1，1’－联－2－萘酚硼烷的辛可宁和麻黄碱衍生物的合成

１，１’－联－２－萘酚硼烷的辛可宁和麻黄碱衍生物的合成单自兴，孙杰，段标，杨洗，赵德杰（武汉大学化学系，武汉，４３００７２）关键词１，１’－联－２－萘酚，硼烷，辛可宁，麻黄碱，硼烷配合物，合成中国法分类号Ｏ６２７·３１ｌ，ｌ’一联一２一条酚在大环化学...     

3，5－二溴－4－氨基苯基荧光酮的离解及与钼显色反应的研究

用分光光度法研究了２，３，７－三羟基－９－（３，５－二溴－４－氨基）苯基荧光酮的离解平衡和离解常数；以其为显色剂，进行了钼（ＶＩ）的分光光度法研究，在０．２～０．８ｍｏｌ·Ｌ－１ＨＣｌ溶液中，ＣＴＭＡＢ存在下，显色剂与Ｍｏ（ＶＩ）生成灵敏的红色三元配合物，ε５３０＝１．５６×１０５Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１，用于测定钢中的钼，结果满意．     

从正负电子对到τ轻子

 去年正值赵忠尧先生90华诞,他应吴大猷之约赴台访问.中国科学院高能物理所副所长赵维仁 ,陪同前往并受赵老委托,在台湾中研究物理所作了题为《从正负电子对到τ轻子》学术报告,受到热烈欢迎.本刊编辑部征得同意,根据记录整理成文发表,以飨读者.     

2—（2‘对—苯基苯磺酰胺基苯基）—4H—3，1—苯并恶嗪—4—酮的合成在电致发光中的应用

以联苯和邻氨基苯甲酸为原料经过氯磺化和缩合反应合成了2－（2'-对苯基苯磺酰胺基苯基）－4H－3,1－苯并恶嗪－4－酮,通过红外,质谱,核磁共振和元素分析等表征了它的结构,以它为发光层材料制备了双层结构的电致发光器件,测定了电致发光器件的电流－电压曲线和电致发光光谱,最大亮度可达450cd/m^2,因空穴传输剂TPD处理方法的不同,分别发出黄绿色和橙色两种不同滤长的光,这主要是与2－（2'-对苯基苯磺酰基苯基）－4H－3,1－苯并恶嗪－4－酮具有多种跃迁能级有关。     

利用BaZrO3涂层Al2O3坩锅生长YBa2Cu3O7—δ单晶体

在常规Al     

SI2-拟代数空间

在T0空间上引入了SI2-代数空间和SI2-拟代数空间的概念,讨论了它们的一些性质,证明了：(1)一个T0空间(X,τ)为SI2-代数的当且仅当(X,τSI2)为B-空间;(2)一个T0空间(X,τ)为SI2-拟代数的当且仅当(X,τSI2)为超紧基空间;(3)一个T0空间(X,τ)为SI2-代数的当且仅当(X,τ)为交SI2-连续和SI2-拟代数的。     

三价镧系离子掺杂的Cd3Al2 Ge3O12的长余辉发光

系统地研究了三价镧系离子在Cd3Al2Ge3O12基质中的长余辉发光。总结了余辉性能与激活离子电负性的关系。研究发现该体系中易失电子的激活离子产生的余辉效果较好。在254nm紫外光激发下,基质和所有镧系离子(Pm除外)掺杂的样品都有发光和余辉。按照发光和余辉性质的不同可以将激活离子分为三类：Pr^3 、Tb^3 和Dy^3 等是有特征余辉发光的离子;Eu^3 和Sm^3 等是有特征发射,但没有特征余辉发光的离子;Ce^4 、La^3 、Nd^3 以及其他是没有特征发光的镧系离子。长余辉的产生是由缺陷引起的。由于Cd^2 离子在高温下容易挥发,基质中存在大量的Cd^2 离子空位,这种空位可以作为俘获电子的陷阱。同时为了补偿Cd^2 所产生的正电荷,在Cd^2 离子空位周围会有相应的负离子空位产生,比如氧离子空位。这种补偿作用的存在使得基质本身的缺陷种类和数量十分丰富,使得该体系的余辉性能比较优越。     

Dy3+/Tm3+共掺杂钒磷酸钇的共沉淀法合成及光谱性质

以Y2O3、Dy2O3、Tm2O3、V2O5、(NH4)2GPO4为原料,采用共沉淀化学法合成了体色纯白的Dy^3 、Tm^3 共掺杂YP1-xVxO4荧光粉。对合成荧光粉的V^5 ／p^5 、Dy^3 ／Tm^3 摩尔比等条件进行了研究。利用SEM、变温紫外激光激发下的发射光谱及紫外激发下的发射光谱,对所合成的粉体的表面形貌及发光性能进行了表征。YP1-xVxO4：Dy^3 ,Tm^3 荧光粉在325nm紫外激光激发下,低温时存在基质VO4^3-的蓝色宽带发射,随着温度升高,VO4^3 吸收的激发能量更有效地传递给Dy^3 、Tm^3 ,使其发光逐渐增强;在254nm的紫外光激发下,YP1-xVxO4：Dy^3 ,Tm^3 荧光粉发白光,是一种潜在的二基色高压汞灯用荧光粉。     

TiAl3 和Ti/TiAl3 非合金化电极n型GaN欧姆接触的实现

在不进行合金化的情况下,首次直接采用TiAl3合金材料作为金属接触电极.在蓝宝石衬底上生长的n型载流子浓度为2×1018 cm-3的GaN上,成功地得到低接触电阻的欧姆接触,并由环形传输线模型方法测得比接触电阻率为3×10-5 Ω*cm2.与通常n型欧姆接触采用的Ti/Al双层结构比较,TiAl3合金结构更容易形成非合金化的n型欧姆接触.在此实验基础上,进一步分析了N空位和界面层处的TiAl3在形成非合金化或低温退火欧姆接触中发挥的作用,由此设计的Ti/TiAl3/Ni/Au接触结构,在TiAl3合金结构基础上明显地降低了接触电阻率.