《物理学报》1990,39(6):1011-1016
本文中研究了从Nd_(14)Fe_(78)B_8过渡到Nd_(14)Fe_(78)C_8时化合物的晶体结构与内禀磁性。指出轻稀土-Fe-C化合物形成P42/mnm型四方结构的结晶学条件在于适当的热处理温度。在Nd_(14)Fe_(78)B_(8-x)C_x系列中,随着C含量的增加,居里温度略有减少,饱和磁化强度σ_3出现一个平缓的峰值变化,室温下的剩磁σ_r、内禀矫顽力_iH_c和磁晶各向异性场H_a都明显增大。含碳样品的各向异性行为与Nd-Fe-B相似,室温下易磁化方向沿e轴,低温下易轴各向异性转变成易锥型。自旋再取向温度随C的增加逐渐降低,但1.5K下的锥角有轻微的增大,这表明在Nd和Fe次晶格的各向异性之间存在着复杂的耦合。此外,适当富Nd的Nd-Fe-C化合物有强的各向异性。  相似文献   
995.
IntroductionThe development of organic light-emitting diodes(OLEDs)has been the subject of intensive academicand industrial research that is directed toward the fabri-cation of large-area,monocolor and full color flat-paneldisplays[1].Ever since Tanget al…  相似文献   
996.
李涵  唐新峰  刘桃香  宋晨  张清杰 《物理学报》2005,54(11):5481-5486
用高温熔融法合成了Ca和Ce复合填充的单相p型CamCenFexCo4-xSb12化合物,探索了两种原子复合填充对其热电性能的影 响规律.研究结果表明,填充分数相同时,Ca和Ce两种原子复合填充的p型CamCe nFexCo4-xSb12化合物的载流子浓度和电 导率介于Ca或Ce一种原子单独填充的化合物之间,且随两种原子填充分数m+n的增加而降低 ;赛贝克系数随两种原子填充总量,尤其是Ce填充分数m的增加以及温度的上升而增加;在 相同填充分数时,两种原子复合填充的p型CamCenFexC o4-xSb12化合物的晶格热导率较Ca或Ce一种原子单独填充的化合物 的晶格热导率低,当总填充分数m+n为0.3左右,且Ca和Ce的填充量大致相等时,化合物的晶 格热导率最低.p型Ca0.18Ce0.12Fe1.45Co2.55Sb12.21化合物的最大热电性能指数ZT值在750K时达到1.17. 关键词: skutterudite化合物 双原子复合填充 合成 热电性能  相似文献   
997.
A new diterpenoid was isolated from the ethanolic extract of the dried root bark of Tripterygium wilfordii Hook.f. It is the first example of abietane diterpenoid glycoside isolated from Tripterygium wilfordii Hook.f.Its structure was identified to be 11-0-β-D-glucopyranosyl-neotriptophenolide based on spectral methods.  相似文献   
998.
999.
研究了退火温度对Se0.70Ge0.15Sb0.15薄膜的影响.通过热蒸发技术,在300K温度下将大块无定形Se0.70Ge0.15Sb0.1s沉积在石英和玻璃衬底上.研究发现,未经过退火处理的薄膜结构和在300K,1.33×10-5Pa下退火1小时后的薄膜结构都是无定形结构,而在同样气压470K温度下退火1小时的薄膜有结晶现象.通过在300 2 500nm范围内垂直入射光方向上透射率和反射率的测试,研究了薄膜的一些光学参数,如消光系数(k),折射系数(n)和吸收系数(a).研究发现,n和k同热处理温度有关.通过光学数据的分析,得到了不同条件下薄膜的间接带隙宽度(Enong),未经过热处理薄膜的Enong是1.715±0.021eV,300K下退火薄膜的Enong是1.643±0.021eV,470K下退火的Enong是1.527±0.021eV.退火温度降低了带隙宽度Enong,但增加了带尾eo这种效应可以根据Mott和Davis提出的多晶体系中态密度来解释.  相似文献   
1000.
双氟取代苯和联苯类液晶化合物的量子化学研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
运用AM1和PM3两种SCF-MO方法,通过能量梯度全优化计算,给出了对一系列环上双氟取代苯、联苯液晶化合物的稳定几何构型、电子结构和分子基本性质(生成热、偶极矩、前沿分子轨道能级等)。联系有机结构理论进行了分析和讨论。初步阐明了其分子结构与介电各向异性之间的关系,为设计和开发新型液晶分子研究提供了有较大价值的线索。  相似文献   
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